Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=перенос тока<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Музафарова, С. А.
Механизм переноса тока в гетеропереходах nCdS/pCdTe [Текст] / С. А. Музафарова, Ш. А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1111-1116. - Библиогр.: с. 1116 (22 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
волт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- гетеропереходы -- гетеросистемы -- диффузия атомов -- перенос тока -- твердые растворы
Аннотация: Исследованы вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики гетеросистемы pCdTe/nCdS. Данные вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик показывают, что твердый раствор CdTe[1-x]S[x] на гетерогранице pCdTe/nCdS является неоднородным не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-амперных характеристик оценены толщины твердых растворов. Показано, что при плотностях тока 10{-8} - 10{-5} A*cm{-2} вольт-амперная характеристика в гетеросистеме pCdTe/nCdS описывается термоэлектронной эмиссией, а в диапазоне 10{-4} - 10{-2} A*cm{-2} ток в гетероструктуре ограничивается рекомбинацией в электронейтральной части высокоомного твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Определены время жизни и длина диффузии неосновных носителей тока в твердом растворе CdTe[1-x]S[x], а также скорость поверхностной рекомбинации на границе раздела CdS и твердого раствора CdTe[1-x]S[x]. Показано, что гетероструктура CdTe[1-x]S[x] работает как p-i-n-структура, где p-слоем является CdTe, i-слоем - CdTe[1-x]S[x], n-слоем - CdS.

Доп.точки доступа:
Мирсагатов, Ш. А.; Жанабергенов, Ж.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

УДК

^a539.2

Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1468-1472 : ил. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
омические контакты -- Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP -- токоперенос -- перенос тока -- термическая обработка -- термообработка -- контактные сопротивления -- проводимость -- шунты -- металлические шунты -- температура
Аннотация: Исследованы омические контакты Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H[2]. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У.; Неволин, П. В.

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	50751
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)