Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=потенциальные ямы<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Лебедев, А. И.
Параметры потенциальной ямы нецентрального атома Ge в твердом растворе GeTe - SnTe [Текст] / А. И. Лебедев, И. А. Случинская // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1077-1085. - Библиогр.: с. 1085 (22 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
метод EXAFS-спектроскопии -- потенциальная яма атома -- потенциальные ямы -- сегнетоэлектрики -- твердые растворы -- трехмерный многоямный потенциал -- фазовые переходы
Аннотация: Предложен подход, позволяющий определить форму трехмерного многоямного потенциала нецентрального атома из данных EXAFS. Параметры потенциальной ямы атома Ge в GeTe и Sn[1-x]Ge[x]Te (x больше или равен 0. 4) определялись в классическом и квантово-механическом приближениях. Глубина потенциальных ям изменялась в пределах 20-40 meV в зависимости от содержания Ge, что указывает на промежуточный характер фазового перехода (между переходами типа смещения и порядок-беспорядок) в этих кристаллах.

Доп.точки доступа:
Случинская, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Нифтиев, Н. Н.
Влияние сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[2], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4] [Текст] / Н. Н. Нифтиев, О. Б. Тагиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1172-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- монокристаллы -- MnGa[2]S[2] -- MnIn[2]S[4] -- MnGaInS[4] -- электропроводность -- электрические поля -- сильные электрические поля -- потенциальные ямы -- энергия активации
Аннотация: Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGa[2]S[4], MnIn[2]S[4] и MnGaInS[4]. Определены энергии активации в сильном и слабом электрических полях. Установлено, что уменьшение энергии активации с ростом внешнего напряжения связано с уменьшением высоты потенциальной ямы, в которой электрон находится.

Доп.точки доступа:
Тагиев, О. Б.

Найти похожие

Особенности проводимости gamma-облученных кристаллов TLGaTe[2] с наноцепочечной структурой [Текст] / Р. М. Сардарлы [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 610-614 : ил. - Библиогр.: с. 614 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- кристаллы -- TLGaTe[2] -- gamma-облученные кристаллы -- электропроводность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- наноцепочечные структуры -- температурная зависимость -- приближение Мотта -- Мотта приближение -- энергия активации -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- эффект Пула - Френкеля -- Пула - Френкеля эффект -- потенциальные ямы -- радиационное воздействие -- наноцепочки
Аннотация: Изучены температурные зависимости электропроводности sigma (T) и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TLGaTe[2], подвергнутых различным дозам gamma-облучения, в обеих геометриях эксперимента - по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла (sigma[II]) и перпендикулярно им (sigma [normal] ). Показано, что зависимость sigma (T), измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний N[F], энергии активации E[a], длины прыжков R, разность между энергиями состояний Delta E вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек N[t]. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула-Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров N[f], длина свободного пробега lambda, значения коэффициента Френкеля beta, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TLGaTe[2]. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.

Доп.точки доступа:
Сардарлы, Р. М.; Самедов, О. А.; Абдуллаев, А. П.; Гусейнов, Э. К.; Салманов, Ф. Т.; Сафарова, Г. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	53256
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)