Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (3)

БД "Статьи" (52)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=рентгеновская дифракция<.>)

Общее количество найденных документов : 34
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-34

Давыдов, Д. А.
Моноклинный упорядоченный субоксид ванадия V[14]O[6] [Текст] / Д. А. Давыдов, А. И. Гусев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 147-154. - Библиогр.: с. 154 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
моноклинный субоксид ванадия -- рентгеновская дифракция -- субоксид ванадия -- симметрийный анализ -- подрешетки
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и симметрийного анализа изучена моноклинная (пр. гр. C2/m) сверхструктура V[14]O[6], образующаяся при атомно-вакансионном упорядочении тетрагонального твердого раствора кислорода в ванадии. Моноклинный субоксид V[14]O[6] наблюдается в синтезированных при 1770К образцах оксида ванадия VO[0. 57], VO[0. 81] и VO[0. 86] и в образцах VO[y] (y больше или равно 0. 87, y меньше или равно 0. 98), после синтеза дополнительно отожженных при температуре 1470 К. Установлено, что канал фазового перехода беспорядок-порядок, связанный с образованием моноклинного субоксида V[14]O[6], включает шесть сверструктурных векторов, принадлежащих трем нелифшицевским звездам одного типа {k[i]}. Рассчитана функция распределения атомов кислорода в моноклинной сверхструктуре V[14]O[6]. Показано, что смещения атомов V искажают объемно центрированную тетрагональную металлическую подрешетку, подготавливая формирование гранецентрированной кубической подрешетки и преход от субоксида V[14]O[6] к кубическому монооксиду ванадия со структурой B1.

Доп.точки доступа:
Гусев, А. И.

Найти похожие

Давыдов, Д. А.
Нейтронография дефектного монооксида ванадия, близкого к эквиатомному составу VO [Текст] / Д. А. Давыдов, А. И. Гусев, А. А. Ремпель // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 4. - С. 218-223

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
монооксид ванадия -- VO[y] -- структурные вакансии -- нейтронография -- рентгеновская дифракция
Аннотация: Методами структурной нейтронографии и рентгеновской дифракции изучена дефектная структура закаленных от температуры синтеза и отожженных при низкой температуре монооксидов ванадия VO[y] (0. 90 меньше равно y меньше равно 0. 97), по составу близких к эквиатомному монооксиду VO[1. 0].

Доп.точки доступа:
Гусев, А. И.; Ремпель, А. А.

Найти похожие

Кластеры палладия в образцах нанопористого углерода: структурные свойства [Текст] / А. М. Данишевский [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 604-608. - Библиогр.: с. 607-608 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кластеры палладия -- нанопористый углерод -- рентгеновская дифракция -- электронная дифракция -- просвечивающий электронный микроскоп -- метод электронного спинового резонанса -- электронный спиновой резонанс
Аннотация: Проведены структурные исследования образцов нанопористого углерода, приготовленных из карбидов кремния и бора, с кластерами палладия, введенными в них. Рентгеновская и электронная дифракция показывает, что основная масса кластеров Pd имеет кубическую гранецентрированную решетку. Проведены измерения малоуглового рентгеновского рассеяния. При определенных допущениях анализ их позволил определить размеры кластеров металла. Размеры кластеров, полученных на снимках в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ), оказались не слишком близки к ним и находились в диапазоне 4-14 nm. По-видимому, различие связано с локальным характером измерений в ПЭМ. Помимо относительно крупных кластеров приведенного диапазона в образцах наблюдаются очень мелкие кластеры, меньшие размера одной микропоры. Их особенно много в C (SiC) B : Pd, где их размеры оказались в пределах 0. 5-0. 7 nm. В C (B[4]C) B : Pd малых кластеров существенно меньше, и их размеры несколько больше: 1. 2-1. 6 nm. Обсуждаются возможные причины ферромагнетизма, наблюдавшегося в указанных образцах. Высказано предположение, что магнетизм может быть связан с малыми кластерами, которые к тому же не имеют кубической симметрии.

