Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (7)

БД "Статьи" (217)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=отжиг<.>)

Общее количество найденных документов : 109
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Хомич, А. В.
Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия [Текст] / А. В. Хомич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1585-1589. - Библиогр.: с. 1589 (20 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
алмазы -- алмазы, имплантированные ионами гелия -- ионная имплантация -- процесс графитизации алмаза -- радиационное повреждение -- радиационно-стимулированный отжиг дефектов -- спектры оптического пропускания алмазов
Аннотация: Методами оптической спектроскопии и измерения объемного "вспухания" исследованы радиационное повреждение и процесс графитизации алмаза, имплантированного ионами гелия при температурах от 77 до 373 K. Установлено, что с ростом температуры имплантации уменьшается радиационное повреждение, что объясняется радиационно-стимулированным отжигом дефектов в процессе повреждения. Показано, что результат формирования графитизированного слоя определяется не дозой имплантации, а уровнем радиационного повреждения. Установлено, что чем ниже температура имплантации, тем при меньших температурах отжига формируется графитизированный слой. Продемонстрировано, что процессы отжига радиационных дефектов и формирования графитизированного слоя в алмазе продолжаются вплоть до температуры 1600 градусов Цельсия.

Доп.точки доступа:
Хмельницкий, Р. А.; Дравин, В. А.; Гиппиус, А. А.; Заведеев, Е. В.; Власов, И. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние низкотемпературного отжига на морфологию приповерхностных слоев аморфного сплава на основе железа [Текст] / В. И. Бетехтин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2118-2124. - Библиогр.: с. 2124 (15 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аморфные сплавы -- аморфные сплавы на основе железа -- борид железа -- кристаллизация -- низкотемпературный отжиг -- отжиг -- участковая кристаллизация
Аннотация: Методами электронной Оже-спектроскопии, трансмиссионной электронной микроскопии, атомной силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследовалось влияние изотермического отжига на химический состав, микроструктуру и рельеф поверхности лент аморфного сплава Fe[77]Ni[1]Si[9]B[13]. Установлено, что отжиг ниже температуры стеклования приводит к обогащению бором неконтактной стороны ленты. Обнаружена участковая кристаллизация на обеих сторонах ленты с образованием областей кристаллизации размерами 2-5 мюm, состоящих из нано- и микрокристаллов альфа-Fe на контактной и борида железа не неконтактной стороне ленты. Показано, что отжиг по-разному влияет на спектральные и фрактальные характеристики рельефа поверхности контактной и неконтактной сторон ленты. Обсуждается влияние химического состава и избыточного свободного объема приповерхностных слоев на формирование участковой кристаллизации и рельеф поверхности.

Доп.точки доступа:
Бетехтин, В. И.; Бутенко, П. Н.; Кадомцев, А. Г.; Косуков, В. Е.; Обидов, Б. А.; Толочко, О. В.

Найти похожие

Барабан, Александр Петрович.
Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO[2], подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 18-22. - Библиогр.: с. 22 (9 назв. )

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- имплантация -- ионная имплантация -- кремний -- углерод -- отжиг -- заряды -- карбид кремния
Аннотация: Исследована электролюминесценция структур, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу.

Доп.точки доступа:
Петров, Юрий Владимирович

Найти похожие

Катин, К. П.
Особенности методов динамического моделирования отжига и распада долгоживущих атомных кластеров [Текст] / К. П. Катин, А. И. Подливаев, Л. А. Опенов // Инженерная физика. - 2007. - N 3. - С. 55-58

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомные кластеры -- динамическое моделирование -- метод молекулярной динамики -- отжиг дефектов -- фуллерены -- метод скоростей Верле -- Верле метод скоростей
Аннотация: Для определения оптимального алгоритма моделирования процессов формирования и отжига дефектов в малых атомных кластерах проанализированы несколько наиболее распространенных численных реализаций метода молекулярной динамики. На примере распада фуллерена С[20] проведено сравнение методов Верле, Штермера (различного порядка точности), чехарды и Бимана. Показано, что для расчета характеристик данного физического процесса наилучшим является метод скоростей Верле. Исследовано также накопление ошибки этого метода при моделировании распада долгоживущих углеводородных и азотных кластеров.

