Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (18)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=нитрид галлия<.>)

Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20

Плотность каскадов смещений кластерного иона: методика расчета и влияние на образование структурных нарушений в ZnO и GaN [Текст] / П. А. Карасев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 721-729 : ил. - Библиогр.: с. 729 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
ионы -- кластерные ионы -- статистический расчет -- каскады -- структурные нарушения -- оксид цинка -- нитрид галлия -- каскады смещений
Аннотация: Предложен метод статистического расчета параметров усредненного индивидуального каскада столкновений, создаваемого кластерным ионом, состоящим из небольшого числа атомов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в ZnO и GaN, облучаемых при комнатной температуре ионами PF[n] (n=0, 2, 4), с энергией 1. 3 кэВ/а. е. м. Показано, что для ZnO плотность каскада смещений не оказывает влияния на концентрацию стабильных постимплантационных повреждений в районе объемного пика, но существенно влияет на нее в приповерхностной области. Для GaN с ростом плотности каскада смещений наблюдается как рост концентрации стабильных дефектов в области объемного максимума дефектов, так и увеличение толщины поверхностного аморфного слоя.

Доп.точки доступа:
Карасев, П. А.; Азаров, А. Ю.; Титов, А. И.; Кучеев, С. О.

Найти похожие

Громов, Д. В.
Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия [Текст] / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 39-48. . - Библиогр.: с. 48 (13 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
нитрид галлия -- ионизирующее излучение -- наногетероструктуры -- двумерный электронный газ -- СВЧ-элементная база -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов.

Доп.точки доступа:
Матвеев, Ю. А.; Федоров, Ю. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами [Текст] / П. А. Карасев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 49-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- МД-моделирование -- молекулярно-динамическое моделирование -- каскады столкновений -- молекулярный эффект -- точечные дефекты -- внутрикаскадная рекомбинация -- атомарные ионы
Аннотация: Описаны результаты МД-моделирования бомбардировки открытой поверхности (0001) GaN ускоренными атомарными (F, P, Ag) и молекулярными (PF[2], PF[4]) ионами с энергией 50 эВ/а. е. м. Обращено внимание на внутри-каскадную рекомбинацию образующихся точечных дефектов и генерацию простейших точечных дефектов тяжелыми ионами Ag и молекулами PF[4].Results of atomistic simulation of (0001) GaN surface bombardment by 50 eV/a. m. u. atomic (F, P, Ag) and molecular (PF[2] and PF[4]) ions are presented. Strong in-cascade recombination of generated point defects is found. Final defect distributions are significantly shifted towards the surface. Both these findings are in good agreement with experimental data on formation of structural defects in GaN under accelerated ion irradiation. Enhanced defect generation as compared to approximation given by binary collisions is found for heavy atomic (Ag) and molecular (PF[4]) ions. In the case of molecular ion the mentioned effect is observed close to the sample surface only.

Доп.точки доступа:
Карасев, Платон Александрович; Титов, Андрей Иванович (1939-); Улла, Мохаммад Вали; Джурабекова, Флюра; Куронен, Антти; Нордлунд, Кай
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами [Текст] / К. В. Карабешкин [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 55-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (14 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- свеллинг -- распыление -- топография поверхности -- молекулярный эффект -- каскады столкновений -- атомарные ионы
Аннотация: В статье рассмотрено влияние плотности каскадов столкновений на изменение свойств поверхности GaN при его бомбардировке ускоренными атомарными и молекулярными ионами. Показано, что при малых плотностях свеллинг преобладает над распылением, а при больших - наоборот, доминирует распыление. Шероховатость поверхности увеличивается при увеличении массы иона/размера кластера. Установлен пороговый характер развития этих процессов и определены пороговые дозы начала развития особенностей топографии поверхности и изменения толщины модифицируемых слоев.Effect of collision cascade density on GaN surface properties under molecular and atomic ion bombardment have been studied. At low level of cascade density swelling prevails sputtering. In the case of molecular ion irradiation, when cascade is high, sputtering is more effective than swelling. Threshold behavior of these phenomena is established and corresponding values are found. Physical reasons are suggested.

