Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=приборно-технологическое моделирование<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний? на? изоляторе [Текст] / К. О. Петросянц [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 2. - С. 81-83 : рис. - Библиогр.: с. 83 (8 назв. )

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
поглощенная доза -- транзисторы -- ток утечки -- приборно-технологическое моделирование -- радиационные токи
Аннотация: Представлены результаты трехмерного приборно-технологического моделирования радиационных токов утечки в частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой кремний-на-изоляторе (КНИ).

Доп.точки доступа:
Петросянц, Константин Орестович; Орехов, Евгений Вадимович; Самбурский, Лев Михайлович; Харитонов, Игорь Анатольевич; Ятманов, Ятманов
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Крупкина, Татьяна Юрьевна.
Анализ распределения заряда в интегральных наноразмерных КМДП-структурах [Текст] / Т. Ю. Крупкина, Д. В. Родионов // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 4. - С. 89-90. : рис. - Библиогр.: с. 90 (3 назв. )

УДК

^a621.382

^a621.38

ББК 32.852 + 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанотранзисторные структуры -- конструирование -- нанотехнологии -- подложка -- приборно-технологическое моделирование
Аннотация: О конструировании нанотранзисторных структур.

Доп.точки доступа:
Родионов, Денис Владимирович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прециозионного контроля перемещений микромеханических элементов [Текст] / А. В. Козлов [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 19-20. . - Библиогр.: с. 20 (6 назв. )

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Кл.слова (ненормированные):
приборно-технологическое моделирование -- биполярный магнитотранзистор -- магнитотранзисторы -- прецизионный контроль
Аннотация: С использованием приборно-технологического моделирования и в процессе экспериментальных исследований установлено, что относительная по токе чувствительность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора определяется расположением электродов, легированием кармана, служащего базой, схемой включения с общим потенциалом базы и подложки, режимом работы вблизи насыщения, значением сопротивления нагрузки коллекторов.

Доп.точки доступа:
Козлов, А. В.; Королев, М. А.; Поломошнов, С. А.; Тихонов, Р. Д.; Черемисинов, А. А.; Шаманаев, С. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Дудар, Н. Л.
Приборно-технологическое моделирование и исследование экспериментальных образцов кремниевого стабилитрона [Текст] / Н. Л. Дудар, В. М. Борздов, А. С. Турцевич // Инженерно-физический журнал. - 2014. - Т. 87, № 4. - С. 961-965 : 5 рис. - Библиогр.: с. 965 (4 назв. ) . - ISSN 0021-0285

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
стабилитрон -- напряжение стабилизации -- приборно-технологическое моделирование -- технологический маршрут -- диффузионное легирование
Аннотация: Предложена технология изготовления кремниевого стабилитрона с напряжением стабилизации 6. 5 В. Определены удельное сопротивление подложки и режим диффузии фосфора в подложку, обеспечивающие требуемые значения напряжения стабилизации в условиях комнатной температуры и при двух граничных температурах -55 и 150 °С. Проведено сравнение данных моделирования с результатами эксперимента.

Доп.точки доступа:
Борздов, В. М.; Турцевич, А. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.09.2024
Число запросов	27818
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)