Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сегнетоэлектрический фазовый переход<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Юзюк, Ю. И.
Влияние механизма роста и термоупругих напряжений на динамику кристаллической решетки гетероэпитаксиальных пленок титаната бария-стронция [Текст] / Ю. И. Юзюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1676-1682. - Библиогр.: с. 1682 (30 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные пленки -- двумерные напряжения в пленке -- комбинационное рассеяние света -- коэффициенты теплового расширения -- мягкая мода -- сегнетоэлектрический фазовый переход -- спектры комбинационного рассеяния света -- титанат бария-стронция
Аннотация: Гетероэпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[0. 7]Sr[0. 3]TiO[3] (BST-0. 3) на монокристаллических подложках (001) MgO получены высокочастотным катодным распылением керамической мишени стехиометрического состава. Рентгенографическими методами определены параметры тетрагональной ячейки пленки в зависимости от условий синтеза и исследован температурный ход параметра c в интервале температур 293-520 K. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдалась E (TO) мягкая мода, частота которой коррелирует с величиной двумерных напряжений, возникающих в пленках. Показано. что двумерные напряжения в пленке определяются не только несоответствием параметров решетки пленки и подложки, различием их коэффициентов теплового расширения, но существенно зависят от механизма гетероэпитаксиального роста. Установлено, что при нагревании пленки фазовый переход осуществляется в тетрагональную параэлектрическую фазу вне зависимости от реализуемого механизма роста.

Доп.точки доступа:
Захарченко, И. Н.; Алешин, В. А.; Леонтьев, И. Н.; Рабкин, Л. М.; Мухортов, В. М.; Simon, P.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Соколов, А. И.
Флуктуации, высшие ангармонизмы и разложение Ландау для титаната бария [Текст] / А. И. Соколов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 331-334. - Библиогр.: с. 334 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
флуктуации -- ангармонизмы -- высшие ангармонизмы -- разложение Ландау -- Ландау разложение -- титанат бария -- сегнетоэлектрический фазовый переход -- фазовые переходы
Аннотация: Для корректного описания сегнетоэлектрического фазового перехода в титанате бария необходимо удерживать в разложении свободной энергии члены не только шестого, но и восьмого порядка. Другой необычной чертой BaTiO[3] является то, что коэффициенты B[1] и B[2] при членах вида P{4}[x] и P{2}[x]P{2}[y] в разложении Ландау зависят от температуры. Показано. что температурная зависимость B[1] и B[2] может быть результатом действия тепловых флуктуаций поляризации в условиях, когда ангармонические константы четвертого порядка аномально малы, т. е. нелинейность вида P{4} и высшие ангармонизмы играют сопоставимые роли. Регулярные (некритические) флуктуационные вклады в B[1] и B[2] вычислены в первом приближении по ангармоническим константам шестого и восьмого порядков. Оба вклада монотонно растут с температурой, что согласуется с видом температурных зависимостей этих коэффициентов, наблюдаемом в эксперименте. Теория позволяет найти без дополнительных предположений отношение флуктуационных составляющих B[1] и B[2], которое также оказывается весьма близким к тому, которое дает эксперимент.

Найти похожие

Лебедев, А. И.
Сегнетоэлектрический фазовый переход в орторомбическом CdTiO[3]: расчеты из первых принципов [Текст] / А. И. Лебедев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 757-763. - Библиогр.: с. 763 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
сегнетоэлектрический фазовый переход -- фазовые переходы -- квантовые флуктуации -- титанат кадмия -- расчеты из первых принципов
Аннотация: Из первых принципов методом функционала плотности рассчитаны параметры кристаллической структуры и фононный спектр орторомбического титаната кадмия с пространственной группой Pbnm и двух возможных сегнетоэлектрически искаженных фаз (Pbn2[1], Pb2[1]m) на его основе. Найденные структурные параметры и частоты мод, активных в спектрах комбинационного рассеяния и ИК-отражения, хорошо согласуются с экспериментальными данными для фазы Pbnm. Разложение полной энергии кристалла в ряд по степеням двух параметров порядка показывает, что основному состоянию системы отвечает структура Pbn2[1], фазовый переход в которую из фазы Pbnm должен быть второго рода, без участия промежуточных фаз. Сильное расхождение расчетных и экспериментально наблюдаемых искажений решетки и величин спонтанной поляризации в полярной фазе объясняется проявлением квантовых флуктуаций, существованием двойников и конкурирующих длиннопериодных структур.

Найти похожие

Пирозерский, А. Л.
Модель Изинга сегнетоэлектрического фазового перехода в системе взаимодействующих малых частиц [Текст] / А. Л. Пирозерский, Е. В. Чарная // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 572-576. - Библиогр.: с. 576 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
модель Изинга -- Изинга модель -- сегнетоэлектрический фазовый переход -- фазовые переходы -- решеточная модель
Аннотация: Предложена модель для описания сегнетоэлектрического фазового перехода в системе взаимодействующих одинаковых малых частиц, основанная на модели Изинга. Получено, что на смещение температуры фазового перехода относительно точки перехода в объемном образце оказывают влияние как размерные эффекты, обусловленные малостью частиц, так и взаимодействие между частицами. Характер зависимости температуры фазового перехода от расстояния между частицами определяется природой межчастичной связи. Проведенный анализ показал, что взаимодействие малых частиц необходимо учитывать при интерпретации сегнетоэлектрических свойств нанокомпозиционных материалов.

Доп.точки доступа:
Чарная, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	66265
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)