Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (20)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=спектры люминесценции<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Александровский, А. С.
Люминесценция монокристаллов иттрий-алюминиевого бората активированного марганцем [Текст] / А. С. Александровский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1618-1621. - Библиогр.: с. 1621 (10 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
иттрий-алюминиевый борат -- иттрий-алюминиевый борат, активированный марганцем -- люминесценция -- оптические спектры поглощения -- спектры люминесценции -- тригональные монокристаллы
Аннотация: Измерены спектры поглощения и люминесценции кристаллов YAl[3] (BO[3]) [4], активированных ионами марганца. Спектры поглощения сформированы вкладом ионов Mn{4+}, а также широкая многополосная структура, связанная в основном с вкладом ионов Mn{2+}.

Доп.точки доступа:
Гудим, И. А.; Крылов, А. С.; Темеров, В. Л.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние химического состояния серебра на люминесцентные свойства пленок системы GeO[2]-Eu[2]O[3]-Ag [Текст] / Г. Е. Малашкевич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1804-1814. - Библиогр.: с. 1814 (28 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
европий -- золь-гель метод -- люминесценция -- оксидные пленки -- редкоземельный активатор -- серебро -- спектры люминесценции -- трехслойные пленки
Аннотация: С использованием золь-гель метода приготовления пленки системы GeO[2]-Eu[2]O[3]-Ag эффективность люминесценции ионов Eu{3+} в которых при ультрафиолетовом возбуждении сравнима с одноименной характеристикой пленок, активированных органическими комплексами европия. Проведено их спектрально-люминесцентное, ЭПР- и дифрактометрическое исследование. Установлено, что основной причиной полученного эффекта является образование сложных Eu-Ag-центров с высоким квантовым выходом внутрицентровой передачи возбуждений редкоземельному активатору от ионов серебра и расположенных на поверхности его наночастиц олигомерных кластеров Ag{n+}[m].

Доп.точки доступа:
Малашкевич, Г. Е.; Шевченко, Г. П.; Сережкина, С. В.; Першукевич, П. П.; Семкова, Г. И.; Глушонок, Г. К.

Найти похожие

Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки.

Доп.точки доступа:
Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З.

Найти похожие

Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN [Текст] / В. В. Криволапчук [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 365-371. - Библиогр.: с. 371 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
сенсибилизация излучения -- квантовые ямы -- спектры люминесценции -- люминесценция -- редкоземельные ионы -- деформационная решетка -- квантово-размерные структуры
Аннотация: Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов приводит к появлению деформаций решетки (как правило сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни {5}D[2] - {5}D[0] иона Eu. В менее совершенных структурах внедрение редкоземельных ионов приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок.

Доп.точки доступа:
Криволапчук, В. В.; Мездрогина, М. М.; Кузьмин, Р. В.; Даниловский, Э. Ю.

Найти похожие

Супрун, С. П.
Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe [Текст] / С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, Е. В. Федосенко // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1570-1575 : ил. - Библиогр.: с. 1575 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- ZnSe/ GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- субмикронные слои -- ZnSe -- эпитаксия -- подложки -- люминесценция -- низкотемпературная люминесценция -- спектры люминесценции -- температура
Аннотация: Исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe на подложках GaAs (001) при использовании в качестве источника соединения ZnSe в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Показано, что после формирования гетерограницы "избыточный" Ga остается на поверхности растущей пленки, определяя при температуре выше 250oC скорость ее роста. Согласно измеренным спектрам низкотемпературной люминесценции, 240oC является оптимальной температурой получения слоев данным способом.

Доп.точки доступа:
Шерстякова, В. Н.; Федосенко, Е. В.

Найти похожие

Спектры люминесценции гегсагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии [Текст] / М. Е. Компан [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2326-2330. - Библиогр.: с. 2330 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектры люминесценции -- люминесценция -- карбид кремния -- мозаичные пленки -- метод твердотельной эпитаксии -- пленки карбида кремния -- кремниевые подложки
Аннотация: Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках.

Доп.точки доступа:
Компан, М. Е.; Аксянов, И. Г.; Кулькова, И. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А.

Найти похожие

Дегода, В. Я.
Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники
Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках.

Доп.точки доступа:
Софиенко, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Нелинейные оптические свойства нанокомпозитов ПВК-C[60] [Текст] / М. А. Заболотный [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 826-830. - Библиогр.: с. 830 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокомпозиты -- спектры ИК-поглощения -- нанокомпозиты ПВК-C[60] -- спектры люминесценции -- спектры фотолюминесценции -- метод вакуумного напыления
Аннотация: Изучено влияние на спектры ИК-поглощения и люминесценции композита ПВК-C[60], полученного с помощью технологии вакуумного напыления, концентрации фуллерена и температуры образца. Показано, что спектры люминесценции композитов, полученных с помощью напыления в вакууме на подложки, существенно отличаются как от спектров образцов, приготовленных с помощью полива раствором ПВК в толуоле тех же подложек, так и от спектров образцов, синтезированных при использовании напыления в атмосфере инертного газа. Предложено объяснение этого явления. Установлено, что с ростом концентрации C[60] в слоях ПВК-C[60] увеличиваются размеры поглощающих ИК-излучение структур. Экспериментально доказано, что под действием света с длиной волны 514. 5 nm в композитах ПВК-C[60] происходят фотоиндуцированные реверсивные изменения, приводящие к нетривиальным концентрационно-зависимым изменениям спектра люминесценции.

Доп.точки доступа:
Заболотный, М. А.; Кобус, Е. С.; Дмитриенко, О. П.; Кулиш, Н. П.; Белый, Н. М.; Стасюк, Е. В.; Барабаш, Ю. М.; Довбешко, Г. И.; Фесенко, Е. М.; Пирятинский, Ю. П.; Гринько, Д. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности структуры нанокристаллов CuI в фотохромных стеклах [Текст] / И. Х. Акопян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 751-755. - Библиогр.: с. 755 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- фотохромные стекла -- спектры поглощения -- нанокрситаллы иодида меди -- спектры люминесценции
Аннотация: Изучены спектры поглощения нанокристаллов CuI со средними радиусами 5. 3 и 6. 2 nm в матрице фотохромных стекол в температурном диапазоне 38--300 K. Установлено, что нанокристаллы иодида меди, как и нанокристаллы хлорида и бромида меди тех же размеров, кристаллизуются преимущественно в неравновесной форме, отличной от стабильной низкотемпературной кубической модификации. Обсуждена структура метастабильных модификаций нанокристаллов галогенидов меди в фотохромных стеклах.

Доп.точки доступа:
Акопян, И. Х.; Голубков, В. В.; Дятлова, О. А.; Мамаев, А. Н.; Новиков, Б. В.; Цыган-Манджиев, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Возбуждение люминесценции молекул урацила электронным ударом [Текст] / И. И. Шафраньош [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2012. - Т. 112, № 2. - С. 179-183 : схема, табл., граф. - Библиогр.: с. 182-183 (15 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
урацилы -- молекулы -- молекулы урацилов -- возбуждение люминесценции -- электронные удары -- спектры люминесценции -- спектральные полосы -- диссоциативное возбуждение
Аннотация: Получены спектры люминесценции изолированных молекул урацила. Показано, что процессы диссоциативного возбуждения молекул формируют спектр излучения урацила.

Доп.точки доступа:
Шафраньош, И. И.; Стецович, В. В.; Чаварга, Н. Н.; Суховия, М. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-14

Тематический навигатор

Статистика за 27.08.2024
Число запросов	60932
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)