Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=полупроводниковые источники света<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


   
    Свет сотрудничества [Текст] / материал подгот. отд. орг. развития и связей с общественностью ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника" // Инновации. - 2009. - 2071-3010, Спец. вып. [II]: февраль. - 011 . 64-65 : фот. цв. . - ISSN 2071-3010
УДК
ББК 31.294 + 65.291
Рубрики: Энергетика
   Электрическое освещение. Светотехника

   Экономика

   Экономика организации (предприятия, фирмы) в целом

Кл.слова (ненормированные):
источники света -- светильники -- светотехнические приборы -- полупроводниковые источники света -- инновационные компании -- компании -- ЗАО -- закрытые акционерные общества -- полные производственные циклы
Аннотация: В настоящее время ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника" - единственное в России предприятие, где реализуется полный технологический цикл серийного производства полупроводниковых источников света и светотехнических приборов на их основе.


Доп.точки доступа:
ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника"; Светлана-Оптоэлектроника, ЗАО

Найти похожие

2.


   
    Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xG_1-x)_0,5In_0,5P/(Al_y, Ga_1-y)_0,5 In_0,5 P [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 44-47 : рис., табл. - Библиогр.: c. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
Саа-Нойса-Шокли ток -- вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- квантовый выход -- полупроводниковые источники света -- рекомбинационные токи -- светодиоды -- светодиоды желтого диапазона -- светодиоды красного диапазона -- ток Саа-Нойса-Шокли
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния температуры на прямую вольт-амперную характеристику светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xG_1-x) _0, 5In_0, 5P/ (Al_y, Ga_1-y) _0, 5 In_0, 5 P. Показано, что в интервале температур 210-390 К на вольт-амперной характеристике можно выделить несколько участков. Проведенный анализ позволил связать первый участок с рекомбинационным током Саа-Нойса-Шокли, второй с током излучательной рекомбинации.


Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Скакунов, М. С.; Лелеков, М. А.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 19.08.2024
Число запросов 91233
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)