Доп.точки доступа:
Данишевский, А. М.; Кютт, Р. Н.; Ситникова, А. А.; Шанина, Б. Д.; Курдюков, Д. А.; Гордеев, С. К.

Найти похожие

Фазовые соотношения и форма кривых рентгеновской дифракции от гетероструктур с квантовыми ямами [Текст] / М. А. Чуев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 3. - С. 204-209

УДК

^a535.2

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифракция -- гетероструктуры с квантовыми ямами -- дифракционное рассеяние -- фазовые соотношения
Аннотация: Проведен качественный анализ формирования интерференционной картины на кривых дифракционного отражения рентгеновских лучей от гетероструктур с квантовыми ямами. Показано, что помимо хорошо известного эффекта, связанного с дополнительным сдвигом фазы в амплитудах дифракционного рассеяния покрывающего слоя и подложки за счет небольшого смещения атомных слоев в квантовой яме, форма кривой отражения существенным образом зависит от толщины квантовой ямы, отражая специфические фазовые соотношения в интегральной амплитуде отражения. В рамках анализа были получены простые аналитические выражения, которые позволяют не только описать тонкие детали интерференционной картины на кривой отражения, но и приближенно оценить значения наиболее значимых параметров реально выращенной гетероструктуры, которые определяют наиболее адекватную стартовую модель для дальнейшего анализа на основе общих формул динамической дифракции.

Доп.точки доступа:
Чуев, М. А.; Пашаев, Э. М.; Ковальчук, М. В.; Квардаков, В. В.

Найти похожие

Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния [Текст] / П. Г. Сенников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 1002-1006 : ил. - Библиогр.: с. 1006 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- нанокристаллический кремний (nc-Si) -- морфология поверхности -- рентгеновская дифракция -- масс-спектрометрия -- ионная масс-спектроскопия -- плазмохимическое осаждение -- тетрафторид кремния -- фотолюминесценция
Аннотация: Сообщается о результатах получения слоев кремния на различных подложках методом плазмохимического осаждения в системе тетрафторид кремния-водород. Сняты спектры излучения плазмы в этой системе. Образцы исследованы методами рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии. Проведено морфологическое изучение поверхности, получены спектры комбинационного рассеяния, спектры пропускания в инфракрасном диапазоне и спектры фотолюминесценции. По фазовому составу слои представляют собой нанокристаллический кремний с размером блоков когерентного рассеяния от 3 до 9 нм в зависимости от условий проведения процесса и обладают интенсивной фотолюминесценцией при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Сенников, П. Г.; Голубев, С. В.; Шашкин, В. И.; Пряхин, Д. А.; Дроздов, М. Н.; Андреев, Б. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кузнецов, А. С.; Поль, Х. - Й.

Найти похожие

Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe-ZnS [Текст] / Л. В. Борковская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 804-810 : ил. - Библиогр.: с. 809-810 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесцентные характеристики -- структурные характеристики -- биомолекулы -- биосопряжение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- рентгеновская дифракция -- дефекты -- спектры возбуждения -- СВ -- CdSe-ZnS
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции и ее возбуждения, а также кривые рентгеновской дифракции силанизированных квантовых точек CdSe-ZnS и влияние на них соединения с биомолекулами. В спектрах люминесценции помимо полосы, обусловленной рекомбинацией экситонов в квантовых точках, присутствовало излучение, связанное с дефектами. Установлено, что спектр излучения дефектов содержит, как минимум, две компоненты. Показано, что дефекты расположены преимущественно на точках малого размера, причем дефекты, ответственные за длинноволновую компоненту, расположены преимущественно на точках большего размера, чем дефекты ответственные за коротковолновую компоненту. Обнаружено, что соединение с биомолекулами приводит не только к голубому смещению экситонной полосы, но и к трансформации спектра излучения дефектов, а также к увеличению его вклада в спектр люминесценции. Наблюдающиеся изменения в спектре излучения дефектов объясняются образованием соответствующих центров свечения. Показано, что при присоединении биомолекул в квантовых точках возрастают механические напряжения сжатия. Этим объясняется голубое смещение полосы квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Борковская, Л. В.; Корсунская, Н. Е.; Крыштаб, Т. Г.; Гермаш, Л. П.; Печерская, Е. Ю.; Остапенко, С.; Чернокур, А.

