Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

БД "Статьи" (34)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=спектральные характеристики<.>)

Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-33

О спектральной характеристике вторично-ионного фотоэффекта [Текст] / А. Г. Роках [и др. ] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 26. - С. 106-111. - Библиогр.: с. 111 (6 назв. )

УДК

^a621.38

^a535

ББК 32.85 + 22.34
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника
   Физика
   Оптика
Кл.слова (ненормированные):
фотоэффект -- вторично-ионный фотоэффект -- ВИФЭ -- полупроводники -- свет -- спектральные характеристики -- световые волны
Аннотация: Проведены предварительные исследования спектральных характеристик вторично-ионного фотоэффекта (ВИФЭ). Показано, что необходимость учета зависимости ВИФЭ от освещенности усложняет эксперимент. Проведен расчет спектральной зависимости ВИФЭ.

Доп.точки доступа:
Роках, Александр Григорьевич (д-р физ.-мат. наук, проф.); Сердобинцев, Алексей Александрович (канд. физ.-мат. наук); Матасов, Максим Дмитриевич (студент); Кондратьев, Алексей Павлович (студент)

Найти похожие

Абдурахимов, Л. В.
Эволюция турбулентного каскада на поверхности жидкого водорода при изменении спектральной характеристики возбуждающей силы [Текст] / Л. В. Абдурахимов, М. Ю. Бражников, А. А. Левченко // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 3. - С. 139-142

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектральные характеристики -- жидкий водород -- поверхность жидкого водорода -- турбулентный каскад -- шумовая возбуждающая сила
Аннотация: Выполнены эксперименты по исследованию модификации турбулентного каскада в системе капиллярных волн на поверхности жидкого водорода при изменении спектральной ширины шумовой возбуждающей силы. При широкополосной накачке корреляционная функция I[омега] отклонений поверхности жидкого водорода от равновесия является монотонной убывающей функцией частоты. В инерционном интервале распределение I[омега] хорошо описывается степенной функцией омега\{-m\} с показателем m, близким к 17/6. При переходе к узкополосной накачке на каскаде I[омега] формируется цепь пиков, и положение вершин пиков описывается степенной функцией частоты с показателем m=3. 8 плюс минус 0. 1.

Доп.точки доступа:
Бражников, М. Ю.; Левченко, А. А.

Найти похожие

Набиев, Г. А.
Определение механизмов генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках с помощью спектральных зависимостей коэффициента поглощения и фотонапряжения [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 924-925 : ил. - Библиогр.: с. 925 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
механизмы генерации фотонапряжения -- фотодиффузионный эффект -- эффект Дембера -- Дембера эффект -- коэффициент поглощения -- p-n переходы -- полупроводниковые пленки -- спектральные зависимости -- спектральные характеристики -- коэффициент фотонапряжения
Аннотация: Предложен метод определения механизма генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках: разделение носителей на p-n-переходе или фотодиффузия носителей. Метод основан на спектральных характеристиках коэффициента поглощения и фотонапряжения.

Найти похожие

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим
Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А.

Доп.точки доступа:
Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Спиридонов, С. В. (аспирант).
Анализ информационной надежности систем цифрового телерадиовещания [Текст] / С. В. Спиридонов, А. А. Львов // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2009. - N 43. - С. 141-143 . - ISSN 1999-8341

УДК

^a621.397

ББК 32.94
Рубрики: Радиоэлектроника
Телевидение
Кл.слова (ненормированные):
цифровое телевидение -- информационная надежность -- вероятность ошибочного приема -- статистические характеристики -- программные модели -- спектральные характеристики
Аннотация: Рассмотрены вопросы оптимизации значений параметров системы передачи данных в сетях цифрового телерадиовещания стандарта DVB-T по критерию минимума вероятности ошибочного приема.

Доп.точки доступа:
Львов, А. А.

Найти похожие

Субботин, С. Г.
Спектральные характеристики для сравнения и идентификации ударных нагружений [Текст] / С. Г. Субботин, А. Ю. Мельникова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 12. - С. 53-56. - Библиогр.: с. 56 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a620.1/.2

^a517.5

ББК 30.3 + 22.161.5
Рубрики: Техника
   Материаловедение
   Математика
   Теория функций
Кл.слова (ненормированные):
спектральные характеристики -- ударные нагружения -- спектральный анализ -- непериодические процессы -- интеграл Дюамеля -- Дюамеля интеграл -- спектры Дюамеля -- Дюамеля спектры -- ударные спектры -- спектральная плотность Фурье -- Фурье спектральная плотность -- спектр Фурье -- Фурье спектр
Аннотация: Изложены теоретические основы спектрального анализа непериодических процессов, в которых определена роль интеграла Дюамеля, введены термины и определения текущей спектральной характеристики и спектров Дюамеля, доказана тождественность последних с ударными спектрами.

