Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (7)

БД "Статьи" (37)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полупроводник<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Семенов, А. Л.
Время индуцированного сверхкоротким световым импульсом фазового перехода полупроводник-металл в двуокиси ванадия [Текст] / А. Л. Семенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1101-1103. - Библиогр.: с. 1103 (11 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двуокись ванадия -- плотность энергии импульса -- световые импульсы -- фазовые переходы -- фазовый переход полупровдник-металл -- фотоиндуцированные фазовые переходы
Аннотация: Получено выражение для времени тау фотоиндуцированного фазового перехода полупроводник-металл пайерлсовского типа под действием сверхкороткого лазерного импульса. Показано, что 1) при уменьшении плотности энергии импульса W время тау увеличивается; 2) для инициирования фазового перехода W должна превышать некоторое критическое значение W[c]. Проведено сравнение с экспериментом по облучению пленки VO[2] световым полем.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

УДК

^a539.2

Семенов, А. Л.
Фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл в поверхностном слое двуокиси ванадия [Текст] / А. Л. Семенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2196-2198. - Библиогр.: с. 2198 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двуокись ванадия -- лазерный импульс -- металлическая фаза -- облучение -- облучение лазерным импульсом -- полупроводниковая фаза -- фазовые переходы -- фазовый переход полупроводник-металл -- фотоиндуцированный фазовый переход
Аннотация: Теоретически исследован фотоиндуцированный фазовый переход полупроводник-металл, протекающий за время дельта t < 1 ps в поверхностном слое двуокиси ванадия. Рассмотрен нетепловой механизм развития неустойчивости. Получено уравнение для параметра порядка кси фазового перехода металл-полупроводник в световом поле. Показано, что для перехода в металлическое состояние поверхностного слоя VO[2] требуется облучение лазерным импульсом, плотность энергии W которого превышает некоторое критическое значение W[c]. Фазовый переход начинается на поверхности, а затем граница фаз движется вглубь образца. Рассчитаны критическое значение W[c], скорость движения границы металлической и полупроводниковой фаз, толщина z[0] и характерное время дельта t образования металлического слоя. Полученные теоретические результаты согласуются с экспериментальными данными по облучению монокристалла двуокиси ванадия мощным лазерным импульсом.

Найти похожие

Андреев, В. Н.
Влияние гидрирования на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия [Текст] / В. Н. Андреев, В. М. Капралова, В. А. Климов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2209-2213. - Библиогр.: с. 2212-2213 (22 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гидрирование -- диоксид ванадия -- термическое разложение -- тонкие пленки -- фазовые переходы -- фазовый переход металл-полупроводник
Аннотация: Исследован процесс внедрения водорода в тонкие пленки диоксида ванадия из водных растворов одно-, двух- и трехатомных спиртов. Показано, что этот процесс обратим, носит каталитический характер и приводит к понижению температуры фазового перехода металл-полупроводник. Установлено, что фазовый переход металл-полупроводник в гидрированной пленке H[x]VO[2] полностью подавляется при x > 0. 04.

Доп.точки доступа:
Капралова, В. М.; Климов, В. А.

Найти похожие

Мамедов, Азер Каграман оглы.
Аппроксимация температурно-частотных характеристик контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / А. К. Мамедов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 1. - С. 37-40 : ил. - Библиогр.: с. 40 (6 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника
Кл.слова (ненормированные):
частотные характеристики -- аппроксимация -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- металлы -- полупроводники -- эквивалентные емкости
Аннотация: Предложены аппроксимации зависимостей эквивалентной емкости, эквивалентного сопротивления и постоянной времени параллельной схемы замещения контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от частоты и температуры.

Найти похожие

Кузнецова, И. А.
Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре [Текст] / И. А. Кузнецова, А. А. Юшканов, Р. Р. Хадчукаев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 645-650

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кинетическая теория -- полупроводниковая проволока -- примесный полупроводник -- зонная структура -- электрическая проводимость
Аннотация: В рамках классической кинетической теории исследуется высокочастотная проводимость тонкой прямой полупроводниковой проволоки круглого сечения. Расчет проводится для случая примесного полупроводника с простой зонной структурой при произвольном вырождении. Соотношение между радиусом проволоки и длиной свободного пробега носителей заряда считается произвольным. Рассматривается диффузный механизм отражения носителей заряда от границы проволоки.

