Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые твердые растворы<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Методика определения экстремумов на изотермах свойств металлических и полупроводниковых твердых растворов [Текст] / А. М. Ховив [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 5. - С. 36-38. - Библиогр.: с. 38 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
методика определения экстремумов -- изотермы свойств твердых растворов -- металлические твердые растворы -- монокристаллы переменного состава -- определение экстремумов -- полупроводниковые твердые растворы -- твердые растворы -- экстремумы
Аннотация: Описана методика определения состава твердого раствора, обладающего экстремальными свойствами, путем выращивания двухкомпонентного монокристалла переменного состава.

Доп.точки доступа:
Ховив, А. М.; Бондарев, Ю. М.; Гончаров, Е. Г.; Клюев, В. В.

Найти похожие

Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y] [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 886-890. : ил. - Библиогр.: с. 889-890 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- полупроводниковые твердые растворы -- GaN[x]As[y]P[1-x-y] -- подложки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектроскопия -- температура жидкого азота -- сравнительный анализ -- спектры фотолюминесценции -- температурные зависимости -- выражение Варшни -- Варшни выражение
Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y], выращенных на поверхности подложки GaP (100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN[x]As[y]P[1-x-y] с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0. 006-0. 012 и 0. 00-0. 18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Пирогов, Е. В.; Павлов, М. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] [Текст] / С. М. Дзядух [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 3-12 : рис., табл. - Библиогр.: c. 11-12 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
CdTe -- CdTe/Al -- HgCdTe -- адмиттанс МДП-структур -- варизонный слой -- вольт-фарадная характеристика -- диэлектрические слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- оксид алюминия -- оптоэлектроника -- пассивирующее покрытие -- полупроводниковые твердые растворы -- проводимость полупроводника -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия/алюминий -- теллурид ртути кадмия
Аннотация: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n (p) -Hg[1-x]Cd[x]Te (при x от 0. 22 до 0. 40) с диэлектриками SiO[2]/Si[3]N[4], Al[2]O[3] и CdTe/Al[2]O[3] при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n-HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al[2]O[3]. Для МДП-структур на основе p-HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника.

Доп.точки доступа:
Дзядух, С. М.; Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Сидоров, Г. Ю.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	1030
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)