Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (14)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=плотность тока<.>)

Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-26

Рабинович, О. И.
Исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов от плотности тока [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Инженерная физика. - 2008. - N 5. - С. 22-23

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многокомпонентные гетероструктуры -- гетероструктуры -- AlGaInN -- излучающие диоды -- внешний квантовый выход -- плотность тока
Аннотация: Проведено исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов (ИД) (в видимой области спектра - СИД, в УФ области - УФИД) от плотности тока на основе многокомпонетной гетероструктуры AlGaInN с помощью компьютерного моделирования. Предложена модель, объясняющая уменьшение квантового выхода с увеличением плотности тока.

Доп.точки доступа:
Сушков, В. П.

Найти похожие

Электрохимическое извлечение ионов цинка и кадмия из регенерационных растворов при ионнообменной очистке воды [Текст] / Н. Д. Гомеля [и др. ] // Энерготехнологии и ресурсосбережение. - 2009. - N 2. - С. 68-71 : Ил. - Библиогр.: с. 71 (4 назв. ) . - ISSN 0235-3482

УДК

^a661.13

^a504

ББК 35.35 + 20.18:51.21
Рубрики: Химическая технология
   Электрохимические производства
   Экология
   Управление отходами
Кл.слова (ненормированные):
сточные воды -- очистка сточных вод -- гальванические производства -- тяжелые металлы -- цинк -- кадмий -- ионный обмен -- ионообменная очистка воды -- электролиз -- плотность тока
Аннотация: Приведены результаты исследований по определению влияния исходной концентрации кислоты в регенерационном растворе, начальной концентрации кислоты в анодной камере, плотности тока, а также влияния времени электролиза на эффективность электрохимической переработки отработанных кислых регенерационных растворов в процессе ионообменной очистки сточных вод гальванических производств от ионов цинка и кадмия.

Доп.точки доступа:
Гомеля, Н. Д.; Глушко, Е. В.; Крысенко, Т. В.; Ставская, С. С.

Найти похожие

Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока [Текст] / П. В. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 985-988 : ил. - Библиогр.: с. 988 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые прерыватели тока -- sos-диоды -- время накачки -- плотность тока -- микросекундное время -- численное моделирование
Аннотация: Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при микросекундном времени прямой накачки и низкой плотности тока. В эксперименте при времени обратной накачки ~200 нс и плотности обрываемого тока около 120 А/см{2} получено время обрыва тока менее 10 нс при напряжении на SOS-диоде до 80 кВ. Приведены результаты численного моделирования процессов динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что стадия обрыва тока аналогична режиму SOS-эффекта, реализуемого при высокой плотности тока, и также связана с движением концентрационного фронта избыточной плазмы вдоль высоколегированной p-области структуры. Несмотря на низкую плотность тока в процессе его обрыва, процесс коммутации занимает несколько наносекунд. Это связано с тем, что малая величина плотности тока компенсируется малой концентрацией избыточной плазмы на фронте, что сохраняет высокую скорость движения этого фронта на стадии обрыва тока.

Доп.точки доступа:
Васильев, П. В.; Любутин, С. К.; Пономарев, А. В.; Рукин, С. Н.; Словиковский, Б. Г.; Цыранов, С. Н.; Чолах, С. О.

Найти похожие

Повышение разрядных характеристик "короткозамкнутого" источника тока при использовании нанографита [Текст] / Н. В. Архипова [и др. ] // Нанотехника. - 2009. - N 4 (20). - С. 56-57 : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: c. 57 (1 назв. ) . - ISSN 1816-4498

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанографитовые материалы -- катодные материалы -- плотность тока -- источники тока
Аннотация: Исследована возможность использования нанографитовых материалов в качестве добавок.

Доп.точки доступа:
Архипова, Н. В.; Михайлова, А. М.; Моцарь, А. С.; Колоколова, Е. В.

Найти похожие

Сергеев, В. А.
Расчет и анализ распределений плотности тока и температуры по площади структуры InGaN/GaN мощных светодиодов [Текст] / В. А. Сергеев, А. М. Ходаков // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 230-234 : ил. - Библиогр.: с. 234 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие диоды -- СИД -- мощные светодиоды -- InGaN/GaN -- плотность тока -- плотность мощности -- активная область гетероструктуры -- температура -- итерационный метод -- стационарные уравнения теплопроводности -- уравнения термогенерации -- теплоотводы
Аннотация: Рассмотрена тепловая модель мощного светодиода InGaN/GaN, учитывающая экспоненциальную зависимость плотности тока и плотности мощности, рассеиваемой активной областью гетероструктуры, от температуры. Итерационным методом решена система уравнений, включающая стационарное уравнение теплопроводности с адиабатными условиями второго рода на боковых границах гетероструктуры и уравнения термогенерации, при условии постоянства средней плотности тока по активной области структуры. Найдены зависимости максимального и среднего перегрева по активной области структуры от величины рабочего тока и температуры окружающей среды для двух моделей теплоотвода: полубесконечного и ограниченного.

