Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (25)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=оптическое поглощение<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.


    Панченко, Т. В.
    Фотохромный эффект в кристаллах Bi[12]SiO[20], легированных молибденом [Текст] / Т. В. Панченко, К. Ю. Стрелец // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 277-281. - Библиогр.: с. 281 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
фотохромный эффект -- оптическое поглощение -- спектры стационарного поглощения -- спектры фотоиндуцированного поглощения -- легирование молибденом
Аннотация: Исследованы спектры стационарного и фотоиндуцированного поглощения кристаллов Bi[12]SiO[20], легированных молибденом. Показано, что примесное поглощение обусловлено ионами Mo{6+} и Mo{5+}, занимающими близкие к тетраэдрическим позиции Si{4+}. Предлагается механизм фотохромного эффекта включающий изменение зарядового состояния примесных ионов молибдена по схеме: Mo{6+}[Si] + e{-} - Mo{5+}[Si].


Доп.точки доступа:
Стрелец, К. Ю.

Найти похожие

2.


    Григорькин, А. А.
    Оптическое поглощение в нанотрубке со спиральной симметрией при продольной поляризации излучения [Текст] / А. А. Григорькин, С. М. Дунаевский // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 403-409. - Библиогр.: с. 409 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
нанотрубки -- нанотрубки со спиральной симметрией -- продольная полчризация излучения -- оптическое поглощение -- линейно-поляризованное излучение -- магнитоиндуцированный фотогальванический эффект -- фотогальванический эффект
Аннотация: Рассмотрены поглощение линейно поляризованного излучения и магнитоиндуцированный фотогальванический эффект для модели нанотрубки, спиральная симметрия которой обусловлена протяженным дельта-потенциалом. Плоскость поляризации излучения ориентирована вдоль оси трубки. Получены аналитические выражения для стационарного тока, возникающего при поглощении линейно поляризованного излучения как малой, так и большой интенсивности.


Доп.точки доступа:
Дунаевский, С. М.

Найти похожие

3.


   
    Получение и оптические свойства кристаллов ZnSe : Ni [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 149-153 : ил. - Библиогр.: с. 152 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- ZnSe -- селениды цинка -- никель -- Ni -- диффузионное легирование -- метод диффузионнного легирования -- инфракрасные излучения -- легирование -- оптическое поглощение -- спектры -- люминесценция -- коэффициент диффузии -- температура
Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe: Ni, полученные методом диффузионного легирования. Диффузия осуществлялась из металлического никеля в атмосфере гелия и аргона. Исследованы спектры оптической плотности в области длин волн 0. 4-3 мкм. По величине смещения края поглощения определена концентрация никеля в исследуемых кристаллах. Идентифицированы спектры оптической плотности и люминесценции ZnSe: Ni. Диффузионный профиль примеси никеля определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии никеля в кристаллах ZnSe при температурах 1073-1273 K.


Доп.точки доступа:
Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.

Найти похожие

4.


   
    Модуляция оптического поглощения пленок полидифениленфталида вблизи порога переключения [Текст] / А. Н. Лачинов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 1. - С. 181-186. - Библиогр.: с. 185-186 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
оптическое поглощение -- пленки полидифениленфталида -- метод модуляционной спектроскопии -- модуляционные спектры -- электропоглощение пленок -- полидифениленфталид
Аннотация: Методом модуляционной спектроскопии исследованы оптические свойства пленок несопряженного полимера полидифенилфталида вблизи порога электронного переключения. Измеренные спектры имеют особенности в области запрещенных энергий около 2. 4 eV. Интерпретация полученного результата проведена с использованием квантово-химических расчетов электронных энергетических характеристик полимерной молекулы. Установлено, что при инжекции носителей заряда в полимерную пленку и взаимодействии этого избыточного заряда с макромолекулой возможно формирование глубоких ловушечных состояний вблизи середины запрещенной зоны.


Доп.точки доступа:
Лачинов, А. Н.; Жданов, Э. Р.; Рахмеев, Р. Г.; Салихов, Р. Б.; Антипин, В. А.

Найти похожие

5.


   
    Оптическое поглощение и ядерный магнитный резонанс в литий-титановой шпинели, легированной хромом [Текст] / Д. Г. Келлерман [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 3. - С. 430-435. - Библиогр.: с. 434-435 (34 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
оптическое поглощение -- литий-титановая шпинель -- спектры оптического поглощения -- твердые растворы -- кубическая шпинель -- ядерный магнитный резонанс
Аннотация: Исследованы спектры оптического поглощения и ядерного магнитного резонанса для твердых растворов Li[4-x]Cr[3x]Ti[5-2x]O[12] (x=0; 0. 01; 0. 02; 0. 04). Установлено, что при повышении температуры в шпинели состава Li4Ti5O12 происходит переход ионов лития с тетра- на октапозиции. Добавление хрома в шпинель способствует увеличению доли тетраэдрически координированного лития и затрудняет диффузию.


