Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=пиролитические пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Майорова, Т. Л.
Рекомбинационные процессы в пиролитических пленках сульфида кадмия [Текст] / Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 311-315

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические полупроводники -- сульфид кадмия -- пиролитические пленки -- термостимулированная проводимость -- люминесцентные свойства -- фотоэлектрические свойства
Аннотация: Посвящена исследованию фотоэлектрических свойств пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных щелочными металлами. Установлено, что исследуемые пленки обладают длительной релаксацией фотопроводимости при комнатной температуре (t=10\{3\}-10\{4\} c). Это явление связано с наличием внутренних потенциальных барьеров между областями разной проводимости. Определена энергия активации релаксации запасенной проводимости E=0. 68 эВ. Методом термостимулированной проводимости для исследуемых пленок определено наличие трех уровней локализации электронов, связанных с вакансией серы (0. 48 эВ), кислородом на месте серы (0. 5 эВ) и адсорбированным атомом щелочного металла (0. 53 эВ). По результатам исследований рекомбинационных процессов построена энергетическая модель уровней в запрещенной зоне пиролитических пленок сульфида кадмия, легированных щелочными металлами.

Доп.точки доступа:
Клюев, В. Г.

Найти похожие

Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 961-965 : ил. - Библиогр.: с. 965 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- фотолюминесценция -- ФЛ -- нитрид кремния -- ионное облучение -- облучение ионами -- пиролитические пленки -- молекулярный азот -- аргон -- ионы аргона -- азот -- ионы азота -- электронные переходы -- отжиг -- температура отжига
Аннотация: При 293 K исследовались фотолюминесценция и электронный парамагнитный резонанс пиролитических пленок нитрида кремния, облученных ионами аргона или молекулярными ионами азота и отожженных при температурах 500-1100{o}C. Спектр поглощения свидетельствует о том, что широкая полоса фотолюминесценции в области 400-600 нм связана с электронными переходами между хвостами зон. Облучение ионами аргона с малыми дозами незначительно понижает интенсивность фотолюминесценции, а с большими дозами может после отжигов при 800-900{o}C усиливать ее более чем в 2 раза. Вместе с тем облучение ионами азота приводит к значительному, более чем на порядок, уменьшению интегральной интенсивности фотолюминесценции. Наблюдалась корреляция изменения интенсивности фотолюминесценции и амплитуды спектров электронного парамагнитного резонанса при отжигах пленок нитрида кремния.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Добычин, Н. А.; Карзанов, В. В.; Марычев, М. О.; Сдобняков, В. В.

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	11138
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)