Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (10)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые кристаллы<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-13

Дубинин, С. Ф.
Наноразмерные деформации решетки в кристалле ZnSe, легированном 3d-элементами [Текст] / С. Ф. Дубинин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1177-1182. - Библиогр.: с. 1182 (16 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диффузное рассеяние -- метод дифракции тепловых нейтронов -- наноразмерные деформации решетки -- наноразмерные сдвиговые смещения -- полупроводниковые кристаллы -- эффект Ян-Теллера -- Ян-Теллера эффект
Аннотация: Методом дифракции тепловых нейтронов впервые исследовалось структурное состояние полупроводниковых кристаллов Zn[1-x]V{2+}[x]Se (x=0. 0018) и Zn[1-x]Cr{2+}[x]Se (x=0. 0006) при 300 и 120 K. Обнаружено, что дифракционные картины кристаллов содержат области диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений исходной кубической решетки. Результаты эксперимента обсуждаются во взаимосвязи с ранее полученной информацией по дифракции нейтронов и распространению ультразвука в соединениях Zn[1-x]Ni{2+}[x]Se (x=0. 0025), Zn[1-x]Cr{2+}[x]Se (x=0. 0029). Показано, что диффузное рассеяние обусловлено наноразмерными сдвиговыми деформациями решетки ZnSe, типы которых определяют ян-теллеровские 3d-ионы.

Доп.точки доступа:
Соколов, В. И.; Теплоухов, С. Г.; Пархоменко, В. Д.; Гудков, В. В.; Лончаков, А. Т.; Жевстовских, И. В.; Груздев, Н. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Технологические предложения [Текст] // Инновации. - 2007. - N 5. - С. . 100-102

УДК

^a62.001.8

ББК 30ф
Рубрики: Техника--Техническая информация
Кл.слова (ненормированные):
гамма-излучения -- радиоактивные отходы -- блоки детектирования -- таможенный контроль -- прокатные станы -- фольга -- прецизионные полосы -- медицинская техника -- снятие боли -- скэнары -- скэнар-1-НТ -- лечение -- кристаллы -- полупроводниковые кристаллы -- полупроводниковая промышленность -- ОФТ технологии
Аннотация: В статье даны описания блока детектирования гамма-излучения, шестивалкового прокатного стана с укороченными опорными валками для производства прецизионных полос и фольги, скэнара-1-НТ, ОФТ технологии и установки для выращивания полупроводниковых кристаллов.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Балдина, Надежда Александровна.
Неоднородность примеси в полупроводниковых кристаллах, выращенных в космических условиях методами направленной кристаллизации [Текст] / Н. А. Балдина, В. А. Гончаров, А. А. Тананыкин // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 6. - С. 3-10. - Библиогр.: с. 9-10 (15 назв. )

УДК

^a53.07

^a621.317

ББК 22.3с + 31.22
Рубрики: Физика
   Физические приборы
   Энергетика
   Электрические и магнитные измерения
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые кристаллы -- кристаллизация -- математические модели -- задача Стефана -- Стефана задача -- неоднородность -- примеси
Аннотация: Проанализированы результаты экспериментов по выращиванию кристаллов полупроводников на различных космических аппаратах. Численно решена задача Стефана при выращивании кристаллов методом Бриджмента. Выявлен новый физический механизм - зависимость поперечной неоднородности примеси от скорости роста.

