Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (6)

БД "Статьи" (100)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=расщепление<.>)

Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-47

Использование эффекта электромагнитно индуцированной прозрачности для измерения суперсверхтонкого расщепления уровней ионов редкоземельных металлов, допированных\ в оптические кристаллы [Текст] / Р. А. Ахмеджанов [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 9. - С. 646-650

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитно индуцированная прозрачность -- суперсверхтонкое расщепление -- оптические кристаллы -- параметры резонансов
Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического исследований режима электромагнитно индуцированной прозрачности на переходе \{4\}I[9/2] - \{4\}G[5/2] ионов Nd\{3+\}, допированных в LaF[3]. На основе полученных результатов найдено суперсверхтонкое расщепление верхних и нижних рабочих уровней. Анализ экспериментальных данных позволил построить теоретическую модель, адекватно описывающую параметры резонансов электромагнитно индуцированной прозрачности.

Доп.точки доступа:
Ахмеджанов, Р. А.; Бондарцев, А. А.; Гущин, Л. А.; Жарова, Н. А.

Найти похожие

Электрополевые эффекты в спектре ЭПР низкоспинового центра Ni{3+} в кристалле KTaO[3] [Текст] / Л. С. Сочава [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2157-2160. - Библиогр.: с. 2160 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дипольный момент -- никель -- расщепление резонансных линий -- спектры ЭПР -- тетрагональные центры -- электронный парамагнитный резонанс -- электрополевые эффекты -- ЭПР
Аннотация: Исследование электрополевых эффектов в спектре ЭПР низкоспинового (S = 1/2) тетрагонального центра Ni{3+} в монокристаллах KTaO[3]позволило обнаружить как расщепление резонансных линий, так и ориентирование центров из-за взаимодействия внешнего поля с электрическим дипольным моментом центра. Определена величина дипольного момента: p = 100D = 21 eA. Анализ совокупности полученных экспериментальных результатов дал возможность сделать обоснованный выбор микроскопических моделей для двух центров никеля в кристалле KTaO[3] из ряда моделей, обсуждавшихся в литературе.

Доп.точки доступа:
Сочава, Л. С.; Басун, С. А.; Бурсиан, В. Э.; Раздобарин, А. Г.; Evans, D. R.

Найти похожие

Поправка [Текст] / С. Г. Каршенбойм [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 4. - С. 240-241

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
поправки -- мюонный водород -- сверхтонкое расщепление -- фотонные кристаллы
Аннотация: Приведены поправки к статьям: С. Г. Каршенбойм, Е. Ю. Корзинин, В. Г. Иванов "Сверхтонкое расщепление в мюонном водороде: КЭД поправки порядка альфа\{2\}" (2008, Т. 88, вып. 10, С. 737) ; В. В. Абрамова, А. С. Синицкий, Ю. Д. Третьяков "Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны" (2007, Т. 86, вып. 5, С. 370).

Доп.точки доступа:
Каршенбойм, С. Г. \.\; Корзинин, Е. Ю. \.\; Иванов, В. Г. \.\; Абрамова, В. В. \.\; Синицкий, А. С. \.\; Третьяков, Ю. Д. \.\

Найти похожие

Гуревич, В. Л.
Расщепление уровней в полумагнитных полупроводниках в условиях спин-магнетофононного резонанса [Текст] / В. Л. Гуревич, М. И. Мурадов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 455-460. - Библиогр.: с. 459-460 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
полумагнитные полупроводники -- спин-магнетофононный резонанс -- расщепление уровней энергии электрона -- квантовые ямы -- зеемановское расщепление спиновых уровней -- резонансное взаимодействие электронов проводимости
Аннотация: Теоретически рассмотрено расщепление уровня энергии электрона в квантовых ямах на основе полумагнитных полупроводников, которые обычно характеризуются большими эффективными g-факторами. В них оказывается возможным резонанс при условии, что зеемановское расщепление спиновых уровней равно энергии продольного оптического фонона hw[||]. Условие резонанса имеет вид hw[||] = gмю[B]B. Этому условию можно удовлетворить, подбирая магнитное поле B так, чтобы энергия низшего спинового уровня плюс оптический фонон совпадала с энергией высшего уровня. Показано, что должно иметь место взаимное "отталкивание" этих двух вырожденных уровней энергии. Величина соответствующего расщепления зависит как от электрон-фононного, так и от спин-орбитального взаимодействия в полупроводниках: она оказывается гораздо меньше зеемановской энергии gмю[B]B.

