Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (29)БД "Статьи" (1173)Труды АМГУ (9)Выпускные квалификационные работы (12)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=пленки<.>)
Общее количество найденных документов : 657
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


    Шабанова, Н. П.
    Критическое магнитное поле безвихревого состояния тонких пленок NbC и перспективы его наблюдения в MgB[2] [Текст] / Н. П. Шабанова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 990-995. - Библиогр.: с. 995 (31 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия критических полей -- изотропные сверхпроводники -- карбид ниобия -- критические магнитные поля -- тонкие пленки -- тонкие пленки металлов
Аннотация: Измерены критические магнитные поля H[c||] и H[c2] тонких пленок изотропного сверхпроводника NbC. Наблюдалась сильная анизотропия критических полей, связанная с безвихревым состоянием пленки в параллельном ее поверхности магнитном поле. Отношение H[c||]/H[c2]при 2 K превышало 6 и увеличивалось с ростом температуры. Зависимость H[c||] (T) во всей температурной области ниже T[c] количественно согласуется с представлениями микроскопической теории о безвихревом состоянии тонкой пленки чистого сверхпроводника. При уменьшении длины свободного пробега электронов в результате облучения пленки малой дозой ионов He{+} критическое поле H[c||] не изменилось вблизи T[c] и заметно возросло при более низких температурах. На основе известных теоретических моделей были проведены оценки электронных параметров и толщины пленок MgB[2], при которых на температурной зависимости H[c||] (T) возможно проявление особенностей, связанных с безвихревым состоянием двухщелевого сверхпроводника.


Доп.точки доступа:
Красносвободцев, С. И.; Варлашкин, А. В.; Головашкин, А. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


    Юрасов, А. Н.
    Магниторефрактивный эффект в манганитах [Текст] / А. Н. Юрасов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1066-1069. - Библиогр.: с. 1069 (14 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
магнитоотражение -- магнитопропускание -- магниторефрактивный эффект -- магнитосопротивление -- магнитофотонные кристаллы -- манганиты -- пленки манганитов
Аннотация: Рассчитано магнитопропускание и магнитоотражение пленок манганитов и одномерных магнитофотонных кристаллов, содержащих пленку манганита в качестве дефекта. Выполненные расчеты показали, что магнитопропускание и магнитоотражение манганитов с колоссальным магнитосопротивлением можно рассматривать как проявления магниторефрактивного эффекта, причем величина эффекта на прохождении может достигать 20-40% при низких температурах. Эффект на отражении для пленки толщиной 300 nm составляет 1-2% и может быть значительно усилен за счет многолучевой интерференции в симметричной и антисимметричной схеме магнитофотонных кристаллов со встроенным дефектом.


Доп.точки доступа:
Борискина, Ю. В.; Ганьшина, Е. А.; Грановский, А. Б.; Сухоруков, Ю. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Нечаев, Геннадий Георгиевич (ассистент).
    Микроплазмохимический синтез оксидных покрытий (микродуговое оксидирование) как синергетическое явление. Моделирование процесса методом эквивалентных сопротивлений [Текст] / Г. Г. Нечаев, С. С. Попова // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 22. - С. 48-52. - Библиогр.: с. 52 (3 назв. )
УДК
ББК 24.5
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
микродуговое оксидирование -- синергетические процессы -- модель эквивалентных сопротивлений -- электролитические процессы -- анодные оксидные пленки -- оксидные покрытия
Аннотация: Рассмотрены особенности микродугового оксидирования, позволяющие отнести его к синергетическим процессам. Проведен анализ процесса в соответствии с моделью эквивалентных сопротивлений.


Доп.точки доступа:
Попова, Светлана Степановна (д-р хим. наук, проф.)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

4.


    Попов, В. В.
    Фотонные зоны поглощения в спектрах нанопористых металлических пленок [Текст] / В. В. Попов, Т. В. Теперик, F. J. Garcia de Abajo // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1206-1209. - Библиогр.: с. 1209 (8 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Корринги-Кона-Ростокера метод -- металлические пленки -- метод Корринги-Кона-Ростокера -- нанопористые металлическое пленки -- спектры нанопористых металлических пленок -- спектры поглощения -- фотонные зоны поглощения
Аннотация: В рамках согласованного электродинамического подхода (метод Корринги-Кона-Ростокера) вычислены спектры поглощения света многослойной нанопористой металлической пленкой со сферическими диэлектрическими включениями. Показано, что взаимодействие между ми-плазмонами в различных слоях пор приводит к образованию широких частотных зон сильного поглощения света.


Доп.точки доступа:
Теперик, Т. В.; Garcia de Abajo F. J.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

5.


    Нечаев, Геннадий Георгиевич (ассистент).
    Микроплазмохимический синтез оксидных покрытий (микродуговое оксидирование) как синергетическое явление. Моделирование процесса методом эквивалентных сопротивлений [Текст] / Г. Г. Нечаев, С. С. Попова // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 22. - С. . 48-52. - Библиогр.: с. 52 (3 назв. ). - 0; Моделирование процесса методом эквивалентных сопротивлений
УДК
ББК 24.5
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
микродуговое оксидирование -- синергетические процессы -- модель эквивалентных сопротивлений -- электролитические процессы -- анодные оксидные пленки -- оксидные покрытия
Аннотация: Рассмотрены особенности микродугового оксидирования, позволяющие отнести его к синергетическим процессам. Проведен анализ процесса в соответствии с моделью эквивалентных сопротивлений.


