Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

БД "Книги" (2)

БД "Статьи" (14)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=наногетероструктуры<.>)

Общее количество найденных документов : 17
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-17

Оптические и рентгеноструктурные исследования многослойных структур на основе твердых растворов InGaN/GaN [Текст] / С. О. Усов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1523-1529. - Библиогр.: с. 1529 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
ndthlsthfcndjhs -- многослойные материалы -- твердые растворы -- толщина слоев -- состав слоев -- рентгеновские дифракции -- энергия электронных переходов -- деформации наногетероструктур -- наногетероструктуры -- светоотдача материалов
Аннотация: Методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции высокого разрешения (HRXRD) проведено исследование многослойных структур на основе соединений In[x]Ga[1-x]N/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Разработан способ анализа экспериментальных кривых качания многослойных структур в рамках модели Парратта-Спериози, который позволил определить толщины, период и средний состав слоев In[x]Ga[1-x]N, а также деформацию активной области в исследуемых образцах. Локальное содержание индия было определено с использованием теоретической модели, которая описывает энергию излучения как функцию толщин слоев InGaN с учетом энергии квантового ограничения, энергий спонтанной и пьезополяризации и параметров, определенных из HRXRD.

Доп.точки доступа:
Усов, С. О.; Цацульников, А. Ф.; Заварин, Е. Е.; Кютт, Р. Н.; Леденцов, Н. Н.

Найти похожие

Мощные диодные лазеры (lambda=1. 7-1. 8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP [Текст] / А. В. Лютецкий [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1646-1649 : ил. - Библиогр.: с. 1648-1649 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- диодные лазеры -- квантово-размерные двойные гетероструктуры раздельного ограничения -- КР ДГС РО -- твердые растворы -- InGaAsP/InP -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- наногетероструктуры -- оптические излучения -- длина волны -- волноводы -- расширенные волноводы -- квантово-размерные слои -- мощности -- оптические мощности -- апертура -- температура -- мощные диодные лазеры
Аннотация: Экспериментально показаны преимущества концепции мощных полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур диапазона длин волн излучения 1700-1800 нм, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Установлено, что применение расширенного волновода позволяет снизить внутренние оптические потери до 2 см{-1} в квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктурах раздельного ограничения InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1. 76 мкм. На основе разработанных гетероструктур созданы многомодовые лазеры, излучающие оптическую мощность 2. 5 Вт в апертуре 100 мкм при комнатной температуре в непрерывном режиме. Показано, что применение сильно напряженных квантово-размерных слоев InGaAsP в качестве активной области позволяет получать значения характеристической температуры T[0]=50-60 K.

Доп.точки доступа:
Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Фетисова, Н. В.; Лешко, А. Ю.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Рябоштан, Ю. А.; Мармалюк, А. А.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса [Текст] / О. В. Кучерова [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76. N 3. - С. 24-28. - Библиогр.: с. 28 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

^a535.33

^a620.1/.2

^a544.22

ББК 22.344 + 30.3 + 24.52
Рубрики: Физика
   Спектроскопия
   Техника
   Материаловедение
   Химия
   Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
неразрушающая диагностика -- наногетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- квантовые ямы -- температурная спектроскопия -- спектроскопия адмиттанса -- адмиттансная спектроскопия -- низкотемпературная спектроскопия -- электронные спектры -- полупроводниковые гетероструктуры -- светодиодные гетероструктуры -- аппаратно-программные комплексы -- адмиттансные методы -- измерения адмиттанса
Аннотация: На основе разработанного комплекса низкотемпературной спектроскопии адмиттанса приведены исследования электронного спектра полупроводниковых светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN.

Доп.точки доступа:
Кучерова, О. В.; Зубков, В. И.; Цвелев, Е. О.; Яковлев, И. Н.; Соломонов, А. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Разработка сверхвысокочастотной наноэлектроники [Текст] / П. П. Мальцев [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 11. - С. 14-16. . - Библиогр.: с. 16 (1 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
сверхвысокочастотная наноэлектроника -- наногетероструктуры -- нанотехнологии -- наноэлектроника
Аннотация: Рассматриваются вопросы создания транзисторов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе наногетероструктур.