Доп.точки доступа:
Мурадов, М. И.

Найти похожие

Анализ возможности спин-орбитальной природы расщепления поверхностных состояний в тонких слоях Mg (0001) на поверхности W (110) и Mo (110) [Текст] / А. М. Шикин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 572-583. - Библиогр.: с. 583 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкие слои -- магниевые пленки -- спиновое расщепление -- спиновая поляризация -- спектры квантовых состояний
Аннотация: В системе магниевых пленок с толщинами от субмонослойных до нескольких десятков атомных слоев на монокристалле W (110) наблюдается зависящее от толщины пленки расщепление состояний, локализованных энергетически вблизи поверхностного состояния магния. В литературе имеется несколько моделей, описывающих природу данного расщепления: в одном случае как индуцированное подложкой спин-орбитальное расщепление, в другом --- как формирование невырожденных пар поверхностных четных и нечетных состояний за счет их глубокого проникновения в объем пленки. Предлагаемые модели основаны на исследованиях пленок с толщиной более пяти монослоев. Проведено сравнительное исследование систем Mg/W (110) и Mg/Mo (110) для пленок магния различной толщины, начиная с субмонослойных, которое не подтвердило спин-орбитальной природы данного расщепления и позволило сделать вывод о формировании на границе подложка--пленка гибридизированных межфазных состояний, а их изменение с толщиной объяснить как обусловленное изменением вклада магниевых поверхностных состояний.

Доп.точки доступа:
Шикин, А. М.; Марченко, Д. Е.; Виноградов, Н. А.; Прудникова, Г. В.; Рыбкин, А. Г.; Адамчук, В. К.; Rader, O.

Найти похожие

Маркосов, М. С.
Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / М. С. Маркосов, Р. П. Сейсян // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 656-661

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экситонное поглощение -- линии экситонного поглощения -- квазибинарные растворы -- деформационное расщепление -- экситонные поляритоны
Аннотация: Выполнен анализ ширины линии основного состояния экситонного поглощения в квазибинарных твердых растворах Al[x]Ga[1-x]As (x=0. 15) высокого совершенства по экспериментальным данным работы Сейсяна и др. (2005). Спектральное разложение линии 1s состояния выполнено с учетом деформационного расщепления, составляющих поглощения с лоренцевым и гауссовым контурами и перекрытия с уширяющимся при повышении температуры континуумом состояний. В связи с видом температурной зависимости поглощения, характерным для экситонных поляритонов в средах с пространственной дисперсией, выполнен анализ интегрального поглощения, с критическим значением параметра диссипативного затухания экситона Гамма[c]=0. 32 мэВ и поглощением насыщения K[max]=89. 5 эВ/см, позволяющий выделить однородную составляющую уширения, которая вплоть до критической температуры T[c]=155 К не превышает 0. 2 мэВ. Найдено, что "естественная" ширина линии 1s-экситона не превышает 2. 6 мэВ (при T=1. 7 К), что согласуется с теоретическими оценками.

Доп.точки доступа:
Сейсян, Р. П.

