Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (26)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=рентгеновская дифрактометрия<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Перевалова, О. Б.
Исследование микроструктуры интерметаллического соединения Ni[3]Al, полученного компактированием продукта теплового взрыва порошковой смеси чистых элементов [Текст] / О. Б. Перевалова, В. Е. Овчаренко // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 40-44 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
порошковые смеси -- компактирование -- продукты тепловых взрывов -- порошковые смеси чистых элементов -- интерметаллические соединения -- высокотемпературный синтез -- оптическая металлография -- сканирующая электронная микроскопия -- просвечивающая микроскопия -- рентгеновская дифрактометрия -- микрорентгеноспектральный локальный анализ
Аннотация: Методами оптической металлографии, просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, микрорентгеноспектрального локального анализа и рентгеновской дифрактометрии исследована микроструктура, фазовый и элементный состав интерметаллического соединения Ni[3]Al, полученного компактированием продукта теплового взрыва порошковой смеси чистых элементов.

Доп.точки доступа:
Овчаренко, В. Е.

Найти похожие

Оценка качества однокомпонентных нанокомпозитных полупроводниковых пленок на примере Ge [Текст] / Д. В. Сурнин [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 2. - С. 27-30. - Библиогр.: с. 30 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a539.2

^a543.4/.5

ББК 22.37 + 24.46/48
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Химия
   Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
однокомпонентные полупроводниковые пленки -- полупроводниковые пленки -- нанокомпозитные полупроводниковые пленки -- пленки -- гелий -- оценка качества полупроводниковых пленок -- рентгеноспектральный структурный анализ -- структурный анализ -- EXAFS-спектроскопия -- электронная спектроскопия -- спектроскопия -- рентгеновская дифрактометрия -- дифрактометрия -- атомная силовая микроскопия -- микроскопия -- нанокомпозиты -- комплексные методы оценки качества -- нанокомпозитные пленки германия -- пленки германия
Аннотация: Предложен комплексный метод оценки качества однокомпонентных нанокомпозитных пленок.

Доп.точки доступа:
Сурнин, Д. В.; Валеев, Р. Г.; Ветошкин, В. М.; Карбань, О. В.; Гильмутдинов, Ф. З.; Деев, А. Н.

Найти похожие

Фотолюминесцентные исследования кубического нитрида бора, активированного Nd в процессе синтеза под высоким давлением [Текст] / Е. М. Шишонок [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1722-1728. - Библиогр.: с. 1728 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесцентные исследования -- нитриды бора -- микропорошки -- методы высоких давлений температур -- рентгеновская дифрактометрия -- рентегнофлуоресцентные анализы -- фотолюминесценция -- фотолюминесценция микропорошков -- фазовые составы микропорошков
Аннотация: Методом высоких давлений температур получены микропорошки кубического нитрида бора, активированные Nd. Фазовый состав микропорошков исследовался методами рентгеновской дифрактометрии и рентегнофлуоресцентного анализа. Исследованы фотолюминесценция, спектры возбуждения фотолюминесценции, а также время жизни возбужденного состояния {4}F[3/2] на ионах Nd, введенных в кубический нитрид бора. В спектрах фотолюминесценции микропорошков в области электронных переходов {4}F[3/2]->{4}I[9/2] и {4}F[3/2]->{4}I[11/2] зарегистрированы структурированные полосы. Большая интенсивность первой из них свидетельствует о реализации "трехуровневой схемы" возбуждения указанной фотолюминесценции в кубическом нитриде бора, активированном Nd. Показано, что с увеличением концентрации соединения Nd в ростовой шихте в микропорошках формируются два центра люминесценции Nd[1] и Nd[2], образованные ионами Nd, расположенными в различных кристаллических полях низкой симметрии, что подтверждается рентгеновскими исследованиями и исследованиями кривых затухания фотолюминесценции. Короткоживущее состояние {4}F[3/2] отнесено к ионам Nd, образующим центры Nd[1], а долгоживущее состояние --- к ионам Nd, образующим центры Nd[2].

Доп.точки доступа:
Шишонок, Е. М.; Леончик, С. В.; Bodiou, L.; Braud, A.