Найти похожие

Полиэдральные наноразмерные частицы углерода при высоких давлениях [Текст] / В. А. Давыдов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 12. - С. 861-865

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифракция -- рентгеновское рассеяние -- полиэдральные наночастицы -- углеродные наночастицы -- трансформация графеновых слоев -- онионоподобные структуры -- онионоподобная сердцевина
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, малоуглового рентгеновского рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии изучены твердофазные превращения полиэдральных наночастиц углерода при давлении 8. 0 ГПа и различных температурах. Обнаружено, что при температурах выше ~1000 градусов C в системе наблюдается трансформация графеновых слоев внутренних полостей полиэдральных частиц в онионоподобные структуры, приводящая к образованию гибридного типа sp\{2\}-углеродных наночастиц, сочетающих внешнюю полиэдральную форму с квазисферической онионоподобной сердцевиной. При 1600 градусах С полиэдральные наночастицы с размерами менее ~40 нм полностью превращаются в онионоподобные частицы.

Доп.точки доступа:
Давыдов, В. А.; Ширяев, А. А.; Рахманина, А. В.; Филоненко, В. П.; Васильев, А. Л.; Отре, C.; Агафонов, В. Н.; Хабашеску, В. Н.

Найти похожие

Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1261-1266 : ил. - Библиогр.: с. 1265 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) -- спинодальный распад -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- фазообразование -- рентгеновская дифракция -- электронная микроскопия -- сателлиты -- рентгеновские рефлексы -- рентгеноструктурные исследования
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) в области составов x ~ 0. 50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора Ga[x]In[1-x]P, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Домашевская, Э. П.; Руднева, Вал. Е.; Руднева, В. Е.; Гордиенко, Н. Н.; Глотов, А. В.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями [Текст] / С. Г. Конников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1280-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1287 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кванто-размерные слои -- гетероструктуры -- катодолюминесценция -- КЛ -- катодолюминесцентные исследования -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифракция -- РД -- рентгеноспектральный микроанализ -- РСМА -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгенодифракционные исследования -- комплексная диагностика
Аннотация: Возможности комплексной диагностики сложных квантово-размерных гетероструктур на основе соединений A{III}B{V}, используемых для создания мощных лазеров, продемонстрированы на примере структур с квантовой ямой GalnP/GaAs/AlGaAs, выращенных эпитаксией из металлорганической газовой фазы. Исследования спектров катололюминесценции позволили оценить состав барьерных слоев, подтвердить существование квантовой ямы и обнаружить аномалии в их излучении, связанные с изменением состава. При изучении структур в просвечивающем электронном микроскопе были определены толщина барьерных слоев, ширина и состав квантовой ямы, а также обнаружены переходные слои вблизи интерфейсов. Точное определение состава барьерных слоев было выполнено методом рентгеноспектрального микроанализа. Полученные величины параметров использовались при интерпретации данных рентгеновской дифракции, которые подтвердили существование переходных областей и обнаружили градиенты состава и частичную релаксацию в основной части слоев. Результатом проведенных комплексных исследований явились взаимосогласованные и обоснованные данные о составе и толщине слоев, а также данные о качестве интерфейсов, частичной релаксации слоев, существовании переходных слоев и градиентов состава.

Доп.точки доступа:
Конников, С. Г.; Гуткин, А. А.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Ситникова, А. А.; Шахмин, А. А.; Яговкина, М. А.

Найти похожие

10.

Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1654-1661 : ил. - Библиогр.: с. 1660 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- МОС-гидридные гетероструктуры -- низкотемпературные МОС-гидридные гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы вычитания -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- ИК-спектроскопия -- метод ИК-спектроскопии -- эпитаксиальные гетероструктуры -- кристаллические решетки -- твердые растворы -- температура -- закон Вегарда -- Вегарда закон
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-34

Тематический навигатор

Статистика за 27.08.2024
Число запросов	82371
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)