Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Выпускные квалификационные работы (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые свойства<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Пашинкин, Андрей Сергеевич.
Теплоемкость твердого теллурида висмута [Текст] / А. С. Пашинкин, А. С. Малкова, М. С. Михайлова // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 80-81. - Библиогр.: с. 81 (12 назв. )

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
теплоемкость -- полупроводниковые свойства -- температурная зависимость -- теллурид висмута
Аннотация: В работе исследована теплоемкость теллурида висмута в интервале 733-923 К.

Доп.точки доступа:
Малкова, Антонина Семеновна; Михайлова, Мария Сергеевна

Найти похожие

Басалаев, Ю. М.
Энергетическая зонная структура кристаллов Be-(C, Si, Ge, Sn)-N[2] [Текст] / Ю. М. Басалаев, Н. И. Гордиенок // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 5. - С. 140-146 : рис., табл. - Библиогр.: c. 146 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
высокопрочность -- динитриды -- кубический нитрид бора -- моделирование кристаллической структуры -- полупроводниковые свойства -- строение кристаллов -- халькопирит -- электронная плотность кристаллов -- электронная структура кристаллов -- электронное строение кристаллов
Аннотация: В рамках теории функционала плотности с использованием приближения B3LYP для кристаллов BeMN[2] (M = C, Si, Ge, Sn) с решеткой халькопирита выполнены модельные расчеты электронной структуры, получены равновесные параметры кристаллической решетки, вычислены зонные спектры, плотности состояний и плотности распределения заряда. Установлено, что BeCN[2] является сильно сжатым вдоль тетрагональной оси (гамма = 1. 868) и псевдопрямозонным кристаллом, тогда как BeSiN[2], BeGeN[2] и BeSnN[2] являются растянутыми (гамма > 2) и прямозонными кристаллами с шириной запрещенной зоны, равной соответственно 7. 34, 5. 71, 5. 07 и 3. 24 эВ.

Доп.точки доступа:
Гордиенок, Н. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 01.08.2024
Число запросов	10280
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)