Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (17)

БД "Статьи" (14)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=полевые транзисторы<.>)

Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-14

Падеров, Виктор Петрович.
Влияние параметров канала полевого транзистора на характеристики интегральной микросхемы истокового повторителя [Текст] / В. П. Падеров, С. В. Никитанов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 30-35. - Библиогр.: с. 35 (4 назв. )

УДК

^a621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
p-n-переходы -- транзисторы -- полевые транзисторы -- микросхемы -- интегральные микросхемы -- электрические параметры -- характеристики -- повторители -- истоковые повторители -- микрофоны -- электронные микрофоны
Аннотация: Проанализировано влияние параметров канала полевого транзистора с управляющим p-n-переходом на электрические параметры интегральной микросхемы истокового повторителя, работающей в малогабаритном электретном микрофоне.

Доп.точки доступа:
Никитанов, Сергей Валерьевич

Найти похожие

Ждан, А. Г.
Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 705-707

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- кремниевые транзисторы -- ионная поляризация -- спонтанная поляризация -- термополевая обработка -- подвижность электронов
Аннотация: В кремниевом полевом транзисторе с инверсионным n-каналом осуществлена спонтанная объемно-зарядовая ионная поляризация подзатворного окисла в режиме джоулева разогрева прибора током стока I[d]. Характеристики транзистора, измеренные при комнатной температуре (T[r]) до и после термополевой обработки, показывают, что локализация положительных ионов (Na\{+\}) у границы раздела SiO[2]/Si сопровождается увеличением эффективной подвижности электронов (в ~2. 3 раза), крутизны, I[d] и небольшим уменьшением порогового напряжения (Дельта V[th]=0. 58 В). При T=T[r] модифицированные характеристики транзистора сохраняются в течение месяцев; их легко прогнозируемо варьировать изменением I[d] и продолжительностью нагрева.

Доп.точки доступа:
Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В.

Найти похожие

Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 478-482

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- псевдоморфные гетероструктуры -- двумерные электроны -- полевые транзисторы -- электрические поля -- СВЧ транзисторы
Аннотация: Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al[0. 36]Ga[0. 64]As/In[0. 15]Ga[0. 85]As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In[0. 15]Ga[0. 85]As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs.

Доп.точки доступа:
Мокеров, В. Г.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Юцене, В.; Пашкевич, Ч.

Найти похожие

Масальский, Н. В.
Вопросы масштабирования характеристик КМОП СБИС [Текст] = Problems of Scaling of CMOS VLSI Characteristics / Н. В. Масальский // Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - N 7. - С. 3-27 : 19 рис., 6 табл. - Библиогр.: с. 26-27 (50 назв. ). - Аннотация на англ. яз. в конце ст. . - ISSN 2070-0784

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
100 нм -- КМОП-транзисторы -- линии связи -- масштабирование -- микропроцессоры -- нанотранзисторы -- обобщенное масштабирование -- полевые транзисторы -- правила масштабирования -- СБИС -- схемы функциональные -- ток утечки -- транзисторы -- функциональные схемы
Аннотация: Анализируются качественные и количественные закономерности, относящиеся к теории масштабирования характеристик КМОП СБИС. Обсуждаются физические ограничения, связанные с отсутствием масштабирования отдельных параметров и их критического влияния при переходе на топологические нормы менее 100 нм.

Найти похожие

Бахвалова, Светлана Анатольевна.
Определение параметров нелинейной модели мощных GaAs MESFET полевых транзисторов [Текст] / С. А. Бахвалова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 78. - С. 29-33. - Библиогр.: с. 33 (5 назв. ) . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
методики -- нелинейные модели -- параметры -- транзисторы -- полевые транзисторы -- вольтамперные характеристики
Аннотация: Предложена методика определения параметров модели Ангелова применительно к мощным GaAs MESFET-транзисторам. Определен минимальный набор параметров модели.

Найти похожие

Орлов, М. Л.
Механизмы и особенности детектирования излучения субмиллиметрового диапазона длин волн полевыми транзисторами с коротким двумерным каналом [Текст] / М. Л. Орлов, А. Н. Панин, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 816-824 : ил. - Библиогр.: с. 824 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- полевые транзисторы -- короткоканальные транзисторы -- вольт-ваттная чувствительность -- ВВЧ -- диапазоны -- фоточувствительность -- плазмоны -- двумерные плазмоны -- частотные характеристики
Аннотация: Выполнен анализ детектирующих свойств ряда короткоканальных полевых транзисторов с использованием их стационарных выходных характеристик. Вид рассчитанных зависимостей вольт-ваттной чувствительности от прикладываемых напряжений сопоставляется с соответствующими кривыми, полученными из высокочастотных измерений. Показано, что наблюдаемый в диапазоне частот 400-750 ГГц немонотонный вид зависимости фоточувствительности полевых гетеротранзисторов от прикладываемых к затвору напряжений не связан с резонансным возбуждением двумерных плазмонов в подзатворной плазме транзистора, а обусловлен изменением характера распределения стационарных полей внутри структуры и, как следствие, с изменением эффективности проявления нерезонансных механизмов нелинейности в электронной подсистеме транзистора с ростом напряжения между затвором и транспортным каналом. Данный вывод подтверждается исследованиями частотных зависимостей фотоотклика в рассматриваемом диапазоне, не обнаруживающих резонансное поведение на частотах, соответствующих положению наблюдаемых максимумов на кривых, измеренных на фиксированной частоте при разных напряжениях на затворе транзистора.

