Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=рентгеновское облучение<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd].

Доп.точки доступа:
Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности деформационного поведения композита полистирола с наполнителем из сульфата цезия при ультрафиолетовом и рентгеновском облучении [Текст] / А. П. Покидов [и др.] // Материаловедение. - 2015. - № 7. - С. 43-52 . - ISSN 1684-579Х

УДК

^a678.742

ББК 35.712
Рубрики: Химическая технология
Карбоцепные полимеры и пластмассы на их основе
Кл.слова (ненормированные):
деформирование -- композиты -- люминесценция -- межатомные связи -- наночастицы -- наполнители -- органические люминофоры -- полимеры -- полистиролы -- радиационная прочность -- рентгеновское облучение -- рентгенолюминесценция -- сульфаты цезия -- ультрафиолетовое облучение
Аннотация: Обнаружено заметное повышение радиационной прочности полистирола при введении частиц сульфата цезия. Это объясняется тем, что фрагменты молекул полистирола, закрепленные частицами наполнителя, при радиационных разрывах межатомных связей не расходятся, сохраняя высокую вероятность их восстановления. При изучении рентгенолюминесценции указанного композита обнаружено, что его деформирование приводит к снижению доли люминесценции органического люминофора, что указывает на непосредственное участие контактных областей между частицами и молекулами в передаче энергии электронных возбуждений по декстеровскому или фрерихсовскому механизму.

Доп.точки доступа:
Покидов, А. П.; Классен, Н. В.; Кедров, В. В.; Шмытько, И. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние наночастиц сульфата цезия и деформирования на структуру, колебательные спектры и люминесценцию полистирола [Текст] / А. П. Покидов [и др.] // Материаловедение . - 2015. - № 8. - С. 22-29 . - ISSN 1684-579Х

УДК

^a678.742

ББК 35.712
Рубрики: Химическая технология
Карбоцепные полимеры и пластмассы на их основе
Кл.слова (ненормированные):
атомно-электронные структуры -- водородные связи -- деформирование -- комплексообразование -- композиты -- люминесценция -- механическая прочность -- наночастицы -- полимеры -- полистиролы -- радиационная прочность -- рентгеновское облучение -- светоизлучательные процессы -- спектры инфракрасного поглощения -- сульфаты цезия -- упорядочение
Аннотация: Обнаружены существенные изменения в спектрах инфракрасного поглощения полистирола при введении в него наночастиц сульфата цезия, что объясняется двумя вариантами прикрепления органических молекул к наночастицам (посредством водородных и пи-электронных связей). Соотношение между связями существенно изменяется при деформировании композита полистирола с сульфатом цезия из-за различий в их механической прочности. В свою очередь, различия в атомно-электронных структурах связей приводят к существенной дифференциации их влияния на светоизлучательные процессы, позволяя управлять сцинтилляционными характеристиками композитов полистирола с наночастицами через регулирование их состава и морфологии.

Доп.точки доступа:
Покидов, А. П.; Классен, Н. В.; Кедров, В. В.; Шмытько, И. М.; Баженов, А. В.; Фурсова, Т. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Зарядовое распределение ионов Kr, образуемых при рентгеновском облучении 1.3 кэВ [Текст] / С. В. Елфимов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 5. - С. 3-6 : табл. - Библиогр.: c. 5-6 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
газомониторинговые детекторы -- зарядовое распределение ионов -- многозарядные ионы -- облучение нейтральных атомов -- рентгеновское облучение -- фотоионизация
Аннотация: В модели эффективного атомного потенциала методом Монте-Карло рассчитано зарядовое распределение ионов Kr, образуемых при облучении нейтральных атомов рентгеновскими фотонами с энергией 1. 3 кэВ. Полученные результаты расчетов хорошо согласуются с недавними экспериментальными данными и могут использоваться при разработке и эксплуатации газовых детекторов, контролирующих интенсивность рентгеновских лазеров на свободных электронах.

Доп.точки доступа:
Елфимов, С. В.; Дорофеев, Д. Л.; Зон, Б. А.; Чернов, В. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	82586
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)