Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=слоистые кристаллы<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-13

Фотоэлектрический эффект в TlInS[2], активированном примесью La [Текст] / M. -H. Yu. Seyidov [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 250-255. - Библиогр.: с. 255 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрический эффект -- слоистые кристаллы -- диэлектрическая проницаемость -- локальные поляризованные состояния -- пироток -- метод короткозамкнутого образца
Аннотация: Впервые получены данные о влиянии света на низкочастотные диэлектрические свойства слоистого кристалла TlInS[2], легированного примесью La. Установлено, что подсветка кристалла в процессе измерений существенно изменяет вид температурной зависимости диэлектрической постоянной (эпсилон) TlInS[2] с примесью La в области существования несоизмеримой фазы. В работе впервые исследованы температурные зависимости диэлектрической постоянной эпсилон TlInS[2] с примесью La при предварительном охлаждении кристалла в присутствии различного по величине напряженности постоянного электрического поля. Сделано заключение о том, что наблюдаемый на опыте фотодиэлектрический эффект обусловлен процессами локализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне кристалла с образованием локальных поляризованных состояний.

Доп.точки доступа:
Seyidov, M. -H. Yu.; Suleymanov, R. A.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Наджафов, А. И.; Шарифов, Г. М.

Найти похожие

Нетрадиционные эффекты термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlInS[2] [Текст] / M. -H. Yu. Seyidov [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 533-542. - Библиогр.: с. 541-542 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
термическая память -- несоизмеримая фаза -- эффект термической памяти -- слоистые кристаллы -- нелегированные слоистые кристаллы -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- внутреннее поле термоэлектрета
Аннотация: Проанализированы экспериментальные данные, касающиеся эффектов термической памяти несоизмеримой фазы в нелегированных слоистых кристаллах TlInS[2], выбранных из разных технологических партий, так и в TlInS[2]: La. Обнаружены различные типы нетрадиционного проявления эффекта термической памяти. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с памятью кристалла, в основе которой лежит механизм закрепления солитонной сверхструктуры волной плотности дефектов в присутствиии внутреннего поля термоэлектрета.

Доп.точки доступа:
Seyidov, M. -H. Yu.; Suleymanov, R. A.; Salehli, F.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Наджафов, А. И.; Шарифов, Г. М.

Найти похожие

Нейтронографические исследования отрицательного теплового расширения в слоистом кристалле InSe [Текст] / А. И. Дмитриев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2207-2210. - Библиогр.: с. 2210 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- фотоэлектрические свойства кристаллов -- слоистые полупроводники -- волны зарядовой плотности -- слоистые кристаллы -- коэффициенты температурных расширений -- фоновые спектры -- нейтроннографические спеектры монокристаллов
Аннотация: Проанализированы нейтронографические спектры слоистого монокристалла и порошка gamma-политипа InSe в области температур 10 - 300 K. В области температур 10 - 50 K возбуждение изгибных колебаний, связанное с волнами зарядовой плотности, изменяет фононный спектр и обусловливает появление отрицательного термического расширения в плоскости слоев alpha [c]= -2. 2 x 10{-6} K{-1}, характерного для двумерных структур. Рассчитаны средние (для интервала T=50-300 K) значения коэффициентов температурного расширения вдоль главных кристаллографических направлений alpha normal c=10. 48 x 10{-6} K{-1} и alpha [c]=12. 97 x 10{-6} K{-1}, которые согласуются с результатами рентгеновских исследований, полученными авторами ранее при T=290 K.

Доп.точки доступа:
Дмитриев, А. И.; Каминский, В. М.; Лашкарев, Г. В.; Ковалюк, З. Д.; Иванов, В. И.; Буторин, П. Е.; Бескровный, А. И.

