Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (7)

БД "Статьи" (177)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=осаждение<.>)

Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Ежовский, Ю. К.
Характеристики границы раздела и свойства нанослоев оксидов хрома на арсениде галлия [Текст] / Ю. К. Ежовский, А. Л. Егоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1563-1567. - Библиогр.: с. 1567 (19 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- атомно-слоевое осаждение -- метод молекулярного наслаивания -- оксид хрома -- оксид хрома на арсениде галлия -- ультратонкие хромоксидные слои
Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств ультратонких хромоксидных слоев (наноструктур), синтезированных на поверхности арсенида галлия (100) и (110) методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения). Установлено влияние технологических факторов и состава слоев на характеристики границы раздела полупроводник-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Егоров, А. Л.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Образование наноостровков при осаждении меди на поверхность Cu (111) - (9*9) -Ag [Текст] / В. Ю. Юров [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 1. - С. 35-40

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
медь -- осаждение меди -- поверхность Cu (111) - (9*9) -Ag -- петлевые дислокации -- наноостровки -- сканирующая туннельная микроскопия
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследован процесс осаждения меди на предварительно структурированную поверхность Cu (111) - (9*9) -Ag, представляющую собой сеть петлевых дислокаций (9*9).

Доп.точки доступа:
Юров, В. Ю.; Андрюшечкин, Б. В.; Ельцов, К. Н.; Черкез, В. В.

Найти похожие

Влияние подслоя никеля на термическую устойчивость вакуумно-плазменных покрытий на основе нитридов титана и хрома [Текст] / В. В. Углов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 34-39 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вакуумно-плазменные покрытия -- термическая устойчивость покрытий -- защита металлических поверхностей -- электролитические методы -- покрытия на стальных подложках -- комбинированные двухслойные покрытия -- вакуумно-плазменное осаждение
Аннотация: Предложен метод вакуумно-плазменного осаждения комбинированных Ti- Cr-N покрытий на стальную подложку с предварительно нанесенным электролитическим методом подслоем никеля.

Доп.точки доступа:
Углов, В. В.; Даниленок, М. М.; Ходасевич, В. В.; Солодухин, И. А.; Калин, А. В.; Шиманский, В. И.; Ухов, В. А.

Найти похожие

Ташлыков, И. С.
Повреждение поверхности кремния при ионно-ассистированном осаждении Ti и Co покрытий [Текст] / И. С. Ташлыков, О. М. Михалкович // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 45-49 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a539.2

^a621.7

ББК 22.37 + 30.68
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Техника
   Обработка материалов
Кл.слова (ненормированные):
ионно-ассистированное осаждение -- диффузные процессы в кремнии -- металлические покрытия -- индуцированное облучение -- металлические покрытия в условиях самооблучения -- компьютерное моделирование спектров -- метод каналирования
Аннотация: Методом POP/каналирования изучены структурные повреждения поверхности (100) Si при ионно-ассистированном осаждении покрытий на основе Ti и Co.

Доп.точки доступа:
Михалкович, О. М.

Найти похожие

Заболотный, В. Т.
Особенности взаимодействия гиперзвукового потока азота с покрытиями из циркония [Текст] / В. Т. Заболотный, Е. Е. Старостин // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 1. - С. 103-104 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
гиперзвуковые потоки -- азот -- аэродинамический нагрев -- покрытия из циркония -- теплозащитные покрытия -- ионно-атомное осаждение -- космические аппараты -- модули космических кораблей -- радиационно-пучковая обработка
Аннотация: Для снижения аэродинамического нагрева космических кораблей многоразового использования и спускаемых модулей космических аппаратов при входе в плотные слои атмосферы было предложено использовать теплозащитные покрытия, созданные методом ионно-атомного осаждения.

Доп.точки доступа:
Старостин, Е. Е.

Найти похожие

Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения (PECVD) из газовой фазы тетрафторида кремния [Текст] / П. Г. Сенников [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 80-83

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллический кремний -- кремний -- плазмохимическое осаждение -- тетрафторид кремния -- газовая фаза
Аннотация: Сообщается о результатах получения слоев кремния методом плазмохимического осаждения в системе тетрафторид кремния - водород. Образцы исследованы методами рентгеновской дифракции, рамановской спектроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии. По фазовому составу слои представляют собой нанокристаллический кремний с размером кристаллических областей от 3 до 9 нм в зависимости от условий проведения процесса. Образцы обладают интенсивной фотолюминесценцией при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Сенников, П. Г.; Голубев, С. В.; Шашкин, В. И.; Пряхин, Д. А.; Дроздов, М. Н.; Андреев, Б. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кузнецов, А. С.; Поль, Х. - Й.

Найти похожие

ALD-оборудование и технологии компании Beneg Oy - от инновации к внедрению [Текст] / В. Тузовский [и др. ] // Наноиндустрия. - 2009. - N 3. - С. 10-12 : ил.: 3 рис.

УДК

^a658

ББК 30.6
Рубрики: Техника
Организация промышленного производства
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- ALD-технологии -- ALD-оборудование -- атомно-слоевое осаждение -- Beneg Oy
Аннотация: Компания Beneg Oy предлагает ALD-оборудование широкого спектра применения: от лабораторного до промышленного.

Доп.точки доступа:
Тузовский, В.; Кравченко, Д.; Буздуган, А.; Кравченко, А.; Beneg Oy

Найти похожие

Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/SiO[2]/Si (001) [Текст] / В. В. Балашев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 565-571. - Библиогр.: с. 570-571 (26 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оксид кремния -- силицидообразование -- дефекты тонкого слоя -- осаждение железа -- атомно-силовая микроскопия
Аннотация: Рассмотрена кинетика структуры и фазового состава системы Fe/SiO[2]/Si (001) при различных условиях осаждения слоя Fe и последующего отжига. Установлено, что тонкий слой (около 1 nm) SiO[2] не разрушается в процессе осаждения Fe в широком диапазоне температур от 20 до 650 градусов Цельсия, в результате чего пленки Fe различной морфологии формируются на поверхности оксида. При отжиге происходит разрушение слоя SiO[2] в дефектных местах, что приводит к взаимодействию атомов Fe с подложкой Si с последующим образованием силицидов железа.

Доп.точки доступа:
Балашев, В. В.; Коробцов, В. В.; Писаренко, Т. А.; Чусовитин, Е. А.

Найти похожие

Низкотемпературное получение пленок карбида кремния различных политипов [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 714-718

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- осаждение ионов -- структуры растущего политипа -- гетероструктуры -- гетероэпитакция
Аннотация: Изучено влияние температуры на структуру пленок SiC, формируемых в условиях осаждения ионов углерода и кремния с энергией 120 эВ. На основе рентгеноструктурных измерений однозначно установлена тонкая зависимость структуры растущего политипа от температуры подложки. В диапазоне температур 1080-1510 градусов C впервые получена последовательность пленок с политипами 21R, 51R, 27R, 6H. Определено влияние температуры на изменение отношения атомных концентраций Si/C в осаждаемой пленке. С оптимизированными параметрами осаждения выращена пленка со структурой ромбоэдрического политипа 51R.

Доп.точки доступа:
Семенов, А. В.; Пузиков, В. М.; Голубова, Е. П.; Баумер, В. Н.; Добротворская, М. В.

Найти похожие

10.

Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 439-444

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды
Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления.

Доп.точки доступа:
Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	115121
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)