Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (8)

БД "Статьи" (26)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые лазеры<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-22

Малышев, Владимир Александрович.
Учет влияния шума спонтанного излучения в модели устойчивости стационарной генерации полупроводниковых инжекционных лазеров [Текст] / В. А. Малышев, Н. А. Михайлов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 5. - С. 18-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (8 назв. )

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- спонтанные излучения -- инжекционные лазеры -- валентные зоны -- зоны проводимости -- уровни
Аннотация: Найдены и проанализированы условия реализации устойчивых и неустойчивых режимов стационарной генерации инжекционных полупроводниковых лазеров с учетом влияния спонтанного излучения.

Доп.точки доступа:
Михайлов, Николай Александрович

Найти похожие

Алферов, Жорес Иванович (ученый-физик, лауреат Нобелевской премии).
К солнечному веку [Текст] / Ж. И. Алферов ; Н. Метельская // Экология - XXI век: наука и политика. - 2007. - Т. 7, N 6 (45). - С. 75-79

ГРНТИ	29.33.01
УДК	^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
интервью -- ученые -- нобелевские лауреаты -- научные исследования -- физические науки -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры -- наукоемкие отрасли промышленности -- человеческий потенциал
Аннотация: Ответы Ж. И. Алферова на вопросы корреспондента газеты "Завтра" Н. Метельской.

Доп.точки доступа:
Метельская, Н. \.\

Найти похожие

Корюкин, И. В.
Динамика многомодового полупроводникового лазера с оптической обратной связью [Текст] / И. В. Корюкин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 405-411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- хаотическая несущая -- низкочастотные флуктации интенсивности -- пространственные решетки инверсии -- уравнения Танга-Статца-ДеМарса -- Танга-Статца-ДеМарса уравнения
Аннотация: Предложена новая модель многомодового по продольному индексу полупроводникового лазера со слабой внешней оптической обратной связью. Модель основана на обобщении известных уравнений Танга-Статца-ДеМарса, полученных из первых принципов и хорошо описывающих твердотельные лазеры, на случай полупроводникового рабочего вещества. Найдены стационарные состояния полученной модели и спектр релаксационных колебаний, исследована динамика рассматриваемого лазера в хаотическом режиме низкочастотных флуктуаций интенсивности. Установлено, что динамические свойства предлагаемой модели в значительной степени определяются диффузией носителей, управляющей взаимодействием мод в активной среде через размытие пространственных решеток инверсии. Проведено сравнение полученных результатов с предсказаниями ранее использовавшихся полуфеноменологических моделей, и найдены области применимости этих моделей.

Найти похожие

Тер-Мартиросян, А. Л. (генеральный директор ЗАО "Полупроводниковые приборы"; кандидат технических наук).
Полупроводниковые приборы [Текст] / А. Л. Тер-Мартиросян // Инновации. - 2008. - N 6. - С. 101-104 : фот.

УДК

^a621.315.592

^a338.45

Полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1. 3 мкм на квантовых точках с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации (0. 2 нм/К) [Текст] / Л. Я. Карачинский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 708-713

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- полупроводниковые лазеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- активная область -- многослойный интерференционный отражатель -- волноводы
Аннотация: Созданы и исследованы лазеры спектрального диапазона 1. 3 мкм на структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs. В схеме резонатора использован многослойный интерференционный отражатель, приводящий к тому, что высокий фактор оптического ограничения и низкие потери на утекание реализуются только для света, распространяющегося под определенным углом и, следовательно, имеющего строго определенную длину волны. Показано, что за счет использования такой конструкции волновода температурный сдвиг длины волны лазерной генерации составляет 0. 2 нм/K, что в 2. 5 раза меньше, чем в лазерах на квантовых точках со стандартной конструкцией волновода. Лазеры с шириной полоскового контакта W=10 мкм показали пространственно-одномодовое излучение, что подтверждает преимущества предложенной оригинальной конструкции оптического волновода.

Доп.точки доступа:
Карачинский, Л. Я.; Новиков, И. И.; Шерняков, Ю. М.; Гордеев, Н. Ю.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Михрин, С. С.; Лифшиц, М. Б.; Щукин, В. А.; Копьев, П. С.; Леденцов, Н. Н.; Бимберг, Д.