Доп.точки доступа:
Ходаков, А. М.

Найти похожие

Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 246-250 : ил. - Библиогр.: с. 249-250 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- активная область гетероструктур -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- расширенные волноводы -- квантовая эффективность -- оптические излучения -- мощности -- фотолюминесценция -- квантовые ямы -- дефекты -- плотность тока -- температурная чувствительность -- квантовый выход -- лазерные характеристики
Аннотация: Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность пороговой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются с увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxGa1-xAs в активной области.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 251-255 : ил. - Библиогр.: с. 255 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- асимметричные лазерные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- твердые растворы -- эпитаксиально-интегрированные лазеры -- туннельно-связанные лазеры -- оптические потери -- мезаполосковые лазеры -- апертура -- дифференциальные сопротивления -- плотность тока -- генерация -- ватт-амперные характеристики -- мощности
Аннотация: Выбраны параметры конструкции эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения. Определены технологические режимы изготовления таких гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. Показана возможность изготовления в одном технологическом процессе высокоэффективных туннельных структур GaAs: Si/GaAs: C и асимметричных лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с малыми внутренними оптическими потерями. Выбраны условия формирования глубокой мезы для изготовления мезаполосковых многомодовых лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных лазерных гетероструктур. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150x12 мкм. В образцах достигнуты значения плотности порогового тока J[th]=96 А/см{2}, внутренние оптические потери alpha[i]=0. 82 см{-1} и дифференциальное сопротивление R=280 мОм. В импульсном режиме генерации (100 нс, 1 кГц) в образцах, содержащих три лазерные структуры, получен наклон ватт-амперной характеристики 3 Вт/А и максимальная мощность 250 Вт.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Коняев, В. П.; Ладугин, М. А.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Петрунов, А. Н.; Пихтин, Н. А.; Симаков, В. А.; Слипченко, С. О.; Сухарев, А. В.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Марков, Геннадий Александрович (старший научный сотрудник ; генеральный директор ЗАО НТЦ "Вирус").
Механика. Дислокации. Высокотемпературная сверхпроводимость [Текст] / Г. А. Марков, В. Н. Малышев, А. И. Родионов // Ученые записки Российского государственного социального университета. - 2010. - N 6 (82). - С. 181-188. : рис. - Библиогр.: с. 187-188 (7 назв. ). - Аннот. на англ. яз.: с. 229

ГРНТИ	47.03.08
УДК	^a621.38

ББК 32.855
Рубрики: Радиоэлектроника
Криоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
металлические моноспирали -- плотность дислокаций -- высокая электрическая проводимость -- сверхпроводимость -- плотность тока -- скорость нарастания плотности тока -- комнатные положительные температуры
Аннотация: Приведено описание высокой электрической проводимости - сверхпроводимости при комнатных и более высоких температурах.

Доп.точки доступа:
Малышев, Владимир Николаевич (доктор технических наук ; доцент); Родионов, Андрей Иванович (кандидат физико-математических наук ; доцент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Потапов, Л. А.
Моделирование электромагнитных процессов в тормозе с массивным ротором [Текст] / Л. А. Потапов, В. П. Маклаков // Вестник Брянского государственного технического университета. - 2011. - N 3. - С. 95-101. . - Библиогр.: с. 101 (4 назв. )

УДК

^a621.317

ББК 31.221
Рубрики: Энергетика
Электрические измерения
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитные процессы -- электромагнитные тормоза -- ферромагнитные роторы -- численное моделирование -- магнитная индукция -- плотность тока
Аннотация: Рассмотрено численное моделирование электромагнитных процессов в тормозе с массивным ферромагнитным ротором.

Доп.точки доступа:
Маклаков, В. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Попова, С. С.
Влияние потенциала нулевого заряда на электрохимическое поведение свинца в перхлоратных растворах [Текст] / С. С. Попова, О. Н. Щербинина, И. Е. Шпак // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2011. - № 59. - С. 140-141 : ил. - Библиогр.: с. 141 (3 назв.) . - ISSN 1999-8341

УДК

^a661.13

ББК 35.35
Рубрики: Химическая технология
Электрохимические производства
Кл.слова (ненормированные):
свинец -- перхлоратные растворы -- растворы -- кинетические зависимости -- плотность тока -- сплавы -- потенциал нулевого заряда -- кальций
Аннотация: Проанализированы кинетические зависимости (плотность тока - время, плотность тока - потенциал) в кислых перхлоратных растворах, содержащих катионы свинца и кальция.

Доп.точки доступа:
Щербинина, О. Н.; Шпак, И. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20 21-26

Тематический навигатор

Статистика за 01.08.2024
Число запросов	1453
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)