Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Книги" (1)

БД "Статьи" (11)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=металлоорганические соединения<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим
Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А.

Доп.точки доступа:
Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей [Текст] / С. О. Усов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 981-985. : ил. - Библиогр.: с. 985 (12 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
распределение брегговских отражателей -- РБО -- брегговские отражатели -- структурные свойства -- оптические свойства -- InAlN/GaN -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- МО -- сапфировые подложки -- подложки -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460-610 нм.

Доп.точки доступа:
Усов, С. О.; Заварин, Е. Е.; Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Николаев, А. Е.; Синицын, М. А.; Крыжановская, Н. В.; Трошков, С. И.; Леденцов, Н. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Черепанова, В. К.
Математическая модель процесса сублимации металлорганических соединений в потоке инертного газа [Текст] / В. К. Черепанова // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2011. - N 1 (16). - С. 41-53. : ил. - Библиогр.: с. 52 (10 назв. )

ГРНТИ	29.19.01
УДК	^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
сублимация -- химические осаждения -- дикетонат -- тепломассоперенос -- моделирования -- математические модели -- металлоорганические соединения -- инертный газ -- научные исследования
Аннотация: Развита численно-аналитическая модель тепломассопереноса при сублимации монокристаллической пластины из дикетоната металла в потоке инертного газа-носителя в плоском щелевом канале.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Получение слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций [Текст] / В. В. Мамаев [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 4 (158). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полевые транзисторы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- нитрид галлия -- плотность дислокаций -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- атомно-силовая микроскопия -- СВЧ-транзисторы -- многослойные гетероструктуры
Аннотация: Цель работы - выращивание кристаллически совершенных слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций и высокой подвижностью электронов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на инородных подложках с использованием аммиака в качестве источника активного азота, а также в снижении стоимости гетероструктур для изготовления сверхвысокочастотных полевых транзисторов.Purpose is to grow perfect crystal gallium nitride layers with low dislocation density and high electron mobility by molecular beam epitaxy on foreign substrates using ammonia as a source of active nitrogen, and also to reduce the cost of manufacturing of microwave heterostructure field effect transistors.

Доп.точки доступа:
Мамаев, Виктор Викторович; Сидоров, Валерий Георгиевич (1939-); Петров, Станислав Игоревич; Алексеев, Алексей Николаевич
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Чесноков, Дмитрий Владимирович (кандидат технических наук ; доцент).
Спектральные исследования оптического поглощения адсорбированных слоев летучих карбонилов металлов [Текст] / Д. В. Чесноков, Д. С. Михайлова // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. - 2016. - № 1. - С. 7-14 : рис. - Библиогр.: с. 11-12 (15 назв.). - Аннот. на англ. яз.: с. 12-13 . - ISSN 1727-2769

ГРНТИ	29.31.21
УДК	^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- карбонилы металлов -- лазерно-пиролитические технологии -- металлоорганические соединения -- метрологические параметры -- микротехнологии -- мономолекулярные слои -- оптические кюветы -- оптический спектр поглощения -- парциальное давление
Аннотация: Предложен лабораторный метод исследования оптического поглощения адсорбированных слоев летучих карбонилов металлов.

Доп.точки доступа:
Михайлова, Дарья Сергеевна
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.09.2024
Число запросов	10514
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)