Найти похожие

Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 246-250 : ил. - Библиогр.: с. 249-250 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- активная область гетероструктур -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- расширенные волноводы -- квантовая эффективность -- оптические излучения -- мощности -- фотолюминесценция -- квантовые ямы -- дефекты -- плотность тока -- температурная чувствительность -- квантовый выход -- лазерные характеристики
Аннотация: Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность пороговой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются с увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxGa1-xAs в активной области.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 251-255 : ил. - Библиогр.: с. 255 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- асимметричные лазерные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- твердые растворы -- эпитаксиально-интегрированные лазеры -- туннельно-связанные лазеры -- оптические потери -- мезаполосковые лазеры -- апертура -- дифференциальные сопротивления -- плотность тока -- генерация -- ватт-амперные характеристики -- мощности
Аннотация: Выбраны параметры конструкции эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения. Определены технологические режимы изготовления таких гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. Показана возможность изготовления в одном технологическом процессе высокоэффективных туннельных структур GaAs: Si/GaAs: C и асимметричных лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с малыми внутренними оптическими потерями. Выбраны условия формирования глубокой мезы для изготовления мезаполосковых многомодовых лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных лазерных гетероструктур. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150x12 мкм. В образцах достигнуты значения плотности порогового тока J[th]=96 А/см{2}, внутренние оптические потери alpha[i]=0. 82 см{-1} и дифференциальное сопротивление R=280 мОм. В импульсном режиме генерации (100 нс, 1 кГц) в образцах, содержащих три лазерные структуры, получен наклон ватт-амперной характеристики 3 Вт/А и максимальная мощность 250 Вт.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Коняев, В. П.; Ладугин, М. А.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Петрунов, А. Н.; Пихтин, Н. А.; Симаков, В. А.; Слипченко, С. О.; Сухарев, А. В.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах [Текст] / С. О. Слипченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 688-693 : ил. - Библиогр.: с. 692-693 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- ватт-амперные характеристики -- температурная делокализация -- делокализация -- асимметричные гетероструктуры -- носители заряда -- волноводы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- квантовые ямы -- излучательные характеристики
Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик лазерных диодов на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом. Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры является увеличение концентрации носителей заряда в волноводном слое. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту величины внутренних оптических потерь и падению внешней дифференциальной квантовой эффективности. Продемонстрировано, что степень делокализации носителей заряда зависит от температурного распределения носителей заряда, пороговой концентрации и глубины квантовой ямы. Рассмотрено влияние толщины и энергетической глубины квантовой ямы на температурную чувствительность порогового тока и выходной оптической мощности.

Доп.точки доступа:
Слипченко, С. О.; Шашкин, И. С.; Вавилова, Л. С.; Винокуров, Д. А.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Подоскин, А. А.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Паращук, В. В.
Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера [Текст] / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 1. - С. 82-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (11 назв. ). . - ISSN 1684-8519

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- стримерные лазеры -- предельные режимы -- оптимизация режимов -- электрические поля -- оптические поля -- стримерные разряды -- широкозонные полупроводники -- спектроскопические свойства -- активные среды -- люминесцентные характеристики -- повышение эффективности лазеров -- стримерное свечение
Аннотация: Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa[2]S[4]: Eu, Ca[4]Ga[2]S[7]: Eu.

Доп.точки доступа:
Русаков, К. И.; Джаббаров, Р. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора [Текст] / А. Н. Петрунов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 817-821. : ил. - Библиогр.: с. 820-821 (17 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- гетероструктуры -- асимметричные гетероструктуры -- волноводы -- сверхтолстые волноводы -- твердые растворы -- AlGaAs/GaAs -- лазерные диоды -- полупроводниковые лазеры -- импульсные лазеры -- лазеры -- резонатор Фабри - Перо -- Фабри - Перо резонатор
Аннотация: Разработаны и созданы методом МОС-гидридной эпитаксии асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом на основе системы твердых растворов AlGaAs/GaAs, позволяющие получать излучение на длине волны 905 нм. Внутренние оптические потери и внутренний квантовый выход полупроводниковых лазеров, изготовленных на основе таких структур, составили 0. 7 см{-1} и 97% соответственно. Показано, что в импульсном режиме для лазерных диодов с просветляющими, SiO[2], и отражающими, Si/SiO[2], покрытиями, нанесенными на необработанные грани резонатора Фабри-Перо, полученные сколом в атмосфере кислорода, максимальная выходная оптическая мощность достигала 67 Вт и ограничивалась разрушением зеркал. Обработка граней резонатора Фабри-Перо путем травления в плазме аргона и формирование покрытий с пассивирующими и блокирующими кислород слоями GaN, Si[3]N[4] позволили увеличить максимальную выходную оптическую мощность до 120 Вт. При достигнутом уровне выходной оптической мощности разрушение зеркал отсутствовало.

Доп.точки доступа:
Петрунов, А. Н.; Подоскин, А. А.; Шашкин, И. С.; Слипченко, С. О.; Пихтин, Н. А.; Налет, Т. А.; Фетисова, Н. В.; Вавилова, Л. С.; Лютецкий, А. В.; Алексеев, П. А.; Титков, А. Н.; Тарасов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	24232
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)