Найти похожие

Seyidov, M. -H. Yu.
Влияние "отрицательного химического" давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS[2] [Текст] / M. -H. Yu., Seyidov, R. A. Suleymanov, F. Salehli // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2365-2370. - Библиогр.: с. 2370 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
отрицательное химическое давление -- фазовые переходы -- слоистые кристаллы -- диэлектрическая проницаемость -- критическая точка Лифшица -- Лифшица критическая точка -- изовалентное замещение атомов -- феноменологическая модель виртуального кристалла
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования температурных зависимостей диэлектрической проницаемости смешанных кристаллов TlInS[2 (1-x) ]Se[2x] в интервале температур, охватывающих точки структурных фазовых переходов в них. Установлено, что изовалентное замещение S на Se в анионной подрешетке кристаллов TlInS[2 (1-x) ]Se[2x] смещает температуры фазовых переходов T[i] и T[c] в область низких температур с одновременным уменьшением температурного интервала существования несоизмеримой фазы. Построена фазовая T-x-диаграмма исследуемых кристаллов и определены координаты критической точки (типа точки Лифшица), в которой сливаются линии T[i] (x) и T[c] (x) на фазовой диаграмме. Вид фазовой T-x-диаграммы смешанных кристаллов TlInS[2 (1-x) ]Se[2x] анализируется в рамках феноменологической модели "виртуального" кристалла.

Доп.точки доступа:
Suleymanov, R. A.; Salehli, F.

Найти похожие

Одринский, А. П.
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия слоистых кристаллов высокоомного GaSe [Текст] / А. П. Одринский // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 883-885. : ил. - Библиогр.: с. 885 (17 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия -- PICTS -- метод фотоэлектрической релаксационной спектроскопии -- слоистые кристаллы -- кристаллы -- высокоомные монокристаллы -- p-GaSe -- дефекты -- протяженные дефекты -- ловушки -- энергия термоактивации -- галлий
Аннотация: Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы дефекты в высокоомном монокристалле p-GaSe. Результаты показали присутствие ловушек, соответствующих вакансии галлия и протяженным дефектам. Обнаружены также ловушки с энергией термоактивации 0. 13, 0. 39 и 0. 53 эВ. Проводится обсуждение их природы.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Транспорт носителей заряда в композитных наноструктурах на основе слоистого полупроводника p-GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3] [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 348-359. : ил. - Библиогр.: с. 358-359 (48 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
носители заряда -- композитные наноструктуры -- наноструктуры -- слоистые полупроводники -- полупроводники -- ПП -- сегнетоэлектрики -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- импеданс структур -- GaSe -- 2D слои матрицы -- двумерные слои матрицы -- слоистые кристаллы -- СК -- нанообразования -- НО -- трехмерные нанообразования -- 3D нанообразования -- фазовые переходы -- электрическая поляризация -- рентгеновские исследования -- АСМ исследования -- электрические характеристики -- эффект Максвелла - Вагнера -- Максвелла - Вагнера эффект -- квантовые ямы -- туннелирование зарядов
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и частотные зависимости импеданса композитных наноструктур, созданных на основе слоистого анизотропного полупроводника GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3]. Многослойные наноструктуры формировались путем внедрения наноразмерных пирамидальных сегнетоэлектрических включений в слоистую матрицу GaSe. Обнаружены явления гистерезиса на вольт-амперных характеристиках и резкие изменения проводимости и емкости на частотных характеристиках импеданса структур. Они связаны с коллективным эффектом переключения электрической поляризации в наноразмерных 3D сегнетоэлектрических включениях в слоистой матрице, с особенностями ее локального деформирования и с политипными фазовыми переходами в этой матрице. Рентгеновские, АСМ исследования и исследования импеданса в слабом (B<400 мТ) магнитном поле показывают, что электрические характеристики наноструктур связаны с проявлением эффекта Максвелла-Вагнера в наноструктурах, с формированием квантовых ям в GaSe при деформировании кристаллов в области локализации наноразмерных включений, с туннелированием носителей заряда в структурах.

Доп.точки доступа:
Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Коноплянко, Д. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Применение термического анализа для характеризации состава и структуры нелинейных кристаллов GaSe [Текст] / Ю. М. Андреев [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 128-132 : ил. - Библиогр.: с. 132 (11 назв.) . - ISSN 1684-8519

УДК

^a669.017

ББК 34.2
Рубрики: Технология металлов
Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
термический анализ -- нелинейные кристаллы -- слоистые кристаллы -- дифференциально-сканирующая калориметрия -- полупроводниковые кристаллы -- селенид галлия -- нелинейная оптика -- результаты исследований -- спектральные компоненты -- кристаллические структуры -- оптические свойства
Аннотация: Метод дифференциальной сканирующей калориметрии применен для анализа состава и структуры чистых полупроводниковых кристаллов селенида галия, используемых в нелинейной оптике. По результатам исследования эффективности генерации второй гармоники СО[2]-лазеров и смешения спектральных компонент фемтосекундного Ti: Sapphire лазера установлено, что линейные оптические и эффективные нелинейные свойства кристаллов GaSe в существенной мере определяются относительным содержанием второй фазы - Ga[2]Se[3].

