Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (3)

БД "Статьи" (17)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=рассеяние электронов<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Михеев, В. М.
Подвижность двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов [Текст] / В. М. Михеев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1770-1779. - Библиогр.: с. 1779 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двумерные электроны -- корреляционные эффекты -- модель твердых шаров -- подвижность электронов -- примесные центры -- пространственные корреляции -- рассеяние электронов
Аннотация: Модель твердых сфер прилагается к описанию корреляционных эффектов в подвижности двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов. Теория развита для случая частично ионизированных примесных центров, когда корреляции в распределении примесных ионов ослаблены вследствие дефицита свободных мест для примесных дырок. Вычисления выполнены для случая гетероструктур с широким спейсером, когда преобладает рассеяние электронов на малые углы.

Найти похожие

Баширов, Р. И.
Рассеяние электрона с переворотом спина в антимониде и арсениде индия [Текст] / Р. И. Баширов, М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 643-645. - Библиогр.: с. 645 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рассеяние электронов -- рассеяние электронов с переворотом спина -- антимонид индия -- арсенид индия -- продольное магнетосопротивление -- квантовые осцилляции
Аннотация: С целью определения области температур и величины магнитного поля, при которых происходит рассеяние носителей тока с переворотом поля, при которых происходит рассеяние ностителей тока с переворотом спина в электронных арседине и антимониде индия, исследовано продольное магнетосопротивление в области температур 2. 8 - 200 К и в магнитном поле до 200 kОе. Установлено, что в квантовых осцилляциях продольного магнетосопротивления аренида индия в области температур 4-35 К. и в магнитном поле 146 kОе наблюдаются слабые нулевые максимумы, обусловленные рассеянием электронов с переворотом спина. На продольном магнетосопротивлении антимонида индия нулевые максимумы, обусловленные рассеянием электронов с переворотом спина, обнаруживаются в области температур 60-80 К и в магнитном поле 132 kОе.

Доп.точки доступа:
Гаджиалиев, М. М.; Пирмагомедов, Э. Ш.

Найти похожие

Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1217-1221 : ил. - Библиогр.: с. 1220-1221 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- GaAs -- электроны -- рассеяние -- рассеяние электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дрейфовая скорость -- фононы -- оптические фононы
Аннотация: Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой мы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале.

Доп.точки доступа:
Пожела, Ю.; Пожела, К.; Рагуотис, Р.; Юцене, В.

Найти похожие

Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения
Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров.

Доп.точки доступа:
Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С.

Найти похожие

Пагава, Т. А.
Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость
Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов.

Доп.точки доступа:
Майсурадзе, Н. И.

Найти похожие

Козлов, В. А.
Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1547-1551. : ил. - Библиогр.: с. 1551 (7 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- электроны -- гетеробарьеры -- полупроводниковые барьеры -- туннельный ток -- нанометровые неоднородности -- неоднородности -- волновые функции -- рассеяние электронов -- рассеиватели -- вихревые токовые структуры
Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры.

Доп.точки доступа:
Вербус, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Amusia, M. Ya.
Qualitative difference between the angular anisotropy parameters in fast electron scattering and photoionization [Text] / M. Ya. Amusia, L. V. Chernysheva, E. Z. Liverts // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 466-471.

УДК

^a535

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
рассеяние электронов -- электроны -- фотоионизация -- анизотропия

Доп.точки доступа:
Chernysheva, L. V.; Liverts, E. Z.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Дубов, Виктор Викторович.
Резонансное рассеяние электронов поверхностью полупроводника с естественными неоднородностями [Текст] / В. В. Дубов, В. В. Кораблев, М. Ш. Сугаипов // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2013. - № 1 (165). - С. 101-107 : граф. - Библиогр.: с. 107 (8 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
поверхностные резонансы -- рассеяние электронов -- резонансное рассеяние -- полупроводники -- естественные неоднородности
Аннотация: Рассмотрено влияние естественных неоднородностей поверхности полупроводника на характеристики поверхностного резонансного рассеяния электронов промежуточных энергий. Показано, что процессы резонансного поверхностного рассеяния являются чувствительными к неоднородностям поверхностного потенциала.The effect of different types of natural nonuniformities of the semiconductor surface on the characteristics of the surface resonance scattering of electrons at intermediate energies has been considered. It was shown that the processes of resonance surface scattering were sensitive to nonuniformities of surface potential.

Доп.точки доступа:
Кораблев, Вадим Васильевич (1941-); Сугаипов, Молды Шадидович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 28.08.2024
Число запросов	3352
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)