Доп.точки доступа:
Келлерман, Д. Г.; Мухина, Н. А.; Журавлев, Н. А.; Валова, М. С.; Горшков, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


   
    Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 463-466 : ил. - Библиогр.: с. 466 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- ZnSe -- селенид цинка -- поглощение -- оптическое поглощение -- диффузионное легирование -- метод диффузионного легирования -- диффузия железа -- оптические переходы -- оптическая плотность кристаллов -- оптические свойства -- температура -- температурная зависимость
Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe : Fe, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0. 4-3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация железа в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : Fe в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси железа определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии железа в кристаллах ZnSe при температурах 1120-1320 K. При 1270 K коэффициент диффузии железа составляет 3x10{-10} см{2}/с.


Доп.точки доступа:
Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

7.


    Зацепин, А. Ф.
    Статика и динамика возбужденных состояний кислородно-дефицитных центров в SiO[2] [Текст] / А. Ф. Зацепин // Физика твердого тела. - 2010. - Т.52, N 6. - С. 1104-1114. - Библиогр.: с. 1113-1114 (40 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
оптическое поглощение -- люминесценция -- фотоэлектронная спектроскопия -- ислородно-дефицитные центры -- электронные переходы -- безызлучательная передача возбуждений
Аннотация: Методами спектроскопии оптического поглощения, люминесценции и фотоэлектронной эмиссии исследованы параметры возбужденных состояний кислородно-дефицитных центров (ODC) в облученных быстрыми электронами кристаллическом и стеклообразном SiO[2]. Получены дополнительные аргументы в пользу модели нейтральной кислородной вакансии ODC, уточнена схема электронных переходов и определены их количественные характеристики. На примере центров alpha-ODC показана возможность ионизации синглетного и триплетного состояний дефекта при переходе в аномально релаксированную конфигурацию. Обнаружен эффект безызлучательной передачи возбуждения от центров немостикового кислорода на триплетное состояние ODC.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

8.


   
    Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 845-852. : ил. - Библиогр.: с. 851-852 (25 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- нанокристаллические пленки -- карбид кремния -- подложки -- ионное осаждение -- рентгеноструктурный анализ -- метод рентгеноструктурного анализа -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- оптическая спектроскопия -- оптическое поглощение -- ОП -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- нанокристаллические политипы -- оптическое отражение -- ОО
Аннотация: Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, - нижнего (на подложке) кубического политипа 3C и верхнего ромбоэдрического политипа 21R с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения.


Доп.точки доступа:
Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Баумер, В. Н.; Дмитрук, И. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

9.


    Вейс, Александр Николаевич.
    Особенности энергетического спектра и свойств поликристаллических пленок Pb[1-x]Cd[х]Se, сформированных на подложках из фтористого кальция и стекла [Текст] / А. Н. Вейс, В. И. Ильин, Н. Э. Тропина // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 7-17 : ил., табл. - Библиогр.: с. 17 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354
УДК
ББК 22.3
Рубрики: Физика
   Физические приборы и методы физического эксперимента

Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические пленки -- подложки -- подложки из фтористого кальция -- стеклянные подложки -- композитные пленки -- оптическое поглощение -- диэлектрические фазы -- кристаллиты -- фотопроводимость -- фотолюминесценция -- высокотемпературная обработка -- селенид свинца -- кислородсодержащая среда -- отжиг -- отжиг в парах йода
Аннотация: В результате выполненной работы, установлено, что высокотемпературная обработка пленок на стекле в кислородсодержащей среде создает композитную пленку из основного материала и диэлектрической фазы. Показано, что отжиг в парах йода сопровождается появлением фотопроводимости и резким усилением люминесценции.Hightemperature treatment of films on the glass substrates creates compisite films of main materials and dielectric phase in the oxygen-containing medium. In thiscase the concentration of free holes in the vicinity of the crystallites surface decreases and photoluminescence of films grows up. Annealing in iodide vapor leads to the appearance of photoconductivity and to sharp intensification of photoluminescence of films. The effects are explained by inversion of surface conductivity in PbSe crystallites because of formation of localized states having the donor character.


Доп.точки доступа:
Ильин, Владимир Иванович (1937-); Тропина, Наталья Эдуардовна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.


   
    Оптическое поглощение в квантовых точках Ge/Si при разных степенях заполнения состояний точек [Текст] / М. С. Аникеева [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 4 (158). - С. 9-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.) . - ISSN 1994-2354
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
квантовая оптика -- квантовые точки -- оптическое поглощение -- поляризация -- поляризационные спектры -- инфракрасный свет -- фотолюминесценция -- наноструктуры
Аннотация: Исследованы спектры поглощения излучения различной поляризации в структурах с квантовыми точками Ge/Si, имеющими различный уровень легирования при фотовозбуждении неравновесных носителей заряда. Получена зависимость коэффициента поглощения света при переходах дырок из основного состояния квантовых точек в состояния непрерывного спектра от концентрации легирующей примеси.The polarization absorption spectra of the Ge/Si quantum dot structures with different doping levels under the photoexcitation of nonequilibrium charge carriers have been investigated. The dependence of the optical absorption coefficient of the holes related to the transitions from the ground state of the quantum dots to the states of continuous spectrum was investigated as a function of dopant concentration.


Доп.точки доступа:
Аникеева, Мария Сергеевна; Винниченко, Максим Яковлевич; Фирсов, Дмитрий Анатольевич (1954-); Воробьев, Леонид Евгеньевич (1939-); Тонких, Александр Александрович
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 1-10    11-21   21-21 
 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 117805
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)