Доп.точки доступа:
Гончаров, Виктор Анатольевич; Тананыкин, Александр Александрович

Найти похожие

Копытов, А. В.
Ab initio расчет колебательных спектров AgInSe[2] и AgInTe[2] [Текст] / А. В. Копытов, А. В. Кособуцкий // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1994-1998. - Библиогр.: с. 1998 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые кристаллы -- структуры халькопирита -- инфракрасные спектроскопии -- оптические фононы -- связки оптических фононов -- оптические спектры -- преобразования солнечной энергии -- колебательные строения кристаллов
Аннотация: Выполнен расчет из первых принципов методом линейного отклика фононных спектров и плотностей состояний полупроводниковых кристаллов AgInSe2 и AgInTe2 со структурой халькопирита. Вычисленные в центре зоны Бриллюэна частоты согласуются с экспериментальными данными, полученными методами инфракрасной спектроскопии и комбинационного рассеяния света. По величине атомных вкладов в колебательные моды в спектрах AgInSe[2] и AgInTe[2] выделяются три полосы: в области низких и средних частот колебания имеют смешанный характер с примерно равным вкладом от всех подрешеток, далее идут связки оптических фононов, обусловленные соответственно вкладами атомов Ag, CVI и In, CVI (CVI=Se, Te). Расположение этих связок позволяет сделать вывод о более сильном взаимодействии In-CVI по сравнению со связью Ag-CVI в данных кристаллах.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.

Найти похожие

Формирование и оптические свойства полупроводниковых нанокристаллов CdSSe в матрице силикатного стекла [Текст] / В. В. Ушаков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 2036-2040. - Библиогр.: с. 2040 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- полупроводниковые кристаллы -- силикатные стекла -- оптические свойства нанокристаллов -- кристаллические структуры полупроводников -- легирование кристаллов -- получение нанокристаллов -- стекла
Аннотация: Определены технологические режимы, обеспечивающие формирование в матрице силикатного стекла полупроводниковых кристаллитов CdS[x]Se[1-x] размером 2-8 nm. По мере увеличения температуры формирующего отжига их размер увеличивается без изменения кристаллической структуры и состава. Коротковолновый сдвиг края оптического поглощения свидетельствовал о влиянии размерного квантования на энергетическую структуру нанокристаллов. Интенсивная люминесценция образцов представляет излучательные переходы с участием дефектов на интерфейсе полупроводниковый нанокристалл-силикатная матрица либо внутренних дефектов нанокристаллов.

Доп.точки доступа:
Ушаков, В. В.; Аронин, А. С.; Караванский, В. А.; Гиппиус, А. А.

Найти похожие

Велиханов, А. Р.
Электропластичность чистого и легированного кремния [Текст] / А. Р. Велиханов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 145-148 : ил. - Библиогр.: с. 148 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- чистый кремний -- легированный кремний -- кристаллы -- полупроводниковые кристаллы -- комбинированная пластическая деформация -- КПД -- электропластичность -- горячая пластическая деформация -- ГПД -- микроструктуры -- монокристаллы
Аннотация: Предложена новая технология формирования дислокационных диссипативных структур в чистых и легированных полупроводниковых кристаллах комбинированным деформированием, которая позволяет управлять их упругопластическими свойствами. Обнаружены новые макропластические свойства этих кристаллов. Из полученных диаграмм сжатия определены различные деформационные параметры и изучены поверхностные микроструктуры полученных деформированных образцов. Предложены возможные физические объяснения наблюдаемым явлением.

Найти похожие

Алиев, М. А.
Влияние особенностей примесь-дислокационного взаимодействия на прочностные свойства кристаллов кремния [Текст] / М. А. Алиев, Х. Ш. Чартаев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - С. 42-45. . - Библиогр.: с. 45 (3 назв. )

УДК

^a539.2

^a539.3/.6

ББК 22.37 + 30.121
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Техника
   Сопротивление материалов
Кл.слова (ненормированные):
примесь-дислокационное взаимодействие -- прочностные свойства кристаллов -- кристаллы кремния -- структуры кристаллов -- полупроводниковые кристаллы -- электростимулированное деформирование -- дефектные структуры -- диссипативные структуры -- пластические деформации -- диффузия -- электроперенос -- примесь-дефектные взаимодействия
Аннотация: Описана новая технология конструирования структур полупроводниковых кристаллов методом электростимулированного деформирования, позволяющая реализовать самоорганизацию дефектных, диссипативных структур.

