Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=неравновесные носители заряда<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Особенности электропроводимости и фотопроводимости полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы M (II) /Cr (III) [Текст] / Н. А. Давиденко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 507-511

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
полимерные композиты -- магнитные поля -- малоразмерные частицы -- неравновесные носители заряда -- магнитные центры
Аннотация: Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полимерных композитов с добавками гетерополиядерных комплексов Zn (II) /Cr (III) или Co (II) /Cr (III). При возбуждении d-d-переходов Cr\{3+\} внутренний фотоэффект в пленках исследуемых композитов для комплекса цинка больше, чем для комплекса кобальта. Фотопроводимость возрастает при введении в состав композитов акцепторной добавки C[60]. Энергия активации электропроводимости и фотопроводимости >1 эВ и слабо зависит от внешнего электрического поля. Фототок уменьшается при включенном внешнем магнитном поле, и это в большей степени проявляется для композитов, содержащих комплекс Co (II) /Cr (III). Различия в фотопроводимости связываются с различными магнитными свойствами металлических центров в гетерополиядерных комплексах.

Доп.точки доступа:
Давиденко, Н. А.; Дехтяренко, С. В.; Кокозей, В. Н.; Козинец, А. В.; Семенака, В. В.; Скрышевский, В. А.; Третяк, О. В.

Найти похожие

Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении [Текст] / Г. Л. Мирончук [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 694-698 : ил. - Библиогр.: с. 697 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновское облучение -- монокристаллы -- CdS -- сульфид кадмия -- дефектообразование -- электронная радиация -- рекомбинация -- легирование -- оптическое гашение фотопроводимости -- ОГФ -- кластеры дефектов -- КФ -- медь -- Cu -- подпороговая энергия -- крупные структурные повреждения -- КСП -- экспериментальные исследования -- r-центры -- неравновесные носители заряда
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8. 06, 17. 5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых r-центров) в специально не легированных и легированных медью (N[Cu]~10{18} см{-3}) монокристаллах CdS. Показано, что за r-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии VCd и близкие к ним по параметрам дефекты Cu[Cd]. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu[Cd] в местах искаженных и ослабленных межатомных связей - "слабых местах" возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170{o}C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V[Cu] и вторичные дефекты Cu[Cd]. При температурах закалки больших 250{o}C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений) r-центры-V[Cd] и Cu[Cd].

Доп.точки доступа:
Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Кажукаускас, В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1519-1522. : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si
Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции.

Доп.точки доступа:
Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Зеленер, Б. Б.
Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле [Текст] / Б. Б. Зеленер, Б. В. Зеленер, Э. А. Маныкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 3. - С. 164-167

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- магнитное поле -- неравновесные носители заряда -- рекомбинация носителей заряда
Аннотация: В работе предсказан эффект замедления рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике в однородном магнитном поле. На примере германия показано, что в области температур T= (1-10) К, концентраций зарядов n[e]= (10\{10\}-10\{14\}) см и значений индукции магнитного поля B= (3 10\{2\}-3 10\{4\}) Гс время рекомбинации может быть увеличено более чем в сто раз по сравнению с его значением в отсутствие магнитного поля. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем инжекции при p-n-переходе или за счет каких-либо источников излучения, а также облучения быстрыми электронами проводимость в полупроводнике сохраняется значительно дольше при наличии магнитного поля. Найденный эффект может быть использован, например, для обнаружения источников излучения.

Доп.точки доступа:
Зеленер, Б. В.; Маныкин, Э. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кошелев, О. Г.
О снижении контраста фотопроводимости по площади неоднородных кремниевых структур p[+]-n(p)-n[+]-типа из-за токов по слоям p[+]- и n[+]-типа [Текст] / О. Г. Кошелев // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 1. - С. 41-44. - Библиогр.: c. 44 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a621.383.5

ББК 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
неравновесные носители заряда -- резисторы солнечных элементов -- СВЧ-фотопроводимость -- солнечные элементы
Аннотация: Показано, что фототоки по p[+]- и n[+]-слоям локально зондируемой неоднородной по площади p[+]-n (p) -n+-кремниевой структуры могут привести к существенному снижению контраста СВЧ-фотопроводимости по сравнению с истинным. Изучение проводили на модели из двух соединенных резистором солнечных элементов, один из которых освещался.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Глазов, С. Ю.
Плотность плазменных возбуждений в сверхрешетке на основе графена [Текст] / С. Ю. Глазов, А. А. Ковалев // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 1. - С. 105-108. - Библиогр.: c. 108 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.915

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
графен -- квантовая теория плазменных волн -- неравновесные носители заряда -- плазменные возбуждения -- солнечные элементы
Аннотация: Исследована плотность плазменных возбуждений в сверхрешетке на основе графена на полосчатой подложке в зависимости от периода и ширины потенциальных ям, образующих сверхрешетку. Расчеты выполнены на основе квантовой теории плазменных волн в приближении случайных фаз с учетом процессов переброса.

Доп.точки доступа:
Ковалев, А. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Семенов, Э. В.
Неквазистатическая модель p-n-перехода без рекурсии на пользовательском уровне [Текст] / Э. В. Семенов, О. Ю. Малаховский // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 151-156. - Библиогр.: с. 156 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a53:51

^a537.311.33

ББК 22.311 + 22.379
Рубрики: Физика
Математическая физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
p-n-переход -- диффузионный заряд -- заряд неравновесных носителей -- линейное преобразование тока электропроводности -- неквазистатическая модель -- неравновесные носители заряда -- обратное восстановление
Аннотация: Рассмотрена модель p - n -перехода, позволяющая адекватно описывать неквазистатические эффекты накопления и релаксации неравновесных носителей заряда. При этом уравнение диффузионного заряда записано в замкнутой, разрешенной относительно диффузионного заряда форме. Это позволило компьютерное программирование данной модели представить так, что у пользователя нет необходимости самостоятельно реализовывать рекурсию, разрешающую дифференциальное уравнение диффузионного заряда. В результате неквазистатическая модель p - n -перехода представлена в виде эквивалентной схемы, содержащей только обычные квазистатические элементы систем автоматизированного проектирования.

Доп.точки доступа:
Малаховский, О. Ю.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	60164
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)