Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод просвечивающей электронной микроскопии<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Чеботкевич, Л. А.
Коэрцитивная сила и наведенная анизотропия многослойных пленок [Текст] / Л. А. Чеботкевич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 2039-2044. - Библиогр.: с. 2044 (12 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия -- индукционный метод -- косвенная магнитная связь -- коэрцитивная сила -- метод атомной силовой микроскопии -- метод лоренцевой микроскопии -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- метод ферромагнитного резонанса -- многослойные пленки -- наведенная анизотропия
Аннотация: Влияние отжига на кристаллическую и магнитную структуру, магнитные свойства пленок Co/Cu/Co c антиферромагнитной и ферромагнитной связью между слоями Co исследовалось методами просвечивающей электронной микроскопии, лоренцевой микроскопии, атомной силовой микроскопии, ферромагнитного резонанса и индукционным методом. Проведены теоретические оценки компонент коэрцитивной силы и наведенной анизотропии многослойных пленок. Показано, что в многослойных пленках при термической обработке поведение коэрцитивной силы и наведенной анизотропии обусловлено изменениями структурных дефектов и косвенной обменной связи.

Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. П.; Огнев, А. В.

Найти похожие

Влияние высокотемпературной обработки на структуру и эмиссионные свойства опала, легирванного эрбием [Текст] / В. М. Масалов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1091-1096. - Библиогр.: с. 1096 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
композиты опал-эрбий -- эрбий -- опал -- высокотемпературная обработка -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- спектры отражения композитов -- нанокомпозиты
Аннотация: Исследовано влияние высокотемпературной обработки композитов опал-эрбий на их спектральные свойства в области длин волн 1. 5 мюm, измерена концентрационная зависимость интенсивности люминесценции от содержания эрбия и изучена структура композита методом просвечивающей электронной микроскопии после высокотемпературной обработки. Регулярная структура композитов претерпевает значительные изменения вплоть до полной утраты периодичности при температурах отжига 1500 K и длительностях обработки 10 h и более. При этом композиты спекаются в однородную массу. Поры исчезают. На месте пор остаются включения оксида эрбия в форме шаров правильной круглой формы, размер которых варьирует от 30 до 70 nm. Измерения спектров люминесценции в области длин волн 1. 5 мюm для композитов опал-эрбий с концентрацией оксида эрбия в диапазоне 0. 25-16 wt. % показали максимум выхода люминесценции при содержании Er[2]O[3] в композите 1 wt. %. При исследовании влияния температуры и длительности обработки образцов на интенсивность люминесценции обнаружен немонотонный характер зависимости от времени отжига для всех исследованных температур. Обсуждаются причины такого поведения. Исследования спектров отражения композитов опал-1 wt. % Er[2]O[3] после термообработок показывают, что фотонная запрещенная зона образцов деградирует при температурах отжига 1300 K и выше. Намечен способ сохранения периодической структуры при термообработках путем введения в опал стабилизирующей фазы.

Доп.точки доступа:
Масалов, В. М.; Штейнман, Э. А.; Терещенко, А. Н.; Кудренко, Е. А.; Баженов, А. В.; Ковальчук, М. А.; Ходос, И. И.; Емельченко, Г. А.

Найти похожие

Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Н. Неведомский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665-1666 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- ПКТ -- InAs -- As -- металлические квантовые точки -- МКТ -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- механизм Странского-Крастанова -- Странского-Крастанова механизм -- выращивание квантовых точек -- мышьяк -- просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- поля -- деформационные поля -- V-образные дефекты -- дефекты упаковки -- заращивание квантовых точек -- арсенид галлий -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- самоорганизация квантовых точек -- коалесценция -- оствальдовское созревание -- диффузия -- ускоренная диффузия -- деформации -- локальные деформации
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки.

Доп.точки доступа:
Неведомский, В. Н.; Берт, Н. А.; Чалдышев, В. В.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.

Найти похожие

Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

^a535.37

ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.

Доп.точки доступа:
Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В.

Найти похожие

Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов [Текст] / Н. В. Крыжановская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 857-863. : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (10 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- InGaN/GaN -- светоуизлучающие диоды -- оптические свойства -- подложки -- сапфировые подложки -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии
Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм.

Доп.точки доступа:
Крыжановская, Н. В.; Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Павлов, М. М.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Вальковский, Г. А.; Яговкина, М. А.; Усов, С. О.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции [Текст] / В. Г. Талалаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1084-1092. : ил. - Библиогр.: с. 1091 (12 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
туннельно-инжекционные наноструктуры -- ТИНС -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- эмиттеры -- модель Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна -- Вентцеля - Крамерса - Бриллюэна модель -- наномостики -- люминесценция -- кинетика люминесценции -- фотолюминесценция -- ФЛ -- туннелирование электрического тока -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии
Аннотация: Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-инжекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In[0. 15]Ga[0. 85]As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In[0. 6]Ga[0. 4]As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре.

Доп.точки доступа:
Талалаев, В. Г.; Сеничев, А. В.; Новиков, Б. В.; Tomm, J. W.; Elsaesser, T.; Захаров, Н. Д.; Werner, P.; Gosele, U.; Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.09.2024
Число запросов	28871
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)