Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (6)

БД "Статьи" (119)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=нанокристаллы<.>)

Общее количество найденных документов : 83
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Валов, П. М.
Перестройка ближнего порядка при плавлении нанокристаллов CuHal в стекле [Текст] / П. М. Валов, В. И. Лейман // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1294-1297. - Библиогр.: с. 1297 (11 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация наносистем -- нанокристаллы -- нанорасплавы -- плавление нанокристаллов -- спектры зона-зонного поглощения -- спектры фундаментального поглощения -- спектры экситонного поглощения -- экситонные состояния
Аннотация: Оптическим методом проведены исследования плавления и кристаллизации наносистем в стекле. Исследования температурных изменений формы спектров фундаментального поглощения нанокристаллов CuCl и CuBr позволили аналитически описать спектры экситонного и зона-зонного поглощения этих систем. Методом экситонно-термического анализа можно определить области температур существования переохлажденных нанорасплавов, включающих компоненты CuCl-NaCl и CuCl-NaBr. Анализ отличия фундаментального поглощения этих систем в состоянии переохлажденных нанорасплавов, где нет экситонных состояний, от поглощения нанокристаллов CuCl и CuBr, где присутствуют экситонные состояния, выявил новые данные о строении нанорасплавов этих систем.

Доп.точки доступа:
Лейман, В. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Акопян, И. Х.
Метастабильные модификации в нанокристаллах двуиодной ртути [Текст] / И. Х. Акопян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1310-1316. - Библиогр.: с. 1316 (16 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопии -- двуиодная ртуть -- метастабильные модификации -- нанокристаллы -- оптические спектры -- пористые матрицы -- электронная микроскопия
Аннотация: Изучено образование кристаллической фазы HgI[2] в порах различных пористых матриц и на их поверхностях. На основе анализа эволюции оптических спектров HgI[2] и данных электронной и атомно-силовой микроскопии установлено, что образованию микрокристаллов в форме стабильной красной альфа-модификации предшествует образование и рост частиц в форме метастабильных желтой и оранжевой модификаций.

Доп.точки доступа:
Лабзовская, М. Э.; Новиков, Б. В.; Смирнов, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Сошников, И. П.
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двойникование кристаллов -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- нитевидные нанокристаллы -- фазовые переходы -- фазовые переходы вюрцит/сфалерит -- электронная дифракция
Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO[2] matrix [Text] / V. A. Volodin [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 2. - С. 84-88

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- германий -- GeO[2] -- оптические переходы -- квазипрямые оптические переходы

Доп.точки доступа:
Volodin, V. A.; Gorokhov, E. B.; Marin, D. V.; Rinnert, H.; Miska, P.; Vergnat, M.

Найти похожие

Харламова, М. В.
Фазовый переход в наноструктурированном LaMnO[3] [Текст] / М. В. Харламова, А. Арулраж // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 6. - С. 350-355

УДК

^a538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
LaMnO[3] -- нанокристаллы -- фазовые переходы
Аннотация: Проведен синтез нанокристаллических образцов LaMnO[3] методом соосаждения растворов солей лантана и марганца с последующим отжигом при 800 градусах С на воздухе, а затем в токе аргона. С помощью методов рентгеновской и нейтронной дифракции установлено, что полученные образцы имеют орторомбическую кристаллическую структуру (пр. группа Pbnm). В нанокристаллических образцах LaMnO[3] происходит фазовый переход типа порядок - беспорядок от низкотемпературной фазы к высокотемпературной при температуре 220 плюс минус 10 градусов С, причем найденная температура существенно ниже значения для объемного LaMnO[3], составляющего 477 градусов С. Фазовый переход связан со снятием ян-теллеровского искажения кислородных октаэдров Mn\{3+\}O[6] и сопровождается уменьшением объема элементарной ячейки манганита лантана в узком интервале температур.

Доп.точки доступа:
Арулраж, А.

