Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=облучение электронами<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC
Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}.

Доп.точки доступа:
Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Многопереходные солнечные элементы с брэгговскими отражателями на основе структур GaInP/GaInAs/Ge [Текст] / В. М. Емельянов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1649-1654. : ил. - Библиогр.: с. 1654 (22 назв. )

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
многопереходные элементы -- солнечные элементы -- брэгговские отражатели -- GaInP/GaInAs/Ge -- субэлементы -- облучение электронами -- GaInAs -- Ge -- фотопреобразователи -- дозы электронов -- геосинхронные орбиты -- оптимизация структур -- гетероструктуры -- радиационное облучение -- неоптимизированные элементы -- фототоки
Аннотация: Теоретически исследовано влияние параметров субэлементов на величину кпд в каскадных солнечных элементах на основе GaInP/Ga (In) As/Ge при облучении электронами с энергией 1 МэВ с дозами до 3·10{15} см{-2}. Определены оптимальные толщины субэлементов GaInP и GaInAs, обеспечивающие наилучшее согласование фототоков при различных дозах облучения как в солнечных элементах со встроенными брэгговскими отражателями, так и без них. Рассчитаны зависимости кпд фотопреобразователей от дозы электронов с энергией 1 МэВ и времени нахождения на геосинхронной орбите при оптимизации структур элементов на начало и конец срока эксплуатации. Показано, что оптимизация гетероструктур субэлементов под расчетную дозу радиационного облучения и встраивание в структуру брэгговских отражателей позволяют обеспечить суммарное увеличение кпд при эксплуатации солнечных элементов на орбите на 5% по сравнению с неоптимизированными элементами без брэгговского отражателя.

Доп.точки доступа:
Емельянов, В. М.; Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Шварц, М. З.; Лантратов, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Михайлов, М. М.
Сравнительный анализ оптических свойств облученных электронами покрытий на основе порошков BaTiO_3, модифицированных микро- и нанопорошками ZrO_2 различной концентрации [Текст] / М. М. Михайлов, Т. А. Утебеков, С. А. Юрьев // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 3-10 : рис. - Библиогр.: c. 10 (16 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a535.2/.3

^a621.762

ББК 22.37 + 22.343 + 34.39
Рубрики: Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика
   Физическая оптика
   Порошковая металлургия
   Технология металлов
Кл.слова (ненормированные):
диоксид циркония -- модифицирование порошков BaTiO_3 -- нанопорошки -- облучение электронами -- облученные покрытия -- оптические свойства покрытий -- полосы поглощения -- порошки BaTiO_3 -- радиационная стойкость покрытий -- спектры отражения -- термостабилизирующие поверхности -- титанаты бария
Аннотация: Исследованы спектры диффузного отражения в диапазоне 350-2100 нм и радиационная стойкость покрытий на основе порошков BaTiO_3, модифицированных нанопорошками ZrO2 различной концентрации. Установлено существенное влияние модифицирования на полосы поглощения в длинноволновой области от 600 до 2100 нм и слабое влияние на полосу поглощения в коротковолновой области спектра. Выполнен сравнительный анализ закономерностей изменения интенсивности полос и интегрального коэффициента поглощения солнечного излучения при модифицировании порошков BaTiO_3 микро- и наночастицами ZrO_2.

Доп.точки доступа:
Утебеков, Т. А.; Юрьев, С. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Устойчивость к облучению (HgSe)[3](In[2]Se[3])Mn [Текст] / И. П. Козярский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 7. - С. 3-7 : рис., табл. - Библиогр.: с. 6-7 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.3/.6

^a537.311.33

^a539.2

ББК 30.121 + 22.379 + 22.37
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кластер -- кристаллы -- магнитная восприимчивость -- облучение электронами -- полупроводниковые материалы -- электропроводность -- электрофизика кристаллов
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe) [3] (In[2]Se[3]) , являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe) [3] (In[2]Se[3]) высокоэнергетическими электронами (E[e] = 10 МэВ, доза D = 10{16} см{-2}) слабо влияет на электрофизические и магнитные свойства, что свидетельствует об их высокой радиационной стойкости.

Доп.точки доступа:
Козярский, И. П.; Маслюк, В. Т.; Марьянчук, П. Д.; Майструк, Э. В.; Козярский, Д. П.; Мегела, И. Г.; Лашкарев, Г. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности радиационных изменений электрических свойств InAlN/GaN HEMT [Текст] / Афонин А. Г., Брудный В. Н., Брудный П. А., Великовский Л. Э. // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 106-112. - Библиогр.: с. 112 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

^a537.311.33

^a537

ББК 22.37 + 22.379 + 22.33
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
InAlN/GaN-транзистор -- высокоэнергетическая радиация -- нитрид галлия -- облучение гамма-лучами -- облучение протонами -- облучение электронами -- радиационная стойкость -- радиационные ловушки -- уровень зарядовой нейтральности -- электрические свойства InAlN/GaN HEMT
Аннотация: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев.

Доп.точки доступа:
Афонин, А. Г.; Брудный, В. Н.; Брудный, П. А.; Великовский, Л. Э.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	30390
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)