Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (22)Труды АМГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=подложка<.>)
Общее количество найденных документов : 39
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-39 
1.


   
    Температурная чувствительность и шумы ВТСП джозефсоновского детектора на сапфировой бикристаллической подложке при температуре 77 К [Текст] / М. Тарасов [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 11. - С. 828-831
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Общие вопросы физики

Кл.слова (ненормированные):
температурная чувствительность -- высокотемпературная сверхпроводимость -- джозефсоновский детектор -- сапфировая бикристаллическая подложка
Аннотация: В YBa[2]Cu[3]O[7-x] пленках, выращенных на сапфировых бикристаллических подложках, изготовлены джозефсоновские переходы на основе искусственных межзеренных границ, образованных разворотом кристаллических решеток вокруг оси [100]. Пленки наносили методом лазерной абляции поверх буферного слоя CeO[2]. Критическая температура пленок достигала 88. 5 К при ширине перехода 1. 5 К. Переходы шириной от 2 до 3 мкм были интегрированы в планарные логопериодические антенны и измерены при температуре 77 К. Значения характерного напряжения I[c]R[n] достигали 570 мкВ. Под действием внешнего излучения на частоте 113 ГГц на ВАХ наблюдались ступени Шапиро. Была измерена температурная чувствительность такого детектора, помещенного в квазиоптический приемный модуль. При модуляции температуры входного излучения 77 К/300 К на выходе детектора наблюдался отклик более 200 нВ. Собственные шумы на частоте модуляции составили около 1 нВ/Гц\{1/2\}, что соответствует температурному разрешению на уровне 1 К.


Доп.точки доступа:
Тарасов, М.; Степанцов, Е.; Калабухов, А.; Куприянов, М.; Винклер, Д.

Найти похожие

2.


    Скиба, Н. В.
    Диполи дисклинаций несоответствия в нанокристаллических пленках и покрытиях [Текст] / Н. В. Скиба, И. А. Овидько, А. Г. Шейнерман // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 265-270. - Библиогр.: с. 270 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
диполи -- диполи дисклинаций несоответствия -- межзеренное скольжение -- твердотельные пленки -- нанокристаллические пленки -- система пленка-подложка -- дисклинационные диполи
Аннотация: Предложена теоретическая модель, описывающая особый физический микромеханизм релаксации напряжений несоответствия в нанокристаллических пленках и покрытиях. Согласно представлениям предлагаемой модели, в нанокристаллических пленках и покрытиях при определенных условиях реализуется межзеренное скольжение, которое сопровождается образованием ансамбля диполей дисклинаций (ротационных дефектов). Такие диполи создают поля упругих напряжений, которые частично компенсируют напряжения несоответствия в нанокристаллических пленках и покрытиях. В рамках предлагаемой модели показано, что зарождение дисклинационных диполей в пленке (покрытии) способно значительно понизить полную энергию композита пленка/подложка для систем AlN/6H-SiC и GaN/6H-SiC в широком интервале их структурных параметров.


Доп.точки доступа:
Овидько, И. А.; Шейнерман, А. Г.

Найти похожие

3.


   
    Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизованных ионами кислорода структур кремний-на-сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 627-629
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пленки -- кристаллическое качество -- твердофазная рекристаллизация -- имплантация ионами кислорода -- паразитная емкость -- сапфировая подложка
Аннотация: Малодефектные кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с использованием процесса твердофазной рекристаллизации. Для оценки кристаллического качества структур кремний-на-сапфире применялась рентгеновская кривая качания. Значения ширины на половине высоты максимума интенсивности (FWHM) показывают, что после имплантации ионов кислорода (энергия 130 кэВ, доза 10\{15\} см\{-2\}) и последующего отжига (550 градусов C/0. 5 ч + 1000 градусов C/1 ч) образуется кремниевый слой толщиной d=1000-2500 ангстрем высокого кристаллического качества.


Доп.точки доступа:
Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

4.


    Кузьмин, М. В.
    Размерные зависимости адсорбционных свойств поверхности нанопленок иттебрия, осаждаемых на поверхность кремния: система CO-Yb-Si (111) 7x7 [Текст] / М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 795-799. - Библиогр.: с. 799 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
нанопленки -- нанопленки иттебрия -- толщины пленок -- кремниевая подложка -- работа выхода пленок иттебрия
Аннотация: Исследована адсорбция молекул CO на поверхности нанопленок иттербия различной толщины, осажденных на кремний Si (111) 7x7 при комнатной температуре. Изучены зависимости двух видов: поверхностной концентрации адсорбированных молекул от дозы CO, выраженной в Лэнгмюрах, и работы выхода пленок от дозы CO. Показано, что вид этих зависимостей определяется размерными эффектами и осцилляциями Фриделя, генерируемыми границей раздела иттербий-кремний. И те и другие оказывают влияние на связь молекул CO с поверхностью. Эта связь при малых концентрациях молекул осуществляется неподеленной парой электронов, локализованных на углеродном конце молекул. Указанные электроны образуют донорно-акцепторную связь с незаполненным 5d-уровнем металла, в результате чего этот уровень опускается ниже уровня Ферми. При больших концентрациях молекул CO картина усложняется: вследствие увеличения кулоновского взаимодействия происходит частичный уход электронов с 5d-уровня на незанятую 2пи*-орбиталь молекул CO.