Доп.точки доступа:
Панин, А. Н.; Орлов, Л. К.

Найти похожие

InGaP/InGaAs Doped-Channel Direct-Coupled Field-Effect Transistors Logic with Low Supply Voltage [Text] / Jung-HuiTsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - P235-239 : ил. - Библиогр.: с. 239 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- логические схемы -- полевые транзисторы -- электрическое напряжение -- двумерный анализ -- режим обеднения -- двумерный электронный газ -- напряжение насыщения -- оптоэлектронные интегральные схемы -- напряжение включения -- крутизна -- перепады напряжений -- затворы -- высокочастотные характеристики -- помехоустойчивость
Аннотация: InGaP/InGaAs doped-channel direct-coupled field-effect transistor logic (DCFL) with relatively low supple voltage is demonstrated by two-dimensional analysis. In the integrated enhancement/depletion-mode transistors, subband and two-dimensional electron gas (2DEG) are formed in the InGaAs strain channels, which substantially increase the channel concentration and decrease the drain-to-source saturation voltage. The integrated devices show high turn-on voltage, high transconductance, broad gate voltage swing, and excellent high frequency performance, simultaneously. Furthermore, the integrated devices exhibit large noise margins for DCFL application with low supply voltage of 1. 5 V attributed from the relatively small saturation voltages of the studied integrated devices.

Доп.точки доступа:
Jung-Hui Tsai; Wen-Shiung Lour; Tzu-Yen Weng; Chien-Ming Li

Найти похожие

Туев, В. И.
Расчет нелинейных искажений в пассивных аттенюаторах на полевых транзисторах [Текст] / В. И. Туев // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 1. - С. 202-205 : ил. - Библиогр.: с. 205 (8 назв. ). . - ISSN 1684-8519

УДК

^a621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- пассивные аттенюаторы -- нелинейные искажения -- расчет искажений -- передаточные функции -- регулировочные характеристики -- p-n переходы -- МДП-структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры
Аннотация: Предложен метод расчета нелинейных передаточных функций пассивных аттенюаторов на полевых транзисторах. Метод пригоден для расчета регулировочной характеристики и нелинейных искажений аттенюаторов на полевых транзисторах с затвором на основе p-n перехода, МДП-структуры и барьера Шотки. Представлены результаты исследования аттенюаторов с параллельным, последовательным и смешанным соединением регулируемых элементов.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Стукач, Олег Владимирович.
Моделирование структур аттенюаторов на полевых транзисторах с минимальным изменением фазового сдвига при регулировании ослабления [Текст] / О. В. Стукач // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 311, N 4 : Энергетика. - С. 95-98. : ил. - Библиогр.: с. 98 (3 назв. ).

УДК

^a621.373/.374

ББК 32.847
Рубрики: Радиоэлектроника
Импульсные устройства
Кл.слова (ненормированные):
аттенюаторы -- полевые транзисторы -- фазовые сдвиги -- затвор Шоттки -- Шоттки затвор -- вольтамперные характеристики -- фазочастотные характеристики -- моделирование аттенюаторов -- корректирующие цепи
Аннотация: Рассмотрены управляемые аттенюаторы поглощающего типа на полевых транзисторах с затвором Шоттки: Т-образная, Т-образная мостовая схемы и аттенюатор на транзисторе в режиме с управляемой крутизной вольтамперной характеристики. Проведено моделирование фазочастотных характеристик аттенюаторов. Главное отличие схем от ранее известных заключается в введении корректирующих цепей, что обуславливает широкополосность и больший диапазон вносимых ослаблений с минимумом фазового сдвига при регулировании. Найдены оптимальные параметры корректирующих цепей в аттенюаторах. Показано, что наименьший фазовый сдвиг обеспечивается в аттенюаторе на транзисторе в режиме с управляемой крутизной вольтамперной характеристики. Дана сравнительная оценка рассмотренных базовых структур.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Выращивание высокосовершенных гетероструктур III-N [Текст] / А. Алексеев [и др. ] // Наноиндустрия. - 2011. - N 1. - С. 20-22. : ил.: 1 рис. - Библиогр.: с. 22 (3 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Россия--Санкт-Петербург
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
многослойные нитридные гетероструктуры -- сапфиры -- полуизолирующие карбиды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- СВЧ-транзисторы
Аннотация: Выращена многослойная нитридная гетероструктура на подложках сапфира и полуизолирующего карбида.

Доп.точки доступа:
Алексеев, А.; Красовицкий, Д.; Петров, С.; Чалый, В.; НТО, ЗАО; Светлана-Рост, ЗАО
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-14

Тематический навигатор

Статистика за 08.09.2024
Число запросов	28288
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)