Доп.точки доступа:
Карабешкин, Константин Валерьевич; Карасев, Платон Александрович; Беляков, Владимир Сергеевич; Архипов, Александр Викторович; Титов, Андрей Иванович (1939-)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Ламкин, Иван Анатольевич.
Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия [Текст] / И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (1 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- твердые растворы -- нитрид галлия -- нитрид алюминия -- фотоприемники -- ультрафиолетовые фотоприемники -- омический контакт -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- фоточувствительные структуры
Аннотация: Рассмотрены проблемы создания качественных омических и выпрямляющих контактов к твердым растворам AlGaN с большой долей Al. Изложены основные проблемы при создании ультрафиолетовых фоточувствительных структур на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN.The paper considers the problem of creating high-quality ohmic and rectifying contacts to AlGaN solid solutions with a high degree of Al. The basic problems connected with creating ultraviolet photosensitive structures based on the contact metal - AlGaN solid contacts are presented.

Доп.точки доступа:
Менькович, Екатерина Андреевна; Тарасов, Сергей Анатольевич
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Получение слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций [Текст] / В. В. Мамаев [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 4 (158). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- нитрид галлия -- плотность дислокаций -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- атомно-силовая микроскопия -- СВЧ-транзисторы -- многослойные гетероструктуры
Аннотация: Цель работы - выращивание кристаллически совершенных слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций и высокой подвижностью электронов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на инородных подложках с использованием аммиака в качестве источника активного азота, а также в снижении стоимости гетероструктур для изготовления сверхвысокочастотных полевых транзисторов.Purpose is to grow perfect crystal gallium nitride layers with low dislocation density and high electron mobility by molecular beam epitaxy on foreign substrates using ammonia as a source of active nitrogen, and also to reduce the cost of manufacturing of microwave heterostructure field effect transistors.

Доп.точки доступа:
Мамаев, Виктор Викторович; Сидоров, Валерий Георгиевич (1939-); Петров, Станислав Игоревич; Алексеев, Алексей Николаевич
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Коаксиальные нанокабели для солнечной энергетики [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2013. - № 2. - С. 76 : ил.

УДК

^a620.91:662.97

ББК 31.63
Рубрики: Энергетика
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
изоляция кабеля -- нитрид галлия -- фосфид -- полупроводники -- солнечные батареи -- нанопроволока -- изолирующие материалы
Аннотация: Разработка нового типа нанопроволоки - тонкого коаксиального кабеля, изолирующий слой которого состоит из нитрида галлия, а внешняя оболочка - из фосфида.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами ingan/gan [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр.: c. 35 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.55/.58

^a621.383

ББК 31.232 + 32.854
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
   Фотоэлектрические приборы
   Радиоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
внутренняя квантовая эффективность -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиодные структуры синего диапазона -- светодиоды -- соединения нитридов III-N -- физика соединений
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN и сверхрешетками.

Доп.точки доступа:
Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 99-101 : рис. - Библиогр.: c. 101 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
влияние диффузии магния -- внутренняя квантовая эффективность -- диффузия магния -- квантовая эффективность -- магний -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- фотолюминесценция светодиодных структур
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN от температуры роста слоя p-GaN. Обсуждается влияние диффузии магния на фотолюминесцентные характеристики исследованных светодиодных структур.

Доп.точки доступа:
Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Верешков, Г. М.
Обнаружение нового фазового перехода в нитриде галлия при 22 ГПа [Текст] / Г. М. Верешков, О. В. Наскалова // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 8. - С. 1002-1005. - Библиогр.: c. 1005 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a539.32

^a548.3

ББК 30.121 + 26.303
Рубрики: Техника
   Сопротивление материалов
   Геология
   Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
Brennan-Stacey модель -- Бардина модель -- Берча-Мурнагана -- Винета модель -- модели механики конечных деформаций сплошной среды -- модель Brennan-Stacey -- модель Бардина -- модель Берча-Мурнагана -- модель Винета -- модель Парсафара-Месона -- модель Томсена -- нитрид галлия -- Парсафара-Месона модель -- Томсена модель -- уравнения состояния механики сплошных сред -- фазовые переходы
Аннотация: Рентгеновские данные о зависимости объема (V) элементарных ячеек GaN от давления (Р) аппроксимировали в соответствии с уравнениями состояния механики сплошных сред. Было показано, что наилучшее приближение зависимости V (P) достигается в рамках предположения, что существует непрерывный фазовый переход при 22 ГПа, который не обсуждали ранее.

Доп.точки доступа:
Наскалова, О. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-20

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	51754
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)