Доп.точки доступа:
Андреев, Юрий Михайлович; Вайтулевич, Елена Анатольевна; Светличный, Валерий Анатольевич; Зуев, Владимир Владимирович; Морозов, Александр Николаевич; Кох, Константин Александрович; Ланский, Григорий Владимирович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Поверхностный импеданс кристаллов k-(BEDT-TTF)[2]Cu[N(CN)[2]]Br [Текст] / Н. В. Перунов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 3. - С. 197-200

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
слоистые кристаллы -- органические сверхпроводники -- сверхпроводники -- поверхностный импеданс -- прецизионные измерения
Аннотация: Проведены прецизионные измерения в интервале температур 0. 5 меньше T меньше 100 K действительной и мнимой частей микроволнового поверхностного импеданса Z[ac] (T) = R[ac] (T) + iX[ac] (T) проводящих ac-слоев кристаллов k- (BEDT-TTF) [2]Cu[N (CN) [2]]Br.

Доп.точки доступа:
Перунов, Н. В.; Шевчун, А. Ф.; Кущ, Н. Д.; Трунин, М. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Анненков, Ю. М.
Квантовые эффекты при миграционной поляризации в нанометровых слоях протонных полупроводников и диэлектриков при сверхнизких температурах [Текст] / Ю. М. Анненков, В. А. Калытка, М. В. Коровкин // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 1. - С. 31-37 : табл. - Библиогр.: c. 37 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.311.33

^a539.2

ББК 22.379 + 22.37
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
Больцмана квантовая статистика -- ансамбль невзаимодействующих протонов -- водородные связи кристаллов -- диэлектрическая проницаемость -- квантовая статистика Больцмана -- квантово-механические исследования -- миграционная поляризация -- наноразмерные слоистые кристаллы -- невзаимодействующие протоны -- поляризационная матрица -- протонная проводимость -- протонная релаксация -- протонные диэлектрики -- протонные полупроводники -- протоны -- слоистые кристаллы -- статический ансамбль протонов
Аннотация: Исследуется квантовый механизм миграционной поляризации в конденсированных средах в переменном электрическом поле в области низких и сверхнизких температур. Нестационарное уравнение Лиувилля решается совместно со стационарным уравнением Шредингера и операторным уравнением Пуассона без учета протон-протонного и протон-фононного взаимодействия. Рассчитывается неравновесная матрица плотности для ансамбля невзаимодействующих протонов, двигающихся в одномерном многоямном потенциальном рельефе прямоугольной формы в переменном поляризующем поле. С помощью нестационарной матрицы плотности исследуются аномальные эффекты, связанные со смещением низкотемпературного максимума тангенса угла диэлектрических потерь в слоистых кристаллах в сторону температур жидкого гелия. Результаты квантово-механического расчета спектров комплексной диэлектрической проницаемости (СКДП) могут быть использованы при исследовании туннельного механизма спонтанной поляризации сегнетоэлектриков (KDP, DKDP).

Доп.точки доступа:
Калытка, В. А.; Коровкин, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Термоэлектрическая добротность и магнитотворная способность "естественных" наноструктур PbBi[2](Te[1 - x]Se[x])[4 + бета] и PbBi[4](Te[1 - x]Se[x])[7 + бета] [Текст] / Е. С. Авилов [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 12. - С. 15-25 : 6 табл., 7 рис. - Библиогр.: с. 23-24 (15 назв. ) . - ISSN 1028-978X

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
термоэлектрические материалы -- слоистые кристаллы -- естественные наноструктуры -- термоэлектрическая добротность -- магнитотворная способность -- топологический изолятор -- халькогены
Аннотация: Получены слоистые кристаллы PbBi[2] (Te[1 - x]Se[x]) [4 + бета] и PbBi[4] (Te[1 - x]Se[x]) [7 + бета] с отклонением состава от стехиометрии в сторону избыточного содержания халькогенов (x = 0 - 0, 7; бета = 0 - 0, 1). Cоединения были классифицированы как “естественные” наноструктуры типа Bi[2]Te[3] c измененными параметрами собственной наноидентичности.

Доп.точки доступа:
Авилов, Е. С.; Коржуев, М. А.; Кретова, М. А.; Михайлова, А. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-13

Тематический навигатор

Статистика за 02.08.2024
Число запросов	59276
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)