Найти похожие

Исследование особенностей роста нанокристаллов оксида цинка из водных растворов для создания тонкопленочных солнечных элементов [Текст] / С. А. Гаврилов [и др. ] // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 2 (76). - С. 35-38 : рис. . - ISSN 1561-5405

УДК

^a621.9

ББК 34.63
Рубрики: Машиностроение
Обработка металлов резанием
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нанотехнологии -- тонкопленочные элементы -- солнечные элементы -- водные растворы
Аннотация: Исследованы особенности химического осаждения нанокристаллов оксида цинка из водных растворов.

Доп.точки доступа:
Гаврилов, Сергей Александрович; Назаркин, Михаил Юрьевич; Сагунова, Ирина Владимировна; Артемова, Елена Владимировна

Найти похожие

Радиационно-индуцированное формирование наночастиц ZnO на поверхности монокристаллов ZnSe [Текст] / Д. Б. Эмульротова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 429-436. - Библиогр.: с. 436 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- монокристаллы -- радиолиз поверхности кристалла -- гамма-облучение -- гетероструктуры -- нестехиометрический приповерхностный слой -- микротвердость приповерхностного слоя -- радиационно-индуцированное окисление
Аннотация: Приводятся результаты исследований возможности образования нанокристаллов ZnO в результате радиолиза поверхности кристаллов ZnSe, обработанных в парах цинка, при гамма-облучении и создании гетероструктур ZnSe-ZnO. При {60}Co гамма-облучении на воздухе из нанозародышей ZnO сформировались нанокристаллы размером около 27 nm. Напротив, облучение смешанным потоком гамма-лучей и тепловых нейтронов привело к образованию двойниковой структуры в матричной решетке ZnSe и удалению ZnO. Оксидный слой также разрушается при протонном облучении в вакууме. Обнаружено, что рост нанокристаллитов ZnO обусловливает многократное повышение интенсивности электролюминесценции в полосе около 600 nm, микротвердости, а также снижения сопротивления, запирающего и порогового напряжения независимо от полярности. Таким образом, гамма-облучение приводит к формированию полупроводниковых светоизлучающих структур ZnSe-ZnO: Zn с p-n-переходом.

Доп.точки доступа:
Эльмуротова, Д. Б.; Ибрагимова, Э. М.; Каланов, М. У.; Турсунов, Н. А.

Найти похожие

Обнаружение и идентификация азотных центров в наноалмазах методами электронного парамагнитного резонанса [Текст] / П. Г. Баранов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 8. - С. 473-477

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронный парамагнитный резонанс -- нанокристаллы -- наноалмаз -- азотные центры -- синтетические алмазные нанокристаллиты
Аннотация: Методами высокочастотного электронного парамагнитного резонанса обнаружены и идентифицированы одиночные центры азота N\{0\} и азотные пары N[2]\{+\} в нанокристаллах природного алмаза. Центры азота N\{0\} наблюдались в синтетических алмазных нанокристаллитах размером менее 10 нм, полученных путем высокотемпературного спекания при высоких давлениях детонационных наноалмазов. Таким образом, доказана возможность стабильного состояния примесных атомов азота внутри алмазных наночастиц.

Доп.точки доступа:
Баранов, П. Г.; Ильин, И. В.; Солтамова, А. А.; Вуль, А. Я.; Кидалов, С. В.; Шахов, Ф. М.; Мамин, Г. В.; Орлинский, С. Б.; Салахов, М. Х.

Найти похожие

Мильман, Ю. В.
Механическое поведение нанокристалических и наноквазикристалических материалов [Текст] / Ю. В. Мильман // Нанотехнологии. - 2009. - N 2. - С. 17-22. - Библиогр.: с. 21-22 (14 назв. )

УДК

^a620.1/.2

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
механическое поведение -- нанокристаллы -- наноквазикристалические материалы -- нанозерна -- деформации -- поликристаллическая структура -- компьютерное моделирование
Аннотация: Изучено механическое поведение нанокристалических и наноквазикристалических материалов.

Найти похожие

10.

Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN
Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 22.08.2024
Число запросов	94151
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)