Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оксид вольфрама<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Импульсная фото- и катодолюминесценция кристаллов LiF, активированных оксидом вольфрама [Текст] / Л. А. Лисицына [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2012. - Т. 112, № 2. - С. 200-206 : граф. - Библиогр.: с. 206 (16 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- фотолюминесценция -- катодолюминесценция -- импульсная люминесценция -- импульсная спектроскопия -- оксид вольфрама -- ионизирующая радиация
Аннотация: Исследованы спектрально-кинетические характеристики активаторной фото- и катодолюминесценции кристаллов LiF-O и LiF-Wo[3] в спектральной области 3, 6-1, 6 эВ методами импульсной спектрометрии.

Доп.точки доступа:
Лисицына, Л. А.; Корепанов, В. И.; Абдрахметова, А. А.; Тимошенко, Н. Н.; Даулетбекова, А. К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Черкашина, Н. И.
Фазовые переходы и изменение электрофизических свойств WO3 в температурном диапазоне 8373 К [Текст] / Н. И. Черкашина, В. И. Павленко, Р. Н. Ястребинский // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 5. - С. 126-131. - Библиогр.: с. 131 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a537.311.33

ББК 22.37 + 22.379
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрика -- диэлектрические характеристики -- кристаллическая структура -- микроискажения кристаллической решетки -- оксид вольфрама -- плотность дислокаций -- радиационно-защитный наполнитель -- температурное воздействие -- электрофизика
Аннотация: Представлены данные по изменению кристаллической структуры и диэлектрических характеристик WO[3] в температурном диапазоне от 83 до 673 К, а также результаты рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии изучаемых материалов. Установлено, что охлаждение порошка WO[3] до температуры 83 К вызывает изменение кристаллической фазы с триклинной на моноклинную. Дальнейший обжиг до температуры 673 К вновь изменяет кристаллическую структуру на триклинную фазу. Максимальный рефлекс для исходного WO[3], и обоженного до температуры 673 К наблюдается при 2Q = 24. 34°, а для WO[3], подвергнутого выдержке при низкой температуре, максимальный рефлекс при 2Q = 23. 08°. Обжиг порошка WO3 приводит к изменению параметра а элементарной ячейки для максимального рефлекса 2Q =24. 34°: а = 6. 333 A' (для исходного WO3), а = 6. 339 A' (для WO[3], подвергнутого обжигу). Измерены и вычислены основные электрофизические характеристики исследуемых порошков WO[3]: поверхностное сопротивление, удельное поверхностное сопротивление и удельная электропроводность, электрическая проводимость, диэлектрическая проницаемость, тангенс угла диэлектрических потерь.

Доп.точки доступа:
Павленко, В. И.; Ястребинский, Р. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 24.07.2024
Число запросов	120977
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)