Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (8)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=рентгенографический анализ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Влияние магнитного фазового перехода на перенос заряда в слоистых полупроводниковых ферромагнетиках TlCrS[2], TlCrSe[2] [Текст] / Р. Г. Велиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1175-1178 : ил. - Библиогр.: с. 1178 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- TlCrS[2] -- TlCrSe[2] -- слоистые соединения -- ферромагнетики -- полупроводниковые ферромагнетики -- магнитные фазовые переходы -- твердотельная реакция -- рентгенографический анализ -- кристаллическая решетка -- магнитные исследования -- электрические исследования -- заряды -- переносы заряда
Аннотация: Твердотельной реакцией синтезированы кристаллы TlCrS[2], TlCrSe[2]. Рентгенографическим анализом выявлено, что соединения TICrS[2] и TlCrSe[2] кристаллизуются в гексагональной сингонии соответственно с параметрами кристаллической решетки a = 3. 538 А, с = 21. 962 А, с/а ~ 6. 207, z = 3, рентгеновской плотностью рх = 6. 705 г/см{3}и а = 3. 6999 А, с = 22. 6901 А, с/а ~ 6. 133, z = 3, рентгеновской плотностью p[x] =6. 209 г/см{3}. В интервале температур 77-400 К проведены магнитные и электрические исследования, которые показали, что TlCrS[2], TlCrSe[2] являются полупроводниковыми ферромагнетиками. Достаточно большое отклонение значения экспериментального эффективного магнитного момента TlCrS[2] (3. 26 mu[B]) и TlCrSe[2] (3. 05mu[B]) от теоретического (3. 85mu[B]) объясняется наличием двумерного магнитного упорядочения в парамагнитной области сильно слоистых ферромагнетиков TlCrS[2], TlCrSe[2]. Обнаружено влияние магнитного фазового перехода на перенос заряда в TlCrS[2], TlCrSe[2].


Доп.точки доступа:
Велиев, Р. Г.; Садыхов, Р. З.; Керимова, Э. М.; Асадов, Ю. Г.; Джаббаров, А. И.

Найти похожие

2.


    Волкова, В. К.
    Рентгенографический анализ структуры композитов на основе политетрафторэтилена при тепловом воздействии [Текст] / В. К. Волкова, Л. Ф. Калистратова // Материаловедение. - 2015. - № 4. - С. 54 . - ISSN 1684-579Х
УДК
ББК 35.712
Рубрики: Химическая технология
   Карбоцепные полимеры и пластмассы на их основе

Кл.слова (ненормированные):
аморфно-кристаллические композиты -- высокотемпературное нагревание -- композиты -- матрицы -- матрицы композитов -- полимеры -- политетрафторэтилены -- рентгенографический анализ -- степень кристалличности
Аннотация: Проведены рентгенографические исследования структуры аморфно-кристаллических композитов на основе ПТФЭ при высокотемпературном нагревании. Определены границы устойчивости их структуры к тепловому воздействию. Изучены температурные зависимости параметров кристаллической и аморфной составляющих матрицы композитов.


Доп.точки доступа:
Калистратова, Л. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 06.09.2024
Число запросов 83018
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)