Доп.точки доступа:
Мальцев, П. П.; Федоров, Ю. В.; Галиев, Г. Б.; Бугаев, А. С.; Сеничкин, А. П.; Гнатюк, Д. Л.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb [Текст] / А. Н. Именков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 365-371. : ил. - Библиогр.: с. 370-371 (12 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полудисковые лазеры -- лазеры -- квантово-размерные наногетероструктуры -- наногетероструктуры -- AlGaAsSb/InGaAsSb -- WGM-лазеры -- моды шепчущей галереи -- излучение лазеров -- пространственное распределение -- полудисковые резонаторы -- пространственные моды -- лазерные структуры -- спектры излучения -- математические модели -- оптические потери
Аннотация: Исследовано спектральное и пространственное распределение излучения лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (WGM-лазеры) с резонатором в форме полудиска. В пространственном распределении выделяются до 13 широких лепестков разной интенсивности, разделенных на более узкие (на порядок) лепестки. Спектр излучения близок к одномодовому. Предложена математическая модель распределения электромагнитного поля в WGM-лазере и рассчитана диаграмма направленности лазерного излучения. Показано, что каждый широкий лепесток соответствует своей устойчивой пространственной радиальной моде. Установлено, что наибольшую интенсивность излучения дает не сама периферийная мода, а следующая за ней, которая, по-видимому, имеет наименьшие оптические потери. Преобладание одной пространственной моды приводит к наблюдению практически одномодового спектра излучения.

Доп.точки доступа:
Именков, А. Н.; Шерстнев, В. В.; Гребенщикова, Е. А.; Сиповская, М. А.; Ларченков, М. И.; Тарасов, Д. И.; Баранов, А. Н.; Яковлев, Ю. П.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Громов, Д. В.
Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия [Текст] / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 39-48. . - Библиогр.: с. 48 (13 назв. )

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
нитрид галлия -- ионизирующее излучение -- наногетероструктуры -- двумерный электронный газ -- СВЧ-элементная база -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов.

Доп.точки доступа:
Матвеев, Ю. А.; Федоров, Ю. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Алексеев, А.
Быстрый нагрев и охлаждение образцов в управляемой газовой среде [Текст] / А. Алексеев, К. Крупальник, Н. Корнилов // Наноиндустрия. - 2011. - N 3. - С. 22-23. : ил.: 2 рис.

УДК

^a621.382

^a621.78

ББК 32.852 + 34.65
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
   Машиностроение
   Упрочнение металлов
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые пластины -- термическая обработка -- микроэлектроника -- кварцевые реакторы -- наногетероструктуры
Аннотация: Термическая обработка полупроводниковых пластин - важный этап многих технологических маршрутов при формировании приборов микроэлектроники.

Доп.точки доступа:
Крупальник, К.; Корнилов, Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Матвеенко, О. С.
Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия [Текст] / О. С. Матвеенко, Д. Л. Гнатюк, Р. Р. Галиев // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 50-51. . - Библиогр.: с. 51 (4 назв. )

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
квантовая яма -- антенны -- малошумящий усилитель -- антенные элементы -- гетероструктуры -- малогабаритные приборы -- интегрированные антенны -- наногетероструктуры -- арсенид галлия
Аннотация: В настоящее время наблюдается ускоренное развитие исследований и разработок с технологическим освоением производства малогабаритных СВЧ приборов на основе интегральных активных антенных элементов. Данные устройства лежат в основе систем передачи данных, навигации, связи, а также позволяют создавать разнообразные миниатюрные сенсоры и датчики для систем охранной сигнализации, определения положения и скорости перемещения объектов и т. д. Настоящая работа посвящена разработке активных антенных элементов со встроенными малошумящими.

Доп.точки доступа:
Гнатюк, Д. Л.; Галиев, Р. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и экпсперимент [Текст] / Р. А. Хабибуллин [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 21-24. . - Библиогр.: с. 24 (6 назв. )

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
наногетероструктуры -- свч электроника -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- транзисторные наногетероструктуры -- подвижность электронов
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns=1, 37. 1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности mH=1520cv2/В. при 300К.

Доп.точки доступа:
Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Кульбачинский, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

10.

Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs [Текст] / Д. С. Пономарев [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - № 12. - С. 16-19. . - Библиогр.: с. 19 (5 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
свч транзисторы -- наноэлектроника -- нанотехнологии -- наногетероструктуры -- молекулярно-лучева эпитаксия -- полупроводники -- зонные диаграммы -- квантовые ямы
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAS. C помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы mс c учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить mc на 26% по сравнению с КЯ In0, 53Ga0, 47As.

Доп.точки доступа:
Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Хабибуллин, Р. А.; Кульбачинский, В. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

1-10 11-17

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	5672
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)