Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:БД "Книги" (4)БД "Статьи" (25)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=оптическая микроскопия<.>)
Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-22 
1.


   
    Исследование микроструктуры высокоэрцитивных литых образцов Sm-Zr-Co-Cu-Fe методами оптической и атомно-силовой микроскопии [Текст] / М. Б. Ляхова [и др. ] // Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. 22-29. - Библиогр.: с. 29 (5 назв. )
УДК
ББК 22.334
Рубрики: Физика
   Магнетизм

Кл.слова (ненормированные):
оптическая микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- плавы -- порошковые постоянные магниты
Аннотация: Изучение изменения микроструктуры литых образцов в процессе термической обработки.


Доп.точки доступа:
Ляхова, М. Б.; Семенова, Е. М.; Андреев, И. В.; Каплунов, И. А.

Найти похожие

2.


    Столина, А. Е.
    Гранулометрический анализ порошка кремния [Текст] / А. Е. Столина, Н. В. Пименова // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 2. - С. 31-34. - Библиогр.: с. 5 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
ББК 22.37 + 22.341 + 24.66
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Экспериментальные методы и аппаратура оптики

   Химия

   Грубодисперсные системы

Кл.слова (ненормированные):
гранулометрический анализ -- порошок кремния -- оптическая микроскопия -- микроскопия -- диспергирование порошка -- метод лазерной дифракции -- лазерная дифракция -- дифракция -- порошковые материалы -- металлографический метод -- фотоседиментационный анализ
Аннотация: Представлены результаты определения гранулометрического состава порошка кремния методом оптической микроскопии.


Доп.точки доступа:
Пименова, Н. В.

Найти похожие

3.


    Беспалова, Н. В.
    Моделирование оптического поля в ближней зоне [Текст] / Н. В. Беспалова // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2009. - N 43. - С. 20-24 : ил. - Библиогр.: с. 24 (4 назв. ) . - ISSN 1999-8341
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- оптическая микроскопия -- численное моделирование -- оптические поля -- синусоидальные дифракционные решетки -- моделирование рассеяния света
Аннотация: Представлен полуаналитический метод расчета оптического поля рассеяния в ближней зоне. Приведены результаты моделирования для диэлектрической и проводящей поверхностей.


Найти похожие

4.


   
    Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции [Текст] / В. Г. Талалаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1084-1092. : ил. - Библиогр.: с. 1091 (12 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
туннельно-инжекционные наноструктуры -- ТИНС -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- эмиттеры -- модель Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна -- Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна модель -- наномостики -- люминесценция -- кинетика люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- туннелирование электрического тока -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии
Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-инжекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In[0. 15]Ga[0. 85]As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In[0. 6]Ga[0. 4]As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре.


Доп.точки доступа:
Талалаев, В. Г.; Сеничев, А. В.; Новиков, Б. В.; Tomm, J. W.; Elsaesser, T.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Gosele, U.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

5.


    Апасов, Александр Михайлович.
    Изучение влияния излучения оптического квантового генератора на поведение трещиноподобных дефектов в стали [Текст] / А. М. Апасов // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 317, N 2 : Математика и механика : Физика. - С. 90-97. : ил. - Библиогр.: с. 97 (14 назв. )
УДК
ББК 22.361 + 30.3 + 32.846 + 22.343
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики

   Техника

   Материаловедение

   Радиоэлектроника

   Усилительные устройства

   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
оптические генераторы -- оптические квантовые генераторы -- квантовые генераторы -- стали -- трещиноподобные дефекты -- трещины -- дефекты -- концентрированные потоки энергии -- лазерное излучение -- оптическая микроскопия -- электронная микроскопия -- рентгеноструктурный анализ -- фазовый состав -- зеренная структура -- дефектная структура -- дислокационная структура
Аннотация: Изучено воздействие концентрированных потоков энергии лазерного излучения на трещиноподобные дефекты. Методами оптической, электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа исследована структура основного металла, области проплавления по границе основного металла и заклепки, а также металла самой заклепки. Были диагностированы фазовый состав, зеренная и дислокационная структура области проплавления и ее окрестностей. Экспериментально подтверждена возможность устранения (проплавления) дефектов типа трещин с выходом на поверхность металла.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

6.


   
    О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 289-294. : ил. - Библиогр.: с. 294 (18 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- слитки карбида кремния -- дефектные структуры -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- метод Лели -- Лели метод -- монокристаллы -- 4H-SiC -- ямки травления -- линейные особенности -- линии скольжения -- доменные границы -- базисные дислокации -- деградация -- микропоры -- малоугловые границы -- дефекты слитков
Аннотация: Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001) С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>{1100} для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см{-2} и практически не изменяется при увеличении размера слитков.