Доп.точки доступа:
Юшканов, А. А.; Хадчукаев, Р. Р.

Найти похожие

Голоденко, А. Б.
Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного кремния на основе систем итерированных функций [Текст] / А. Б. Голоденко // Инженерная физика. - 2009. - N 8. - С. 27-30

УДК

^a53:51

ББК 22.311
Рубрики: Физика
Математическая физика
Кл.слова (ненормированные):
фрактальное моделирование -- атомная структура -- аморфный полупроводник -- системы итерированных функций
Аннотация: Изложен способ описания атомной структуры аморфного полупроводника периодической системой итерированных функций, аргументами которой служат значения диэдрических углов и отклонений валентных углов его элементарной атомной ячейки, позволяющий получить адекватную модель аморфной структуры, пригодную для решения задачи создания и производства аморфных полупроводников с необходимыми электрическими и оптическими свойствами.

Найти похожие

Механизм стабилизации металлической модификации Sm[1-x]Gd[x]S при фазовом переходе полупроводник-металл под давлением [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1604-1606. - Библиогр.: с. 1606 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- механизмы стабилизации модификаций -- монокристаллы -- стабилизаця металлических фаз -- степени дефектности материалов -- полупроводниковые соединения -- когерентное рассеяние -- области когерентного рассеяния
Аннотация: На основании сравнительного анализа структурных особенностей и электрических параметров монокристаллов Sm[0. 85]Gd[0. 15]S в полупроводниковой и стабильной при атмосферном давлении металлической фазах сделан вывод, что в материалах с составом Sm[1-x]Gd[x]S стабилизация металлической фазы после ее получения под высоким гидростатическим давлением происходит за счет увеличения степени дефектности материала. Последнее находит свое отражение в уменьшении размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Аналогичным образом сохраняется металлическая фаза SmS, возникающая в приповерхностном слое после полировки поверхности образца.

Доп.точки доступа:
Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Степанов, Н. Н.; Романова, М. В.; Голубков, А. В.

Найти похожие

Прилуцкий, А. А.
Взаимодействие СВЧ-излучения с многослойными металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) структурами [Текст] = Interacting of Microwave Radiation with Multilayered Metal-Dielectric-Semiconductor (MDS) Structures / А. А. Прилуцкий // Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - N 9. - С. 74-80 : 9 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 80 (14 назв. ). - Аннотация на англ. яз. в конце ст. . - ISSN 2070-0784

УДК

^a621.396

ББК 32.84
Рубрики: Радиоэлектроника
Общая радиотехника
Кл.слова (ненормированные):
Е-волны -- математические модели -- МДП-структуры -- многослойные структуры -- Н-волны -- полупроводники -- СВЧ-излучение
Аннотация: Получена математическая модель отражения электромагнитной волны от среды, состоящей из чередующихся диэлектрических и полупроводниковых слоев на металлической подложке. Модель основана на строгом решении электродинамической задачи для наклонного падения Е- и Н-волн. Показано, что при фазовом переходе полупроводника (диэлектрик-металл) под внешним воздействием, например света, модуль и фаза амплитуды отраженный волны изменяются. Приведены результаты численного моделирования наклонного падения Е-волны на многослойную структуру. Показано, что модуль и фаза коэффициента отражения зависят от электрических и геометрических параметров многослойной среды.

Найти похожие

10.

Калыгина, В. М.
Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-Si [Текст] / В. М. Калыгина, В. Ю. Грицык // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 780-784 : ил. - Библиогр.: с. 783-784 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- углерод -- монооксиды углерода -- восстановительные газы -- диоды -- МОП диоды -- диоды МОП -- металл - окисел - полупроводник -- МОП -- Pd-SiO[2]-Si
Аннотация: Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO[2].

Доп.точки доступа:
Грицык, В. Ю.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	19407
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)