Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (14)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые структуры<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

Вибронные и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных моно- и трифталоцианина, содержащих ионы эрбия [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, вып: вып. 12. - С. 791-794

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- комбинационное рассеяние света -- проводимость -- органические полупроводниковые структуры -- монофталоцианин эрбия -- трифталоцианин эрбия
Аннотация: В ходе проведенных исследований получены спектры комбинационного рассеяния света и зависимости проводимости органических полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных монофталоцианина эрбия и трифталоцианина эрбия от температуры.

Доп.точки доступа:
Белогорохов, И. А.; Мартышов, М. Н.; Тихонов, Е. В.; Бреусова, М. О.; Пушкарев, В. Е.; Форш, П. А.; Зотеев, А. В.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением [Текст] / С. В. Булярский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 460-466

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
генерационно-рекомбинационная теория -- полупроводниковые структуры -- туннелирование носителей заряда -- наноразмерные уровни -- легирование полупроводника
Аннотация: Предложена модель обобщенной генерационно-рекомбинационной теории применительно к полупроводникам с наноразупорядочением. Установлено, что применение развитой модели рекомбинации открыло возможности определить параметры, характеризующие локализацию электронных состояний в полупроводниках с различными атомным составов и характером позиционного упорядочения. Показано, что пространственные параметры этой локализации принадлежат нанометровому диапазону и по этой причине основным фактором переноса становится туннелирование носителей заряда, наряду с которым важную роль играют также электронные переходы между разрешенными зонами и состояниями внутри щели подвижности. На основании выполненного исследования сделан вывод о том, что только сочетание обоих факторов обеспечивает полное описание электронных процессов в структурах на полупроводниках с наноразупорядочением.

Доп.точки доступа:
Булярский, С. В.; Рудь, Ю. В.; Вострецова, Л. Н.; Кагарманов, А. С.; Трифонов, О. А.

Найти похожие

Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда [Текст] / Л. А. Бакалейников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 568-573

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеноспектральный микроанализ -- полупроводниковые структуры -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- светодиодные структуры
Аннотация: Описана методика послойного рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда с последующей математической обработкой результатов измерений. Экспериментальные зависимости относительной интенсивности рентгеновского излучения от энергии электронного зонда сравнивались с результатами расчетов методом Монте-Карло. При этом делались априорные предположения о характере распределения концентрации по глубине, а численные параметры распределения отыскивались из условия наилучшего совпадения экспериментальных и расчетных зависимостей. Описанная методика применена для анализа распределения концентрации Al по глубине в образцах SiC и GaN.

Доп.точки доступа:
Бакалейников, Л. А.; Домрачева, Я. В.; Заморянская, М. В.; Колесникова, Е. В.; Попова, Т. Б.; Флегонтова, Е. Ю.

Найти похожие

Деградация интегральных триггеров Шмитта КМОП-логики под воздействием сверхкоротких импульсных перегрузок [Текст] / А. М. Бобрешов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 21-27. - Библиогр.: с. 36 (7 назв. ) . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
триггер Шмитта -- Шмитта триггер -- КМОП-логика -- кмоп-структуры -- электромагнитная совместимость -- импульсные перегрузки -- видеоимпульсы -- сверхкороткие видеоимпульсы -- полупроводниковые структуры -- деградации
Аннотация: Исследована деградация триггера Шмитта КМОП-логики под воздействием сверхкоротких электрических видеоимпульсов (СКИ). Показано, что под воздействием СКИ происходит сужение области неопределенности триггера Шмитта. Проведено моделирование схемы триггера с учетом возможных пробоев МОП-транзисторов, описана экспериментальная установка, позволяющая определять критические параметры воздействия СКИ на микросхемы триггеров и КМОП-структуры.

Доп.точки доступа:
Бобрешов, Анатолий Михайлович; Дыбой, Александр Вячеславович; Разуваев, Юрий Юрьевич; Усков, Григорий Константинович

Найти похожие

Исследование вольт-амперных характеристик структуры n-CdS--p-CdTe с протяженным слоем промежуточного твердого раствора [Текст] / Ш. А. Мирсагатов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1917-1923. - Библиогр.: с. 1923 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- теория дрейфового механизма -- теория дрейфового механизма -- обмен свободными ностителями -- рекомбинационные комплексы -- полупроводниковые структуры
Аннотация: Приведены результаты исследований гетероструктур n-CdS-p-CdTe c протяженным слоем промежуточного твердого раствора, для которого соблюдается соотношение w/L примерно10 (w --- длина базы, L --- диффузионная длина неосновных носителей). Вольт-амперные характеристики таких структур в значительном диапазоне изменений напряжения хорошо описываются степенными закономерностями типа J~ AValpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.

