Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=решеточные колебания<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Низкочастотные оптические спектры решеточных колебаний сплава Hg[1-x]Zn[x]Te [Текст] / С. П. Козырев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2199-2203. - Библиогр.: с. 2203 (17 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
низкочастотные моды -- низкочастотные оптические спектры -- оптические спектры -- решеточные колебания -- решеточные моды -- спектры решеточного отражения
Аннотация: Представлены интерпретация спектров решеточного отражения сплавов Hg[1-x]Zn[x]Te (x = 0. 1, 0. 35 и 0. 55), измеренных в интервале температур 40-300 K, и сравнительный анализ параметров решеточных колебаний двух систем сплавов HgZnTe и HgCdTe в области низкочастотных оптических колебаний (область аномальной моды Hg-Te-колебаний в HgTe). При полном подобии параметров основных решеточных мод температурные зависимости низкочастотных мод радикально различаются для двух систем сплавов. Их энергии термической активации 3. 3 и 50 meV для сплавов HgZnTe и HgCdTe соответственно. Результаты эксперимента объясняются в рамках модели двуямного потенциала для атома Hg в кристаллической решетке.


Доп.точки доступа:
Козырев, С. П.; Кучеренко, И. В.; Cestelli, Guidi M.; Triboulet, R.

Найти похожие

2.


    Козырев, С. П.
    ИК-спектроскопия решеточных колебаний и сравнительный анализ сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe [Текст] / С. П. Козырев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 943-946 : табл. - Библиогр.: с. 945 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- сверхрешетки -- буферные слои -- решеточные колебания -- сверхрешетки
Аннотация: Представлен сравнительный анализ многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe. Сопоставлялись индуцированные упругими напряжениями сдвиги собственных частот мод CdTe- и ZnTe-подобных колебаний материалов, образующих аналогичные сверхрешетки, но выращенные на разных буферных слоях ZnTe и CdTe. Условия формирования квантовых точек в сверхрешетках ZnTe/CdTe на буферных слоях ZnTe и CdTe радикально отличаются.


Найти похожие

3.


    Ордин, С. В.
    Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла Lu[2]O[3] [Текст] / С. В. Ордин, А. И. Шелых // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 584-589 : ил. - Библиогр.: с. 589 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
редкоземельные металлы -- РЗМ -- окислы -- Lu[2]O[3] -- оптические характеристики -- диэлектрические характеристики -- дефекты -- анионные вакансии -- оптическое пропускание -- спектры оптического пропускания -- электропроводность -- изолятор–полупроводник -- диэлектрическая проницаемость -- поляризация -- решеточные колебания -- температурная зависимость
Аннотация: Исследованы характеристики окисла Lu[2]O[3] и их изменения, вызванные дефектностью состава. Дефектами являются анионные вакансии, которые возникают при частичном восстановлении окисла. Они проявляют особенности, характерные для квантовых объектов, и существенно влияют на спектр оптического пропускания, характер электропроводности (изолятор-полупроводник) и на порядок величины диэлектрической проницаемости varepsilon (11. 2->125). Рассмотрены особенности структуры вакансий в окислах и исследовано их влияние на поляризацию, электропроводность и решеточные колебания. Исследования проводились в диапазонах температур 200-900 K, длин волн 0. 03-50 мкм, частот тока 10{2}-10{5} Гц. Интерес в микроэлектронике к окислам редкоземельных металлов вызван их большей в несколько раз по сравнению с SiO[2] диэлектрической проницаемостью и тем самым перспективностью замены этими окислами SiO[2].


Доп.точки доступа:
Шелых, А. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 06.09.2024
Число запросов 65590
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)