Найти похожие

Аномальное спиновое расщепление электронов в квантовых точках II типа InSb в матрице InAs [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 662-666

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спиновое расщепление -- аномальное спиновое расщепление -- магнитооптические исследования -- магнитофотолюминесценция -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Проведены магнитооптические исследования гетероструктур с квантовыми точками II типа InSb в матрице InAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено необычное поведение магнитофотолюминесценции из квантовых точек, измеренной в геометрии Фарадея, в образцах с множественными плоскостями квантовых точек. В частности, пик с сигма\{-\}-поляризацией, отвечающей оптическим переходам электронов с s=+1/2, имеет большую энергию, чем сигма\{+\}-пик, соответствующий s=-1/2, что противоречит отрицательной величине электронного g-фактора как в матрице InAs, так и в квантовой точке InSb. Эффект объясняется соревнованием двух каналов излучательной рекомбинации, различающихся начальными состояниями электронов, принадлежащих либо квантовым точкам InSb, либо мелким донорам в матрице InAs.

Доп.точки доступа:
Терентьев, Я. В.; Люблинская, О. Г.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В.

Найти похожие

Алексеев, П. С.
Аналитическая теория анизотропии зоны проводимости \ A[3]B[5]-полупроводников в сильном магнитном поле [Текст] / П. С. Алексеев // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 2. - С. 111-115

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
зона проводимости -- полупроводники -- слагаемое Дрессельхауза -- Дрессельхауза слагаемое -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- анизотропия зоны проводимости -- ультраквантовое магнитное поле -- расщепление линий
Аннотация: Изучены поправки от кубического по волновому вектору K\{3\}-слагаемого Дрессельхауза к энергиям основного и первого уровней Ландау электронов в A[3]B[5]-полупроводниках. Найденные поправки вместе с ранее известными поправками за счет K\{4\}-членов в гамильтониане электрона дают полное аналитическое описание анизотропии вершины зоны проводимости A[3]B[5]-полупроводников в ультраквантовом магнитном поле. Проведенный анализ экспериментальных данных по расщеплению линии циклотронного резонанса в GaAs подтверждает реальность изученного механизма анизотропии.

Найти похожие

Макаров, И. А.
Перестройка поверхности Ферми ВТСП купратов в сильном магнитном поле [Текст] / И. А. Макаров, С. Г. Овчинников, Е. И. Шнейдер // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 12. - С. 736-741

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поверхность Ферми -- Ферми поверхность -- ВТСП купраты -- электронная структура -- зеемановское расщепление -- расщепление зеемановское -- спиновые корреляционные функции -- дырочные карманы -- парамагнитная фаза -- ферромагнитная фаза -- квантовые фазовые переходы
Аннотация: Рассматривается влияние сильного магнитного поля на электронную структуру ВТСП купратов. Исследование проводится в рамках t-t'-t''-J* модели, при этом эффект действия сильного магнитного поля учтен не только в виде зеемановского расщепления одноэлектронных уровней, но также в числах заполнения состояний с разными проекциями спина и в формировании спиновых корреляционных функций. Поле считается настолько сильным, что все спины выстраиваются по полю. В результате получена перестройка поверхности Ферми от четырех дырочных карманов вокруг нодальной точки (пи/2, пи/2) в парамагнитной фазе к большому дырочному карману вокруг (пи, пи) в ферромагнитной фазе. По мере уменьшения величины магнитного поля был обнаружен ряд квантовых фазовых переходов, проявляющихся в изменении топологии поверхности Ферми.

Доп.точки доступа:
Овчинников, С. Г.; Шнейдер, Е. И.

Найти похожие

10.

Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы [Текст] / Б. А. Андреев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 6. - С. 501-504

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- валентная подзона -- акцепторы -- изотопический эффект -- спин-орбитальное расщепление -- валентная зона кремния
Аннотация: Обнаружена зависимость энергии переходов в резонансные состояния акцепторов под спин-отщепленной валентной подзоной от изотопного состава матрицы кремния. Получена оценка изотопического эффекта для спин-орбитального расщепления валентной зоны кремния.

Доп.точки доступа:
Андреев, Б. А.; Ежевский, А. А.; Абросимов, Н. В.; Сенников, П. Г.; Поль, Х. -Й.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-47

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	70627
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)