Доп.точки доступа:
Мельникова, А. Ю.

Найти похожие

Ехменина, И. В.
Проблемы создания ультрафиолетовых источников на основе наноструктурированных автоэмиссионных катодов [Текст] / И. В. Ехменина, Е. П. Шешин, Н. Н. Чадаев // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 2. - С. 39-45. - Библиогр.: с. 45 (54 назв. ) . - ISSN 0409-2961

УДК

^a537.86/.87

ББК 32.840/841
Рубрики: Радиоэлектроника
Теоретические основы радиотехники
Кл.слова (ненормированные):
ультрафиолетовое излучение -- люминофор -- автоэлектронная эмиссия -- автокатод -- спектральные характеристики -- фотонный кристалл -- автоэмиссионные катоды -- наноструктурированные автоэмиссионные катоды
Аннотация: Рассматриваются проблемы создания источников ультрафиолетового излучения на основе наноструктурированных автоэмиссионных катодов. С учетом последних достижений в области оптоэлектроники были предложены новые методы получения ультрафиолета: на основе ультрафиолетовых люминофоров и на основе фотонных кристаллов.

Доп.точки доступа:
Шешин, Е. П.; Чадаев, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ехменина, Е. П.
Источники излучения на основе наноструктурированных автокатодов [Текст] / И. В. Ехменина, Е. П. Шешин, Н. Н. Чадаев // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 4. - С. 45-48. - Библиогр.: с. 48 (2 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
автоэлектронная эмиссия -- автокатод -- люминофор -- спектральные характеристики -- ультрафиолет
Аннотация: Рассматривается возможность создания принципиально новых источников света общего назначения, основанных на катодолюминисценции под действием электронов, эмитируемых автокатодом из наноструктурированного углеродного материала.

Доп.точки доступа:
Шешин, Е. П.; Чадаев, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Шаманин, Игорь Владимирович.
Контроль поля энерговыделения в процессе эксплуатации ядерного реактора с помощью детекторов прямого заряда [Текст] / И. В. Шаманин, А. В. Киселев, В. А. Лызко // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316. N 2. - С. 67-71 : ил. - Библиогр.: с. 71 (2 назв. ). . - ISSN 1684-8519

УДК

^a621.039.5

ББК 31.46
Рубрики: Энергетика
Ядерные реакторы
Кл.слова (ненормированные):
детекторы прямого заряда -- глубина выгорания топлива -- плотность теплоносителя -- борная кислота -- энерговыделение -- спектр нейтронов -- спектральные характеристики
Аннотация: Получены результаты, количественно характеризующие влияние на значение переходной функции от тока, образованного в эмиттере детектора, таких параметров, как глубина выгорания топлива в тепловыделяющих сборках, плотность теплоносителя, который одновременно является замедлителем, и концентрация борной кислоты в теплоносителе. Результаты показывают изменения представительности (качества) информации о распределении энерговыделения в активной зоне, которая получается при обработке системой внутриреакторного контроля аналогового сигнала (тока) с детекторов прямого заряда. Кроме того, в работе получены результаты, указывающие на значительное влияние спектральных характеристик нейтронного поля на показания детектора прямого заряда и отображающие чувствительность спектральных характеристик к условиям эксплуатации и состоянию ядерного реактора.

Доп.точки доступа:
Киселев, А. В.; Лызко, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Выращивание пленок (InSb) [1-x] (Sn2) [x] на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 970-977. : ил. - Библиогр.: с. 976-977 (25 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- выращивание пленок -- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] -- твердые растворы -- подложки -- арсенид-галлиевые подложки -- GaAs -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- ЖФЭ -- рентгенограммы -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- непрерывные твердые растворы -- НТР -- структурные исследования -- гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- фоточувствительность гетероструктур
Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb) [1-x] (Sn2) [x] (0< x< 0. 05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb) [1-x] (Sn2) [x]. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0. 7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0] exp (qV/ckT), а при больших (V>0. 9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V[0] exp (Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры.

Доп.точки доступа:
Саидов, А. С.; Саидов, М. С.; Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-33

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	54819
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)