Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=легирующие примеси<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Особенности структурных, электрокинетических и магнитных свойств сильно легированного полупроводника n-ZrNiSn. Акцепторная примесь Fe [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 297-303

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
интерметаллические полупроводники -- легирующие примеси -- кристаллическая структура полупроводника -- примесные атомы
Аннотация: Исследованы структурные, энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного примесью Fe (концентрации N[Fe] ? 9. 5 •10\{19\}-3. 8 •10\{21\} см\{-3\}) в температурном диапазоне T=80-380 K. Показано, что атомы Fe одновременно занимают кристаллографические позиции атомов Zr и Ni в разных соотношениях, являясь дефектами донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

Доп.точки доступа:
Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Ромака, Л. П.; Горынь, А. М.; Гореленко, Ю. К.; Доминюк, Т. И.

Найти похожие

Механизмы легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f - f-переходов легирующей примеси Eu в структурах с квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]N/GaN [Текст] / М. М. Мездрогина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 467-477

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
легирование -- внутрицентровые переходы -- мессбауэровская спектроскопия -- квантовые ямы -- легирующие примеси -- редкоземельные элементы
Аннотация: Исследовано влияние легирования европием на вид спектров излучения структур с квантовыми ямами на основе In[x]Ga[1-x]N/GaN, на механизм легирования и интенсивность излучения внутрицентровых f-f-переходов Eu. По данным мессбауэровской спектроскопии, в зависимости от концентрации дефектов в структурах с квантовыми ямами легирующая примесь Eu может иметь зарядовое состояние примесного иона Eu\{2+\} и Eu\{3+\} или только Eu\{3+\}. В том случае, когда зарядовое состояние примесного иона равно Eu\{3+\}, наблюдается излучение внутрицентровых переходов \{5\}D[0]-\{7\}F[2] (ламбда=6220 Angstrem). Если примесный ион может находиться в зарядовых состояниях Eu\{2+\} и Eu\{3+\}, то не наблюдается излучения внутрицентровых переходов, характерных как для Eu\{2+\}, так и Eu\{3+\}.

Доп.точки доступа:
Мездрогина, М. М.; Криволапчук, В. В.; Петров, В. Н.; Кожанова, Ю. В.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В.

Найти похожие

Тарнавский, Г. А.
Имплантация фосфора, бора и мышьяка в кремний: дистанционное компьютерное моделирование нанотехнологического процесса [Текст] / Г. А. Тарнавский // Инженерная физика. - 2010. - N 1. - С. 40-46

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанотехнологии -- компьютерное моделирование -- имплантация -- легирующие примеси -- кремний
Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование имплантации легирующих примесей в подложку кремния с нанорельефом поверхности.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Кагадей, В. А.
Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 433-439 : ил. - Библиогр.: с. 439 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гидрогенизация -- GaAs -- охлаждение -- концентрационные профили -- численное моделирование -- водородные частицы -- частицы -- легирующие примеси -- водород -- электрические поля -- температурно-временной режим -- легирование -- гидрогенизированные слои -- полупроводники
Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного p-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое p-GaAs зависят от температурно-временного режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца.

Доп.точки доступа:
Нефедцев, Е. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тарнавский, Г. А.
Влияние параметров имплантации на формирование доменов легирующих примесей в нанорельефе кремниевой подложки [Текст] / Г. А. Тарнавский, С. С. Чесноков // Инженерная физика. - 2011. - N 9. - С. 19-25.

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
компьютерное моделирование -- нанотехнологические процессы -- легирующие примеси -- ионная имплантация -- кремниевые подложки
Аннотация: Проводится компьютерное моделирование нанотехнологического процесса легирования (методом ионной имплантации) нановыступа рельефа поверхности кремниевой подложки. Изучается влияние основных параметров процесса (типа имплантанта, энергии и угла имплантации) на положение и конфигурацию допинг-доменов фосфора, бора и мышьяка.

Доп.точки доступа:
Чесноков, С. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO [Текст] / М. М. Мездрогина [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1155-1163. - Библиогр.: с. 1163 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектры -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- легирующие примеси -- редкоземельные металлы -- кристаллические пленки
Аннотация: Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций.

Доп.точки доступа:
Мездрогина, М. М.; Еременко, М. В.; Голубенко, С. М.; Разумов, С. Н.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

539.21:534
К 20

Каплунов, И. А.
Влияние примесного и изотопического состава монокристаллического германия на оптическое пропускание в области 520-1000 см{-1} [Текст] / И. А. Каплунов, В. Е. Рогалин, М. Ю. Гавалян // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 2. - С. 254-260 : диагр., табл. - Библиогр.: с. 260 (30 назв.) . - ISSN 0030-4034

УДК

539.21:534

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
германий -- монокристаллы германия -- легирующие примеси -- фотонное поглощение -- изотопы германия -- кристаллический германий
Аннотация: Исследованы оптические свойства чистых и легированных монокристаллов германия природного изотопического состава и изотопически чистых монокристаллов германия {70}Ge и {74}Ge. Экспериментально обнаружено влияние легирующих примесей и присутствия остаточного кислорода в германии на положение и форму пиков фононного поглощения, а также на коэффициенты ослабления в этих пиках в спектральном диапазоне 520-1000 см{-1}. Исследовано снижение частоты максимумов полос фононного поглощения с ростом массового числа изотопов германия.

Доп.точки доступа:
Рогалин, В. Е.; Гавалян, М. Ю.; Тверской государственный университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университетНациональный центр лазерных систем и комплексов "Астрофизика" (Москва); Тверской государственный университет

Найти похожие

Исследование влияния формы и положения возмущения концентрации легирующей примеси на характеристики тока в полупроводниковой сверхрешетке [Текст] / А. Г. Баланов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 1. - С. 50-54. - Библиогр.: c. 54 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

^a530.182:621.385.6

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- легирующие примеси -- полупроводниковые сверхрешетки
Аннотация: Исследовано влияние возмущения концентрации легирующей примеси на характеристики тока в полупроводниковой сверхрешетке. Показано, что характеристики тока зависят от положения и формы возмущения. Возмущение оказывает большее влияние вблизи эмиттера сверхрешетки. Эффект возрастает с ростом интеграла профиля концентрации и слабо зависит от формы самого профиля.

Доп.точки доступа:
Баланов, А. Г.; Короновский, А. А.; Москаленко, О. И.; Сельский, А. О.; Храмов, А. Е.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.09.2024
Число запросов	28776
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)