Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод комбинационного рассеяния света<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия
Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD.

Доп.точки доступа:
Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М.

Найти похожие

Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света [Текст] / Н. Е. Маслова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1074-1077. : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (17 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы кремния -- субоксид кремния -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- термический отжиг -- термоотжиг -- температура отжига -- фононы -- кристаллические фазы -- аморфные фазы
Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO[x] (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200{o}C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6. 5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига.

Доп.точки доступа:
Маслова, Н. Е.; Антоновский, А. А.; Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю.; Глебов, В. Н.; Семиногов, В. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Комбинационное рассеяние света в органических полупроводниках на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорсодержащих молекул трифталоцианина лютеция и европия [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1078-1083. : ил. - Библиогр.: с. 1083 (24 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- органические полупроводники -- дифталоцианин эрбия -- трифталоцианин европия -- хлорсодержащие молекулы -- вибронные состояния -- фталоцианиновые комплексы
Аннотация: Проведено исследование спектров комбинационного рассеяния света в полупроводниковых структурах на основе молекул дифталоцианина эрбия и хлорзамещенных молекул трифталоцианина европия и лютеция при возбуждении Ar{+}-лазером с длиной волны 514 нм. Получена информация о спектральном положении максимумов интенсивности комбинационного рассеяния, характеризующих вибронные состояния основных молекулярных групп, образующих полупроводник. Обнаружены спектральные линии комбинационного рассеяния, не соответствующие известным вибронным состояниям основных молекулярных групп фталоцианина, в диапазонах 100-500 и 500-900 см{-1}. Показано, что в спектрах трифталоцианина некоторые линии комбинационного рассеяния имеют сложную структуру и смещены на несколько обратных сантиметров относительно характерных линий молекулярных групп.

Доп.точки доступа:
Белогорохов, И. А.; Мамичев, Д. А.; Дронов, М. А.; Пушкарев, В. Е.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Исследование динамики решетки оксифторида Rb[2]KMoO[3]F[3] методом комбинационного рассеяния света [Текст] / А. С. Крылов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1191-1196. - Библиогр.: с. 1196 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
динамика решетки -- оксифториды -- метод комбинационного рассеяния света -- температуры -- решеточные моды -- моды
Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния (КР) выполнены исследования оксифторида Rb[2]KMoO[3]F[3] в температурном диапазоне 7-400 K. Обнаружен фазовый переход при T~ 185 K в режиме понижения температуры. Проанализированы аномалии частот и полуширин линий КР. Конденсации мягких решеточных мод не обнаружено. Характер изменений спектров КР оксифторида Rb[2]KMoO[3]F[3] показывает, что данный фазовый переход связан с изменениями в молекулярном октаэдре [MoO[3]F[3]]{3-}.

Доп.точки доступа:
Крылов, А. С.; Меркушова, Е. М.; Втюрин, А. Н.; Исаенко, Л. И.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Синтез углеродных планарных структур с заданными свойствами [Текст] / Т. Н. Заварицкая [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 3. - С. 330-333. - Библиогр.: c. 333 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
аморфные сверхрешетки -- заданные свойства -- лавинный отжиг -- метод комбинационного рассеяния света -- углеродные планарные структуры -- фотолюминесценция
Аннотация: Предложен новый метод, позволяющий, в рамках единой технологии, синтезировать углеродные планарные структуры с наперед заданными свойствами. Метод основан на лавинном отжиге аморфной сверхрешетки с коротким периодом. Синтезированные образцы исследовали методами КРС и фотолюминесценции. Экспериментально на примере сверхрешетки C/SiC показана возможность синтеза углеродных слоев с алмазоподобной, графитоподобной, графеновой или другой структурой.

Доп.точки доступа:
Заварицкая, Т. Н.; Мельник, Н. Н.; Пудонин, Ф. А.; Таларико, О. С.; Шерстнев, И. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 07.09.2024
Число запросов	18394
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)