Доп.точки доступа:
Мирсагатов, Ш. А.; Лейдерман, А. Ю.; Айтбаев, Б. У.; Махмудов, М. А.

Найти похожие

Косушкин, В. Г.
Деградация чувствительных элементов полупроводниковых структур как следствие механических напряжений [Текст] / В. Г. Косушкин, С. А. Адарчин, Е. А. Максимова // Наукоемкие технологии. - 2007. - Т. 8. N 4. - С. 38-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (11 назв. ) . - ISSN 1999-8465

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
деградация чувствительных элементов -- чувствительные элементы -- полупроводниковые структуры -- механические напряжения -- температурные напряжения -- полупроводниковые датчики -- физические параметры -- термоциклические воздействия
Аннотация: Определено влияние температурных механических напряжений в чувствительных элементах полупроводниковых датчиков на их основные физические параметры; рассмотрена деградация чувствительных элементов, обусловленная наличием в них механических напряжений, вызванных термоциклическими воздействиями.

Доп.точки доступа:
Адарчин, С. А.; Максимова, Е. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Вареник, Ю. А.
Формирование тестового воздействия для измерения вольт-фарадных характеристик [Текст] / Ю. А. Вареник, Р. М. Печерская // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 6. - С. 17-19. - Библиогр.: с. 19 (3 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a534.8:681.8

ББК 32.87
Рубрики: Радиоэлектроника
электроакустика в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-фарадные характеристики -- МДП-структуры -- полупроводниковые структуры -- тест-сигнал -- импеданс -- преобразователь импеданса
Аннотация: Рассмотрены вопросы формирования тестового воздействия на микро- и нанополупроводниковые структуры при измерении вольт-фарадных характеристик (ВХР). Предложена необычная схема формирователя тест-сигнала на основе принципа мостового включения генераторов и нагрузки. Описан разработанный измерительный модуль на основе предложенной схемы.

Доп.точки доступа:
Печерская, Р. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Новиков, Сергей Геннадьевич.
Моделирование и исследование биполярного транзистора с передаточной N-образной вольт-амперной характеристикой [Текст] / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, И. В. Корнеев // Известия вузов. Электроника. - 2010. - N 4. - С. 14-19. : рис. - Библиогр.: с. 18-19 (5 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
переключающие элементы -- токовые перегрузки -- защита -- отрицательное сопротивление -- негатрон -- полупроводниковые структуры -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Рассмотрен метод реализации встроенной защиты биполярных транзисторов от токовых перегрузок в управляющей цепи на основе комбинации элемента с N-образной ВАХ с биполярным транзистором.

Доп.точки доступа:
Гурин, Нектарий Тимофеевич; Корнеев, Иван Владимирович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Технологический маршрут изготовления наноразмерных ячеек энергонезависимой памяти на фазовых переходах с применением двухлучевой установки NOVANANOLAB 600 [Текст] / Ю. В. Ануфриев [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 11. - С. 26-28. . - Библиогр.: с. 28 (6 назв. )

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
энергонезависимая память -- наноразмерные ячейки -- Dual-beam -- ионный пучек -- матрица памяти -- полупроводниковые структуры
Аннотация: Рассматривается один из возможных способов создания прототипа матрицы ячеек энергонезависимой памяти с использованием DUAL-beam-технологий. Предложенная технология в будущем позволит изготавливать матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах, внедренных в структуру СБИС.

Доп.точки доступа:
Ануфриев, Ю. В.; Зенова, Е. В.; Кондратьев, П. К.; Рачников, Д. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Кукушкин, В. А.
Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения [Текст] / В. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1483-1488. : ил. - Библиогр.: с. 1488 (26 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- инфракрасное излучение -- терагерцовое излучение -- лазеры -- сверхрешетки -- квантовые ямы -- электромагнитное поле -- волноводы -- комнатная температура -- фундаментальные исследования -- безынверсные усилители
Аннотация: Предложена схема усилителя или лазера дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наноструктуре - сверхрешетке из двойных квантовых ям определенной архитектуры, помещенной в планарный металлический волновод и накачиваемой излучением CO[2]-лазера. Данная схема основана на безынверсном механизме усиления электромагнитного поля, который позволяет перейти к работе при комнатной температуре (в импульсном режиме) и значительно (более чем в 1. 7 раза) менять частоту выходного излучения с помощью простого варьирования интенсивности накачки. Основанный на такой схеме лазер может стать удобным и легко перестраиваемым источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучения как для фундаментальных исследований, так и для различных практических приложений.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-19

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	43099
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)