Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

БД "Статьи" (26)

Труды АМГУ (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=радиационные дефекты<.>)

Общее количество найденных документов : 28
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-28

Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение
Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки.

Доп.точки доступа:
Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З.

Найти похожие

Арбузова, Т. И.
Релаксация радиационных дефектов в CuO [Текст] / Т. И. Арбузова, C. В. Наумов, В. Л. Арбузов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 8. - С. 478-482

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- поликристаллы -- нанокерамика -- восприимчивость -- ферромагнитные поляроны -- антиферромагнитная матрица
Аннотация: Изучена релаксация радиационных дефектов в облученных электронами дозой F=5·10\{18\} см\{-2\} поликристалле CuO и нанокерамике с размером частиц d=15 нм. В облученных образцах наблюдается сильное увеличение восприимчивости при понижении T меньше 150 К, что связано с образованием вблизи дефектов ферромагнитных поляронов в антиферромагнитной матрице. Нарушение структурной симметрии приводит к нестабильному состоянию образцов. Проведено сравнение временных изменений магнитных свойств в образцах CuO, полученных разными методами.

Доп.точки доступа:
Наумов, C. В.; Арбузов, В. Л.

Найти похожие

Аномальные магнитные свойства облученного электронами антиферромагнитного монооксида меди [Текст] / Т. И. Арбузова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 904-910. - Библиогр.: с. 910 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
монооксид меди -- антиферромагнитный монооксид меди -- радиационные дефекты -- электронное облучение -- магнитный момент -- спонтанный магнитный момент
Аннотация: Исследовано влияние радиационных дефектов на магнитные свойства поликристалла CuO и плотной нанокерамики с размером кристаллитов d=5 и 15 nm в области T=77-300 K. Электронное облучение флюенсом Ф= 5*10{18} cm{-2} привело к аномальному для 3D-антиферромагнетиков повышению восприимчивости хи около 1/T ниже 150 K. Нелинейня зависимость намагниченности в слабых полях, увеличение магнитного момента при понижении температуры и спонтанный магнитный момент в области T < 150 K объясняются локальными изменениями обменных параметров и образованием кластеров с некомпенсированным магнитным моментом в антиферромагнитной матрице вблизи точечных дефектов.

Доп.точки доступа:
Арбузова, Т. И.; Наумов, С. В.; Арбузов, В. Л.; Дружков, А. П.

Найти похожие

Александров, О. В.
Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение
Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема.

Доп.точки доступа:
Козловский, В. В.

Найти похожие

Пагава, Т. А.
Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si
Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза.

Доп.точки доступа:
Майсурадзе, Н. И.

Найти похожие

Пагава, Т. А.
Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость
Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов.

Доп.точки доступа:
Майсурадзе, Н. И.

Найти похожие

Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 6. - С. 10-17. - Библиогр.: с. 16-17 (35 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия-ртути -- радиационные дефекты -- фотодетектор -- ионная имплантация
Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по процессам радиационного дефектообразования в КРТ, выращенном объемными и эпитаксиальными методами. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры материала обучения Y-квантами, электронами и ионами.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Надатомная структура радиационных дефектов в синтетическом кварце по данным рассеяния нейтронов [Текст] / В. М. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 5. - С. 937-941. - Библиогр.: с. 941 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- синтетический кварц -- рассеяние нейтронов -- метод малоуглового рассеяния нейтронов -- облучение нейтронами
Аннотация: Методом малоуглового рассеяния нейтронов исследована наносторуктура образцов синтетического кварца, облученных быстрыми нейтронами реактора с энергией E[n]>0. 1 MeV. Флюенсы составляли от 10{17} до 2x10{20} n/cm{2}. В облученных образцах кварца начиная с флюенса 10{17} n/cm{2} по всему его объему наблюдаются точечные, протяженные (дислокационные петли) и объемные дефекты --- тепловые пики радиусом до 50 nm. Общая доля образовавшихся дефектных областей, где вещество находится в некристаллическом состоянии, при флюенсе 2x10{20} n/cm{2} превышает 10% объема образца. Получены данные об образовании в этом образце кварца метамиктной стеклообразной фазы.

Доп.точки доступа:
Лебедев, В. М.; Лебедев, В. Т.; Орлов, С. П.; Певзнер, Б. З.; Толстихин, И. Н.; Torok, Gy.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 7. - С. 32-37. . - Библиогр.: с. 37 (37 назв. )

УДК

^a621.315.55/.58

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- радиационно-стойкие приборы -- приборы с накоплением заряда
Аннотация: Проведен обзор имеющихся данных по радиационной стойкости приборов с накоплением заряда. Рассмотрено влияние облучения y-квантами, нейтронами, электронами и протонами на образование радиационных дефектов в различных типах приборов с накоплением заряда и изменение их характеристик.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 807-816. : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий
Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C.

Доп.точки доступа:
Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-28

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	41188
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)