Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=оксидные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Коржавый, А. П.
Процессы переноса в наноструктурах Ве-ВеО: моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом [Текст] / А. П. Коржавый, В. П. Марин, Д. К. Никифоров // Наукоемкие технологии. - 2007. - Т. 8. N 4. - С. 4-10 : ил. - Библиогр.: с. 10 (14 назв. ) . - ISSN 1999-8465

УДК

^a537.2

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
процессы переноса -- наноструктуры Ве-ВеО -- Ве-ВеО -- моделирование инжекционных токов -- инжекционные токи -- пространственные заряды -- нанопленочные структуры -- оксидные слои -- свободные носители заряда -- металлы -- физические параметры -- диэлектрик BeO -- BeO -- носители заряда
Аннотация: Проведено компьютерное моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом, в нанопленочных структурах Ве-ВеО; показано, что проводимость оксидного слоя определяется свободными носителями заряда, инжектированными из металла и не захваченными ловушками; на основании конкретных значений физических параметров диэлектрика ВеО построены модели тока, ограниченного пространственным зарядом, и зависимости инжекционного тока от приложенного напряжения и толщины оксидного слоя.

Доп.точки доступа:
Марин, В. П.; Никифоров, Д. К.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Астапов, А. Н.
Высокотемпературные микрокомпозиционные тонкослойные покрытия с микро-, субмикро- и наноразмерной структурой оксидных слоев [Текст] / А. Н. Астапов, В. С. Терентьева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76, N 7. - С. 24-32. - Библиогр.: с. 32 (14 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a620.1/.2

^a620.193

^a669.017

ББК 30.3 + 34.66 + 34.2
Рубрики: Техника
   Материаловедение
   Машиностроение
   Коррозия металлов. Защита металлов от коррозии
   Технология металлов
   Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
покрытия -- высокотемпературные покрытия -- микрокомпозиционные покрытия -- тонкослойные покрытия -- микроразмерные структуры -- субмикроразмерные структуры -- наноразмерные структуры -- оксидные слои -- углеродсодержащие материалы -- композиционные материалы -- защитные покрытия -- диффузионные процессы -- жаростойкие материалы -- гетерофазные покрытия -- стойкость покрытий
Аннотация: Рассмотрены физико-химические аспекты создания высокотемпературных гетерофазных микрокомпозиционных тонкослойных защитных покрытий силицидного типа с микро-, субмикро- и наноразмерными оксидными слоями на углеродсодержащих композиционных материалах.

Доп.точки доступа:
Терентьева, В. С.; Московский авиационный институт (государственный технический университет)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках p-типа [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - Т. 77, N 1. - С. 42-48. . - Библиогр.: с. 48 (24 назв. )

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
электронно-энергетическое строение -- поверхностные слои -- пористый кремний -- ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия -- рентгеновская спектроскопия -- эмиссионная спектроскопия -- USXES -- XANES -- спектроскопия -- оксидные слои -- кремний-кислородные тетраэдры -- рентгеновское поглощение
Аннотация: Исследовано атомное и электронное строение поверхностных слоев пористого кремния.

Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.; Терехов, В. А.; Турищев, С. Ю.; Ховив, Д. А.; Паринова, Е. В.; Скрышевский, В. А.; Гаврильченко, И. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Леонова, Татьяна Михайловна (аспирантка кафедры физической электроники).
Диэлектрическая релаксация в мдп-структурах на основе оксида алюминия [Текст] = Dielectric relaxation of tir-structures based on aluminium oxide layers / Т. М. Леонова, Р. А. Кастро // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2012. - № 144. - С. 45-51 : 6 рис. - Библиогр.: c. 50-51 (7 назв. ) . - ISSN 1992-6464

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
мдп-структура -- оксидные слои -- диэлектрические параметры -- полупроводники -- диэлектрики
Аннотация: Приведены экспериментальные исследования диэлектрических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания с использованием различных реагентов.

Доп.точки доступа:
Кастро, Рене Алехандро (профессор)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	18791
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)