Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=межзонное поглощение<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Алтыбаев, Г. С.
    Энергетическое распределение неравновесных электронов и оптических фононов в GaAs при межзонном поглощении мощных коротких импульсов света [Текст] / Г. С. Алтыбаев, С. Е. Кумеков, А. А. Махмудов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 308-310
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
электронно-дырочная плазма -- оптические фоны -- межзонное поглощение -- пикосекундные импульсы света
Аннотация: Рассчитаны возмущение фермиевского распределения неравновесных электронов и распределение "горячих" оптических фононов при межзонном поглощении пикосекундных импульсов света в GaAs.


Доп.точки доступа:
Кумеков, С. Е.; Махмудов, А. А.

Найти похожие

2.


   
    Оптические свойства и электронная структура соединений BiTeCl и BiTeBr [Текст] / А. А. Махнев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 3. - С. 395-401 : граф. - Библиогр.: с. 400-401 (20 назв.) . - ISSN 0030-4034
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- оптические свойства -- электронные структуры -- эллипсометрические измерения -- взаимодействие Рашбы -- Рашбы взаимодействие -- диэлектрическая проницаемость -- межзонное поглощение -- электронные переходы -- спин-орбитальное взаимодействие -- спинтроника
Аннотация: Методом эллипсометрии исследованы оптические свойства соединений BiTeCl и BiTeBr с сильным спин-орбитальным взаимодействием Рашбы. Получены фундаментальные характеристики электронной структуры. В спектрах мнимой части диэлектрической проницаемости в интервале энергий между плазменным краем и порогом интенсивного межзонного поглощения обнаружена тонкая структура электронных переходов, подобная соединению BiTeI.


Доп.точки доступа:
Махнев, А. А.; Номерованная, Л. В.; Кузнецова, Т. В.; Терещенко, О. Е.; Кох, К. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


    Арутюнян, В. А.
    Оптические переходы и фотолюминесценция в цилиндрической ядро/слой/оболочка гетероструктуре beta-CdS/beta-HgS/beta-CdS [Текст] / В. А. Арутюнян, Д. Б. Айрапетян, Э. М. Казарян // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 8. - С. 1159-1170 : 4 рис., 8 табл. - Библиогр. в конце ст. (61 назв.) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
beta-CdS/beta-HgS/beta-CdS -- гетероструктура beta-CdS/beta-HgS/beta-CdS -- межзонное поглощение -- оптические переходы -- фотолюминесценция -- экситоны -- ядро/слой/оболочка
Аннотация: Теоретически рассмотрены состояния носителей заряда в квантующем слое HgS цилиндрической ядро/слой/оболочка-гетероструктуры beta-CdS/beta-HgS/beta-CdS.


Доп.точки доступа:
Айрапетян, Д. Б.; Казарян, Э. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 07.09.2024
Число запросов 9514
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)