Доп.точки доступа:
Чартаев, Х. Ш.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Квантовая эффективность солнечной батареи превысила 100% [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2012. - № 2. - С. 71

УДК

^a620.91:662.97

^a621.382

ББК 31.63 + 32.852
Рубрики: Энергетика
   Гелиоэнергетика
   Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
возобновляемые источники энергии -- полупроводниковые кристаллы -- КПД солнечной батареи -- множественная генерация экситонов -- MEG
Аннотация: Исследование солнечной батареи, построенной на базе полупроводниковых кристаллов. Процесс множественной генерации экситонов.

Доп.точки доступа:
Национальная лаборатория возобновляемых источников энергии; NREL
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Применение термического анализа для характеризации состава и структуры нелинейных кристаллов GaSe [Текст] / Ю. М. Андреев [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика : Физика. - С. 128-132 : ил. - Библиогр.: с. 132 (11 назв.) . - ISSN 1684-8519

УДК

^a669.017

ББК 34.2
Рубрики: Технология металлов
Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
термический анализ -- нелинейные кристаллы -- слоистые кристаллы -- дифференциально-сканирующая калориметрия -- полупроводниковые кристаллы -- селенид галлия -- нелинейная оптика -- результаты исследований -- спектральные компоненты -- кристаллические структуры -- оптические свойства
Аннотация: Метод дифференциальной сканирующей калориметрии применен для анализа состава и структуры чистых полупроводниковых кристаллов селенида галия, используемых в нелинейной оптике. По результатам исследования эффективности генерации второй гармоники СО[2]-лазеров и смешения спектральных компонент фемтосекундного Ti: Sapphire лазера установлено, что линейные оптические и эффективные нелинейные свойства кристаллов GaSe в существенной мере определяются относительным содержанием второй фазы - Ga[2]Se[3].

Доп.точки доступа:
Андреев, Юрий Михайлович; Вайтулевич, Елена Анатольевна; Светличный, Валерий Анатольевич; Зуев, Владимир Владимирович; Морозов, Александр Николаевич; Кох, Константин Александрович; Ланский, Григорий Владимирович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Степанов, Н. П.
Разделение вкладов ионного остова и свободных носителей заряда в магнитную восприимчивость анизотропного полупроводникового кристалла Bi2Te3 - Sb2Te3 [Текст] / Н. П. Степанов, В. Ю. Наливкин // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 1. - С. 70-76 : рис. - Библиогр.: c. 76 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a537.6

^a537.311.33

ББК 22.334 + 22.379
Рубрики: Физика
Магнетизм
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
анизотропный полупроводниковый кристалл -- диамагнитные полупроводники -- магнитная восприимчивость кристаллов -- магнитные свойства -- полупроводники -- полупроводниковые кристаллы -- термоэлектрические материалы
Аннотация: Представлена методика, при помощи которой магнитная восприимчивость ионного остова анизотропного полупроводникового кристалла Bi2Te3 - Sb2Te3 определяется из экспериментальных данных о величине магнитной восприимчивости, полученных с учетом ориентации вектора напряженности магнитного поля H по отношению к тригональной оси кристалла С3, в соответствии с выражением, в котором величина магнитной восприимчивости свободных носителей заряда, зависящая от их эффективных масс, известных из эксперимента, рассчитывается в рамках подходов Паули и Ландау - Пайерлса. Найденное таким образом значение Х кристаллов Bi2Te3 - Sb2Te3 согласуется с экспериментальными данными, а также с оценками, полученными в рамках подхода Лармора, объясняющего, в частности, линейную зависимость величины молярной магнитной восприимчивости от количества электронов в молекуле, наблюдающуюся для большого количества соединений. Предлагаемая методика может быть распространена на другие анизотропные полупроводники.

Доп.точки доступа:
Наливкин, В. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-13

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	68267
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)