Доп.точки доступа:
Попова, Светлана Степановна (д-р хим. наук, проф.)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


    Сысоев, Виктор Владимирович (докторант, доц.).
    Применение метода нейронных сетей для анализа отклика однокристальной мультисенсорной системы идентификации газов [Текст] / В. В. Сысоев [и др. ] // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2007. - N 21. - С. . 80-87. - Библиогр.: с. 87 (11 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
нейронные сети -- однокристальные мультисенсорные системы -- полупроводниковые пленки оксида олова -- тестовые газовые смеси -- сенсорные сигналы
Аннотация: Показано, что многослойная нейронная сеть с прямой передачей сигнала и заданными функциями обучения и настройки позволяет построить адекватную модель сигнала мультисенсорной системы к ряду тестовых газовых смесей.


Доп.точки доступа:
Мусатов, Вячеслав Юрьевич (канд. техн. наук, доц.); Силаев, Александр Владимирович (студент); Залялов, Тимур Римович (студент); Мащенко, Артем Андреевич (студент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

7.


    Розанов, Н. Н.
    Диссипативные солитоны бозе-эйнштейновского конденсата экситонов [Текст] / Н. Н. Розанов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 9. - С. . 524-526
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
диссипативные солитоны -- солитоны -- бозе-эйнштейновская конденсация -- экситоны -- лазерное излучение -- полупроводниковые пленки
Аннотация: Предложена безрезонаторная схема формирования диссипативных солитонов, состоящая из тонкого слоя нелинейной среды, возбуждаемого когерентным лазерным излучением. Численно продемонстрировано наличие устойчивых темных диссипативных солитонов бозе-эйнштейновского конденсата экситонов в такой полупроводниковой пленке. Размеры экситонного солитона и требуемый уровень интенсивности лазерного излучения на два и более порядка меньше, чем в случае оптических диссипативных солитонов.


Доп.точки доступа:
Федоров, С. В.; Хаджи, П. И.; Белоусов, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

8.


    Григорьев, С. В.
    Двумерные пространственно-упорядоченные системы Al[2]O[3]: исследование методом малоуглового рассеяния нейтронов [Текст] / С. В. Григорьев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 9. - С. . 549-554
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
оксид алюминия -- анодированный оксид алюминия -- пленки оксида алюминия -- малоугловое рассеяние нейтронов -- пространственно-упорядоченные системы
Аннотация: Работа посвящена изучению структуры пленок анодированного оксида алюминия методом малоуглового рассеяния нейтронов. Получено теоретическое решение для описания нейтронного рассеяния на упорядоченной пористой структуре Al[2]O[3]. Анализ данных нейтронного эксперимента продемонстрировал возможность получения пористых мембран с идеально периодической гексагональной упаковкой пор на большой площади.


Доп.точки доступа:
Григорьева, Н. А.; Сыромятникова, К. С.; Напольский, К. С.; Елисеев, А. А.; Лукашин, А. В.; Третьяков, Ю. Д.; Эккерлебе, Х.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

9.


    Илясов, В. В.
    Рентгеновские спектры и электронная энергетическая структура азота в твердых растворах Al[x]Ga[1-x]N [Текст] / В. В. Илясов, Т. П. Жданова, И. Я. Никифоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1369-1372. - Библиогр.: с. 1372 (19 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
азот -- рентгеновские спектры -- твердые растворы -- электронная энергетическая структура азота -- энергетический спектр электронов -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния рассчитана электронная энергетическая структура валентной полосы и области XANES азота в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и кристаллах GaN и AlN. Рассчитанные плотности электронных состояний сопоставлены с K-спектрами эмиссии и поглощения азота. Проведено сравнение электронной энергетической структуры вершины валентной полосы и области XANES в сплавах Al[x]Ga[1-x]N и бинарных кристаллах GaN и AlN, дана интерпретация их особенностей. Приведены аналогии эволюции электронной структуры валентной полосы и области XANES данных сплавов и сплавов Al[x]B[1-x]N и B[x]Ga[1-x]N, обсуждаются их общие тенденции при изменении структуры и свойств.


Доп.точки доступа:
Жданова, Т. П.; Никифоров, И. Я.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.


    Кричевцов, Б. Б.
    Магнитные и магнитооптические свойства эпитаксиальных пленок кобальта, выращенных на гофрированной поверхности CaF[2]/Si [Текст] / Б. Б. Кричевцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1410-1420. - Библиогр.: с. 1420 (19 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия -- гетероструктуры -- гофрированная поверхность -- магнитооптическая анизотропия -- намагниченность -- оптическая анизотропия -- петли гистерезиса -- пленки -- пленки кобальта -- эпитаксиальные пленки
Аннотация: Приведены результаты исследования магнитных свойств гетероструктур CaF[2]/Co/CaF[2] (100) /Si (001), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и имеющих гофрированную поверхность буферного слоя CaF[2]. Оптические и магнитооптические свойства исследованных структур отражают C[2v]-симметрию поверхности гофрированной структуры. Изучение петель гистерезиса с помощью меридионального и экваториального магнитооптических эффектов Керра при наклонном падении, а также магнитооптических явлений в отражении при падении света, близком к нормальному, показало, что присутствие гофрированной структуры поверхности приводит к оптической и магнитооптической анизотропии. Процесс намагничивания таких структур в широком диапазоне магнитных полей происходит путем когерентного вращения намагниченности. Магнитная анизотропия структур описывается при учете гауссовского распределения осей легкого намагничивания в гранулах кобальта вокруг направления, параллельного направлению канавок. Показано, что асимметрия петель гистерезиса поворота плоскости поляризации, наблюдаемая при наклонном и нормальном падении света, связана с проявлением квадратичных по магнитному моменту вкладов и эффективную диэлектрическую проницаемость пленок.


Доп.точки доступа:
Кавеев, А. К.; Баланеев, А.; Соколов, Н. С.; Camarero, J.; Miranda, R.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Статистика
за 18.08.2024
Число запросов 20639
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)