Доп.точки доступа:
Подливаев, А. И.; Опенов, Л. А.

Найти похожие

Астапова, Е. С.
Влияние изотермического отжига на механические свойства и микроструктуру высокоглиноземистой керамики [Текст] / Е. С. Астапова, Е. А. Ванина, И. А. Голубева // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 28-32 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a621.78

ББК 34.65
Рубрики: Машиностроение
Упрочнение металлов
Кл.слова (ненормированные):
высокоглиноземистая керамика -- керамические материалы -- нейтронное облучение -- изотермический отжиг -- корундовые керамические материалы -- микротвердрсть керамических материалов
Аннотация: Исследовано влияние изотермического отжига до и после нейтронного облучения на структуру и микротвердость корундовых керамических материалов.

Доп.точки доступа:
Ванина, Е. А.; Голубева, И. А.

Найти похожие

Влияние механической активации оксида никеля на свойства никелевых нанопорошков [Текст] / С. А. Тихомиров [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 84-85 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a621.762

^a544.463

ББК 34.39 + 24.591
Рубрики: Технология металлов
   Порошковая металлургия
   Химия
   Механохимия
Кл.слова (ненормированные):
оксиды никеля -- прекурсоры -- планетарные мельницы -- активаторы -- механическая активация -- никелевые порошки -- дисперсность порошков никеля -- восстановительный отжиг -- предварительная механическая активация прекурсора
Аннотация: Предпринята попытка увеличения дисперсности никелевых порошков методом предварительной (до восстановительного отжига) механической активации прекурсора - оксида никеля - в планетарных мельницах.

Доп.точки доступа:
Тихомиров, С. А.; Зеленский, В. А.; Евстратов, Е. В.; Алымов, М. И.; Анкудинов, А. Б.

Найти похожие

Коржов, В. П.
Микроструктура и свойства Zr и сплава Zr-Ti, полученных методами порошковой металлургии их гидридов ZrH[2] и TiH[2] [Текст] / В. П. Коржов, М. И. Карпов // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 1. - С. 9-13 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a621.762

ББК 34.39
Рубрики: Технология металлов
Порошковая металлургия
Кл.слова (ненормированные):
гидриды -- порошки гидридов -- спекание -- дегидрирующий отжиг -- горячее прессование -- сплавы циркония -- термообработка -- тугоплавкие металлы -- мартенситные превращения
Аннотация: Образцы из циркония получали горячим прессованием, образцы из Ti- Zr сплава - прессованием при комнатной температуре с последующей термообработкой (дегидрирующий отжиг и спекание).

Доп.точки доступа:
Карпов, М. И.

Найти похожие

Улашкевич, Ю. В.
Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности [Текст] / Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, А. В. Голубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 324-328

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические образцы -- моносульфид самария -- инфракрасные спектры отражения -- тензорезистивный эффект -- отжиг
Аннотация: На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm[1+x]S, лежащими внутри области гомогенности (0=? x= ? 0. 17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см\{-1\} в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см\{-1\}, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами \{7\}F[0]-\{7\}F[2] 4f-электронов ионов Sm\{2+\}.

Доп.точки доступа:
Каминский, В. В.; Голубков, А. В.

Найти похожие

Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 332-336

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний
Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%.

Доп.точки доступа:
Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р.

Найти похожие

10.

Костишко, Б. М.
Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле [Текст] / Б. М. Костишко, А. В. Золотов, Ю. С. Нагорнов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 372-375

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанопористый кремний -- бездефектные гетероэпитаксиальные слои кремния -- эпитаксиальные пленки -- термический отжиг -- отжиг -- поры
Аннотация: Представлены результаты моделирования процессов термического отжига пористого кремния под действием высокотемпературного нагрева как в однородном температуром поле, так и в условиях наличия в системе линейного градиента температур.

Доп.точки доступа:
Золотов, А. В.; Нагорнов, Ю. С.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	72313
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)