Доп.точки доступа:
Логинов, М. В.; Митцев, М. А.

Найти похожие

5.


    Ратников, П. В.
    Сверхрешетка на основе графена на полосчатой подложке [Текст] / П. В. Ратников // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 6. - С. 515-520
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
графен -- сверхрешетки -- модуляция запрещенной зоны -- периодическая модуляция -- полосчатая подложка
Аннотация: Рассматривается сверхрешетка на основе графена, образующаяся за счет периодической модуляции запрещенной зоны. Такая модуляция возможна в графене, осажденном на полосчатую подложку из диоксида кремния и гексагонального нитрида бора. Обсуждаются преимущества и некоторые возможные проблемы в рассматриваемой сверхрешетке. Предложена модель, описывающая такую сверхрешетку, в рамках которой с помощью метода матрицы переноса получено дисперсионное соотношение, позволяющее определить зависимость энергии носителей от импульса.


Найти похожие

6.


    Динксой, Е.
    Динамическая реакция предварительно напряженной системы, содержащей подложку, клеевой слой и покрытие, на подвижную нагрузку [Текст] = Dynamical response of a prestrained system comprising a substrate and bond and covering layers to a moving load : пер. с англ. / Е. Динксой, К. Гюлер, С. Д. Акбаров // Механика композитных материалов. - 2009. - Т. 45, N 5. - С. 759-772 : 5 ил.; 4 табл. - Библиогр.: с. 771-772 (16 назв. ) . - ISSN 0203-1272
УДК
ББК 30.121
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов

Кл.слова (ненормированные):
предварительно напряженная подложка -- клеевые слои -- слои покрытия -- модель кусочно-однородного тела -- подвижны нагрузки -- предварительно напряженные системы -- динамические реакции тел
Аннотация: Исследовали динамическую реакцию системы, состоящей из предварительно напряженной подложки, клеевого слоя и слоя покрытия, на подвижную нагрузку в рамках модели кусочно-одно-родного тела с помощью трехмерной линеаризованной теории упругих волн в телах с начальными напряжениями.


Доп.точки доступа:
Гюлер, К.; Акбаров, С. Д.

Найти похожие

7.


   
    Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции
Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолю­минесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}.


Доп.точки доступа:
Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г.

Найти похожие

8.


    Тарнавский, Г. А.
    Имплантация легирующих примесей в подложку кремния с непланарной поверхностью [Текст] / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 1. - С. 21-24. - Библиогр.: с. 24 (7 назв. ) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 22.1
Рубрики: Математика
   Общие вопросы математики

Кл.слова (ненормированные):
компьютерное моделирование -- легирование кремния -- имплантация -- донорные примеси -- акцепторные примеси -- математическое моделирование -- кремниевая подложка -- непланарная поверхность
Аннотация: На основании компьютерного моделирования проводится исследование влияния параметров технологического процесса (прицельного угла и энергии имплантации) на распределения концентраций легирующих примесей в кремниевой подложке.


Найти похожие

9.


    Борисов, В. С.
    Особенности состояния термодинамического равновесия тонкой водной пленки, находящейся в электрическом поле активных центров поверхности кристалла слюды [Текст] / В. С. Борисов, Л. А. Щербаченко // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2394-2399. - Библиогр.: с. 2399 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
тонкие водные пленки -- тонкие пленки полярных жидкостей -- методы статической физики -- заряженная подложка -- степень полярности жидкости -- концентрация межфазных гетерозарядов
Аннотация: Методами статистической физики проведено теоретическое исследование особенностей структуры тонкой полярной жидкой пленки, находящейся в электрическом поле заряженной подложки. Установлено, что электрические взаимодействия в такой системе приводят к изменению структуры полярной жидкости и образованию в ней кластеров. Получено самосогласованное нелинейное уравнение, описывающее распределение потенциала и напряженности электрического поля внутри изучаемой пленки, и исследована зависимость глубины проникновения этого поля в жидкую среду не только от электрической активности подложки и температуры, но и от степени полярности жидкости и концентрации межфазных гетерозарядов. Выявлено, что протяженность структурированных областей жидкости возрастает как при увеличении градиента потенциала внутреннего поля, так и при уменьшении температуры.


Доп.точки доступа:
Щербаченко, Л. А.

Найти похожие

10.


   
    Исследование пленок мультиграфена, получаемых на поверхности SiC методом сублимации [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 799-805. - Библиогр.: с. 805 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
пленки мультиграфена -- мультиграфен -- графен -- планарные наноуглеродные слои -- подложка карбида кремния -- наноуглеродные пленки -- Оже-спектроскопия -- метод сублимации
Аннотация: Для получения пленок графена использовалась технология сублимационной эпитаксии SiC в вакууме. Пленки исследовались методами Оже-спектроскопии, дифракции быстрых электронов на отражение, атомно-силовой микроскопии и рамановской спектроскопии. Сделан вывод, что структура полученных пленок имеет поликристаллический характер и состоит из отдельных монокристаллов графена с размерами порядка 50 nm.


Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. В.; Лебедев, А. В.; Дементьев, П. А.; Петров, В. Н.; Смирнов, А. Н.; Титков, А. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-39 
 
Статистика
за 01.08.2024
Число запросов 4215
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)