Доп.точки доступа:
Авров, Д. Д.; Булатов, А. В.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Фадеев, А. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

7.


    Сметанников, В. А.
    Анализ отказов электронных элементов и интегральных схем [Текст] / В. А. Сметанников // Наукоемкие технологии. - 2011. - Т. 12, N 8. - С. 68-70. : ил. - Библиогр.: с. 70 (1 назв. )
УДК
ББК 39.15
Рубрики: Транспорт
   Транспортные силовые установки

Кл.слова (ненормированные):
анализ отказов -- отказы элементов -- электронные элементы -- интегральные микросхемы -- неразрушающий контроль -- контроль качества -- рентгенография -- рентгеноспектроскопия -- оптическая микроскопия -- управление надежностью -- компоненты интегральных микросхем
Аннотация: Описаны основные виды отказов элементов интегральных схем и предложены методы их исследования.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

8.


    Аверченков, В. И.
    Исследование точности позиционирования объектов при оптической микроскопии с управлением через Интернет [Текст] / В. И. Аверченков, В. В. Спасенников, Р. А. Филиппов // Вестник Брянского государственного технического университета. - 2012. - № 1. - С. 125-130. . - Библиогр.: с. 130 (7 назв. )
УДК
ББК 34.96
Рубрики: Приборостроение
   Технология приборостроения

Кл.слова (ненормированные):
оптическая микроскопия -- Интернет -- автоматизированные системы -- АСНИ -- программно-аппаратные комплексы -- позиционирование объектов -- приводы управления
Аннотация: Рассмотрены вопросы аппаратной реализации АСНИ для микрогеометрического анализа на основе оптической микроскопии. Описаны приводы управления перемещениями узлов микроскопа и основные аппаратные решения, используемые при создании комплекса.


Доп.точки доступа:
Спасенников, В. В.; Филиппов, Р. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

9.


    Чижова, Екатерина Викторовна.
    Расчет системы фокусировки первичного излучения в рентгенофлуоресцентном микроанализаторе [Текст] / Е. В. Чижова, Н. Н. Ершов // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 1 (141). - С. 41-44 : ил., табл., схемы. - Библиогр.: с. 44 (7 назв.) . - ISSN 1994-2354
УДК
ББК 22.346 + 22.3с
Рубрики: Физика
   Рентгеновские лучи. Гамма-лучи

   Физические приборы и методы физического эксперимента

Кл.слова (ненормированные):
рентгеновские линзы -- поликапиллярные рентгеновские линзы -- первичное излучение -- микроанализаторы -- рентгенофлуоресцентные микроанализаторы -- рентгеновская оптика -- оптическая микроскопия -- рентгеновские трубки
Аннотация: Статья посвящена оптимизации системы формирования потока первичного рентгеновского излучения в рентгенофлуоресцентном микроанализаторе. Приведены результаты теоретических расчетов, позволивших смоделировать работу системы рентгеновская трубка - поликапиллярная рентгеновская линза и определить оптимальные параметры ее сопряжения.


Доп.точки доступа:
Ершов, Николай Николаевич
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.


    Попова, Светлана Степановна (доктор химических наук; профессор).
    Электрохимическое модифицирование поверхности титана в кислых фуллеренсодержащих растворах молибдата натрия [Текст] / С. С. Попова, А. Е. Гоц, Ю. П. Маковецкая // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2012. - № 68. - С. 100-104 : ил. - Библиогр.: с. 104 (4 назв.) . - ISSN 1999-8341
УДК
ББК 24.57
Рубрики: Химия
   Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
модифицирование -- поверхности -- титан -- фуллеренсодержащие растворы -- молибдаты натрия -- потенциостатические кривые -- оптическая микроскопия -- Ti -- растворы -- Na2MoO4 -- смеси -- фуллерены -- H3PO4 -- CH3COOH
Аннотация: Методом потенциостатических кривых i, t, оптической микроскопии исследовано поведение Ti в растворах Na2MoO4 и его смеси с H3PO4+CH3COOH при различных концентрациях фуллерена С60 в растворе. Рассчитаны диффузионно-кинетические характеристики. Определены краевой угол смачивания, микротвердость образцов, обработанных в указанных растворах.The method of potentiostatic curves i, t, and the optical microscope was applied for the study of the Ti behavior in the Na2MoO4 solution and its mixture with H3PO4 + CH3COOH at different concentrations of the C60 solution. The diffusion-kinetic characteristics have been calculated. The contact angle, and the microhardness of the samples processed in the given solutions has been determined.


Доп.точки доступа:
Гоц, Александр Евгеньевич (аспирант); Маковецкая, Юлия Петровна (студент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 1-10    11-20   21-22 
 
Статистика
за 22.08.2024
Число запросов 72232
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)