Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сапфировая подложка<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 627-629

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пленки -- кристаллическое качество -- твердофазная рекристаллизация -- имплантация ионами кислорода -- паразитная емкость -- сапфировая подложка
Аннотация: Малодефектные кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с использованием процесса твердофазной рекристаллизации. Для оценки кристаллического качества структур кремний-на-сапфире применялась рентгеновская кривая качания. Значения ширины на половине высоты максимума интенсивности (FWHM) показывают, что после имплантации ионов кислорода (энергия 130 кэВ, доза 10\{15\} см\{-2\}) и последующего отжига (550 градусов C/0. 5 ч + 1000 градусов C/1 ч) образуется кремниевый слой толщиной d=1000-2500 ангстрем высокого кристаллического качества.

Доп.точки доступа:
Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

Амано, Хироши.
Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком [Текст] / Х. Амано ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 518-523 : 5 рис. - Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.) . - ISSN 0042-1294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- синие светодиоды -- кристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- CaN -- CaN p-типа -- InGaN -- выращивание кристаллов -- сапфиры -- сапфировая подложка -- низкотемпературный буферный слой -- метод низкотемпературного осаждения -- допирование магнием -- низкоэнергетические электронные пучки
Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа.

Доп.точки доступа:
Чехов, А. Л. \.\
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	51037
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)