Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые квантовые точки<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Ланг, И. Г.
Упругое рассеяние света полупроводниковыми квантовыми точками произвольной формы [Текст] / И. Г. Ланг, Л. И. Коровин, С. Т. Павлов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1304-1309. - Библиогр.: с. 1309 (17 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- рассеяние света -- резонансное рассеяние -- световые волны -- упругое рассеяние света -- экситоны
Аннотация: С помощью квантовой теории возмущений теоретически исследовано рассеяние света без изменения частоты на размерно-квантовых объектах пониженной размерности. Вычислено дифференциальное сечение резонансного рассеяния на на любых экситонах в любых квантовых точках. В случае длин световых волн, намного превышающих размер квантовых точек, поляризация и угловое распределение рассеянного света не зависят от формы, размеров и конфигурации квантовых точек. Величина полного сечения в этом случае не зависит от размеров квантовых точек. Если радиационное затухание экситона превосходит нерадиационное, в резонансе полное сечение рассеяния порядка квадрата дины световой волны. Для любых экситонов в любых квантовых точках вычислены величины радиационных затуханий, обусловленных дальнодействующим обменным взаимодействием электров и дырок.

Доп.точки доступа:
Коровин, Л. И.; Павлов, С. Т.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки.

Доп.точки доступа:
Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.

Найти похожие

Покутний, С. И.
Энергия связи экситона в полупроводниковых квантовых точках [Текст] / С. И. Покутний // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 507-512 : ил. - Библиогр.: с. 511-512 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- адиабатическое приближение -- энергия связи экситона -- метод эффективной массы -- монокристаллы -- селенид кадмия -- CdSe -- сульфид кадмия -- CdS -- экситоны
Аннотация: В адиабатическом приближении, а также в рамках модифицированного метода эффективной массы, в котором приведенная эффективная масса экситона mu=mu (a) является функцией радиуса a полупроводниковой квантовой точки, получено выражение для энергии связи экситона E[ex] (a) в квантовой точке. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона E[ex] (a) в квантовых точках селенида и сульфида кадмия с радиусами a, сравнимыми с боровскими радиусами экситона a[ex], относительно энергии связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS (в 7. 4 и 4. 5 раз соответственно).

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Гайслер, Алексей Владимирович.
Полупроводиковый брэгговсий микрорезонатор для излучателей одиночных фотонов [Текст] / А. В. Гайслер, Д. В. Щеглов // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2014. - № 4 (25). - С. 21-32. - Аннот. на англ. яз. с. 32 . - ISSN 1727-2769

УДК

^a621.3.01

ББК 31.21
Рубрики: Энергетика
Теоретические основы электротехники
Кл.слова (ненормированные):
излучатели одиночных фотонов -- брэгговские микрорезонаторы -- полупроводниковые квантовые точки
Аннотация: В данной работе предложена и реализована конструкция полупроводникового брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов на основе InAs квантовых точек.

Доп.точки доступа:
Щеглов, Дмитрий Владимирович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

537.311.33
Б 19

Баканов, А. Г.
Исследование оптических свойств полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS в ближнем поле серебряных наночастиц [Текст] / А. Г. Баканов, Н. А. Торопов, Т. А. Вартанян // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 2. - С. 307-310 : диагр. - Библиогр.: с. 310 (14 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- наночастицы -- ближнее поле наночастиц -- напыление металла -- плазмонный резонанс
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние ближнего поля серебряных наночастиц на оптические свойства полупроводниковых квантовых точек CbSe/ZnS. Образцы создавались напылением металла на диэлектрические подложки в высоковакуумной камере и покрывались слоем полупроводниковых квантовых точек методом центрифугирования. Обнаружено, что в ближнем поле наночастиц серебра наблюдается усиление поглощения квантовых точек при их оптическом возбуждении в области плазмонной полосы.

Доп.точки доступа:
Торопов, Н. А.; Вартанян, Т. А.; Университет ИТМО (Санкт-Петербург); Университет ИТМО (Санкт-Петербург)Университет ИТМО (Санкт-Петербург)

Найти похожие

Баканов, А. Г.
Оптические свойства планарных наноструктур на основе полупроводниковых квантовых точек и плазмонных металлических наночастиц [Текст] / А. Г. Баканов, Н. А. Торопов, Т. А. Вартанян // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 120, № 3. - С. 502-507 : схема, граф. - Библиогр.: с. 506-507 (16 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.2/.3

^a535.37

ББК 22.343 + 22.345
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
полимеры -- квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- наночастицы серебра -- флуоресценция -- оптические свойства наноструктур -- планарные наноструктуры -- металлические наночастицы -- плазмонные наночастицы -- композитные материалы -- спектры флуоресценции -- спектры поглощения
Аннотация: Исследованы оптические свойства композитного материала, состоящего из тонкой пленки полимера, активированного полупроводниковыми квантовыми точками CdSe/ZnS и наночастицами серебра на прозрачной диэлектрической подложке. Установлено, что в присутствии серебряных наночастиц поглощение квантовых точек возрастает в 4 раза, интенсивность флуоресценции возрастает в 10 раз, а длительность флуоресценции сокращается при этом также приблизительно в 10 раз. При возбуждении композитной среды импульсным лазерным излучением обнаружены сужение полосы флуоресценции и сублинейная зависимость ее интенсивности от энергии импульсов. В отсутствие серебряных наночастиц спектр флуоресценции квантовых точек не зависит от плотности энергии возбуждающих импульсов, а ее интенсивность линейно зависит от энергии импульсов во всем исследованном диапазоне вплоть до 75 мДж/см{2}.

Доп.точки доступа:
Торопов, Н. А.; Вартанян, Т. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Курочкина, М. А.
Особенности тушения люминесценции нематического жидкого кристалла, допированного наночастицами [Текст] / М. А. Курочкина, Е. А. Коншина, Д. П. Щербинин // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 4. - С. 641-647 : граф. - Библиогр.: с. 646-647 (26 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- жидкие кристаллы -- нематические кристаллы -- тушение люминесценции -- наночастицы -- допирование -- фотолюминесценция -- композиты -- квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- низкочастотные спектры -- диэлектрические потери
Аннотация: Исследовано изменение интенсивности спектров фотолюминесценции композитов нематического жидкого кристалла в зависимости от концентрации полупроводниковых квантовых точек и наночастиц. Показано, что интенсивность тушения фотолюминесценции больше в композитах с квантовыми точками CdSe/ZnS по сравнению с наночастицами TiO[2] и ZrO[2]. Исследованы низкочастотные спектры этих композитов.

Доп.точки доступа:
Коншина, Е. А.; Щербинин, Д. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Самарцев, В. В.
Экситонная нутация в слое полупроводниковых квантовых точeк [Текст] / В. В. Самарцев, Т. Г. Митрофанова, О. Х. Хасанов // Известия РАН. Серия физическая. - 2019. - Т. 83, № 12. - С. 1609-1611. - Библиогр.: c. 1611 (16 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a535.14

ББК 22.34
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- экситонная нутация
Аннотация: Теоретически показана возможность наблюдения экситонной нутации в тонком слое полупроводниковых квантовых точек типа CdSe/CdS/ZnS.

Доп.точки доступа:
Митрофанова, Т. Г.; Хасанов, О. Х.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	67276
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)