Найти похожие

Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия
Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному.

Доп.точки доступа:
Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К.

Найти похожие

Рентгеновская дифрактометрия и электронная микроскопия слоев пористого Si на разных стадиях окисления на воздухе [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2289-2295. - Библиогр.: с. 2295 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифрактометрия -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- кремний -- пористый кремний -- окисление -- анодное травление -- старение пористого кремния
Аннотация: Методами рентгеновской многокристальной дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии проведено систематическое исследование полученных в различных режимах анодного травления слоев пористого кремния при их естественном окислении (старении) на воздухе. Использовалась комбинация измерений на двух- и трехкристальном дифрактометрах симметричных 004 и асимметричных 224 отражений в геометрии Брэгга для получения количественной информации о деформациях и кристаллической решетке слоев. Найдено, что старение пористого кремния характеризуется ростом как макро- и микродеформаций, так и микроразориентацией кристаллических фрагментов, приводящим к постепенному разрушению пористых слоев вплоть до их полной аморфизации.

Доп.точки доступа:
Ратников, В. В.; Сорокин, Л. М.; Соколов, В. И.; Калмыков, А. Е.

Найти похожие

Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 265-269 : ил. - Библиогр.: с. 268 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- ЭС -- двойные буферные слои -- ДБС -- деформации -- сапфир -- ZnO -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- рентгеновская дифрактометрия -- дифракции -- дифракционные пики -- геометрия Брегга -- Брегга геометрия -- геометрия Лауэ -- Лауэ геометрия -- мод-сканирование -- коэффициент температурного расширения -- КТР -- дислокации
Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta) -мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания.

Доп.точки доступа:
Ратников, В. В.; Кютт, Р. Н.; Иванов, С. В.; Щеглов, М. П.; Baar, A.

Найти похожие

Осаждение тонких пленок Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3] методом импульсной лазерной абляции [Текст] / И. С. Вирт [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 564-569 : ил. - Библиогр.: с. 568-569 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тонкие пленки -- осаждение -- импульсная лазерная абляция -- ИЛА -- метод импульсной лазерной абляции -- подложки -- монокристаллические подложки -- температура -- мишени -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- дифракция электронов высоких энергий -- метод дифракции электронов высоких энергий -- кристаллиты -- электрические свойства -- удельное сопротивление -- абляции
Аннотация: Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi[2]Te[3] и Sb[2]Te[3]. Пленки осаждались в вакууме (1x10{-5} мм рт. ст. ) на подогретые до температуры 453-523 K монокристаллические подложки Al[2]O[3] (0001), BaF[2] (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10-1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77-300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов.

Доп.точки доступа:
Вирт, И. С.; Шкумбатюк, Т. П.; Курило, И. В.; Рудый, И. О.; Лопатинский, И. Е.; Линник, Л. Ф.; Тетеркин, В. В.; Федоров, А. Г.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты
Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 845-852. : ил. - Библиогр.: с. 851-852 (25 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- нанокристаллические пленки -- карбид кремния -- подложки -- ионное осаждение -- рентгеноструктурный анализ -- метод рентгеноструктурного анализа -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- оптическая спектроскопия -- оптическое поглощение -- ОП -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- нанокристаллические политипы -- оптическое отражение -- ОО
Аннотация: Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, - нижнего (на подложке) кубического политипа 3C и верхнего ромбоэдрического политипа 21R с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Баумер, В. Н.; Дмитрук, И. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 289-294. : ил. - Библиогр.: с. 294 (18 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- слитки карбида кремния -- дефектные структуры -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- метод Лели -- Лели метод -- монокристаллы -- 4H-SiC -- ямки травления -- линейные особенности -- линии скольжения -- доменные границы -- базисные дислокации -- деградация -- микропоры -- малоугловые границы -- дефекты слитков
Аннотация: Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001) С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>{1100} для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см{-2} и практически не изменяется при увеличении размера слитков.

Доп.точки доступа:
Авров, Д. Д.; Булатов, А. В.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Фадеев, А. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 18.08.2024
Число запросов	21752
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)