Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (29)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=солнечные элементы<.>)

Общее количество найденных документов : 44
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-44

Саченко, А. В.
Моделирование солнечных элементов с квантовыми ямами и сравнение с обычными солнечными элементами [Текст] / А. В. Саченко, И. О. Соколовский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 2. - С. 274-277

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- квантовые ямы -- эффективность фотопреобразования
Аннотация: С помощью программы SimWindows выполнено моделирование эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе GaAs с квантовыми ямами из InGaAs в условиях АМ 1. 5 при различных уровнях легирования базы. Проведено сравнение полученных результатов с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов. Показано, что солнечные элементы с квантовыми ямами могут иметь достаточно большую эффективность фотопреобразования по сравнению с эффективностью фотопреобразования обычных солнечных элементов при указанных в статье условиях.

Доп.точки доступа:
Соколовский, И. О.

Найти похожие

Новости [Текст] // Нанотехника. - 2009. - N 1 (17). - С. 107-117 : 16 табл. . - ISSN 1816-4498

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
катализ наночастиц -- солнечные элементы -- магнитный ключ -- проводимость нанотрубок -- прозрачная электроника -- старение стекла -- искусственные щупальцы -- наноманипуляторы -- вирус табачной мозаики -- квантовые компьютеры -- нанотранзисторы -- носители информации
Аннотация: Представлен обзор новостей из зарубежных журналов и прилагается электронный адрес источника, откуда взято сообщение.

Найти похожие

Исследование особенностей роста нанокристаллов оксида цинка из водных растворов для создания тонкопленочных солнечных элементов [Текст] / С. А. Гаврилов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 2 (76). - С. 35-38 : рис. . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.9

ББК 34.63
Рубрики: Машиностроение
Обработка металлов резанием
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нанотехнологии -- тонкопленочные элементы -- солнечные элементы -- водные растворы
Аннотация: Исследованы особенности химического осаждения нанокристаллов оксида цинка из водных растворов.

Доп.точки доступа:
Гаврилов, Сергей Александрович; Назаркин, Михаил Юрьевич; Сагунова, Ирина Владимировна; Артемова, Елена Владимировна

Найти похожие

Токопрохождение и потенциальная эффективность (КПД) солнечных элементов на основе p-n-переходов из GaAs и GaSb [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 671-678

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- механизмы токопрохождения -- темновая характеристика -- безрезистивная характеристика -- фототоки
Аннотация: Изучена зависимость эффективности многопереходных и однопереходных солнечных элементов от механизмов токопрохождения в фотоактивных p-n-переходах, а именно от вида темновой характеристики ток-напряжение J-V. Безрезистивная (не учитывающая последовательное сопротивление) J-V[j]-характеристика многопереходного солнечного элемента имеет такой же вид, как и у однопереходного: набор экспоненциальных участков. Это позволило развить единый аналитический метод расчета эффективности одно- и многопереходных солнечных элементов. Выведено уравнение, связывающее эффективность и фотогенерируемый ток на каждом из участков J-V[j]-характеристики. Для p-n-переходов из GaAs и GaSb измерены характеристики: темновая J-V, интенсивность освещения-напряжение холостого хода P-V[OC], интенсивность люминесценция-прямой ток L-J. Построены расчетные зависимости потенциальной (при идеализированном условии равенства единице внешнего квантового выхода) эффективности от фотогенерируемого тока для однопереходных GaAs и GaSb солнечных элементов и тандема GaAs/GaSb. Вид этих зависимостей соответствует виду J-V[j]-характеристики: имеются диффузионный и рекомбинационный участки, а в некоторых случаях и туннельно-ловушечный.

Доп.точки доступа:
Андреев, В. М.; Евстропов, В. В.; Калиновский, В. С.; Лантратов, В. М.; Хвостиков, В. П.

Найти похожие

Солнечные элементы на основе антимонида галлия [Текст] / В. М. Андреев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 695-699

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
жидкофазная эпитаксия -- фотоэлементы -- солнечные элементы -- каскадные преобразователи -- узкозонный фотоэлемент
Аннотация: Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии из газовой фазы созданы различные варианты структур фотоэлементов на основе GaSb, предназначенных для использования в каскадных преобразователях солнечного излучения. Исследован узкозонный фотоэлемент (GaSb) в составе тандема на основе комбинации полупроводников GaAs-GaSb (два p-n-перехода) и GaInP/GaAs-GaSb (три p-n-перехода). Значения максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в GaSb за широкозонными элементами составляют эта=6. 5% (при кратности концентрирования солнечного излучения 275, для спектра AM1. 5D, Low AOD).

Доп.точки доступа:
Андреев, В. М.; Сорокина, С. В.; Тимошина, Н. Х.; Хвостиков, В. П.; Шварц, М. З.

Найти похожие

Курилюк, В. В.
Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 449-455

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля
Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации.

Доп.точки доступа:
Коротченков, О. А.

Найти похожие

Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 537-541

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- однопереходные преобразователи -- квантовые точки -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- полупроводниковые гетероструктуры
Аннотация: Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества p-n-перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение (~1%) плотности тока короткого замыкания J[sc] в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18. 3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1. 5G.

Доп.точки доступа:
Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Шварц, М. З.

Найти похожие

Наноструктуированные прозрачные электропроводящие полимерные материалы в токособирающей системе кремниевых солнечных элементов [Текст] / Г. Г. Унтила [и др. ] // Нанотехнологии. - 2009. - N 3. - С. 65-71

УДК

^a620.9

ББК 31
Рубрики: Энергетика
Общие вопросы энергетики
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- полимерные материалы -- электропроводящие материалы -- наноструктурированные материалы -- кремний
Аннотация: Рассматриваются современные конструкции и технологии создания полупроводниковых солнечных элементов.

Доп.точки доступа:
Унтила, Г. Г.; Кост, Т. Н.; Чеботарева, А. Б.; Корнилов, В. М.; Салазкин, С. Н.

Найти похожие

Олимов, Л. О.
Адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния [Текст] / Л. О. Олимов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 628-630 : ил. - Библиогр.: с. 630 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
щелочные металлы -- ЩМ -- межзеренные границы -- МЗГ -- солнечные элементы -- СЭ -- поликристаллический кремний -- ионная имплантация -- ИИ -- имплантация -- адсорбция -- диффузия -- потенциальные барьеры -- электронные свойства
Аннотация: Экспериментально изучена адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. Полученные результаты показывают, что в процессе диффузии и адсорбции атомов щелочных металлов вдоль межзеренных границ происходит рост потенциального барьера.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe [Текст] / А. В. Мериуц [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 829-832. : ил. - Библиогр.: с. 832 (10 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
солнечные элементы -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- фотовольтаический эффект -- диоды -- фронтальные диоды -- тыльные диоды -- тонкие слои -- CdTe
Аннотация: Показано, что особенности световых вольт-амперных характеристик двусторонне чувствительных солнечных элементов glass/SnO[2] : F/CdS/CdTe/Cu/ITO с тонким базовым слоем связаны с возникновением фотовольтаического эффекта на тыльном контакте. Предложена эквивалентная схема исследуемой приборной структуры, которая учитывает наличие двух освещенных диодов-фронтального диода (основного сепарирующего барьера) и диода на тыльном контакте.

Доп.точки доступа:
Мериуц, А. В.; Хрипунов, Г. С.; Шелест, Т. Н.; Дейнеко, Н. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-44

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	82000
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)