Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=легирование кремнием<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Белашова, И. С.
    Исследование кинетики массопереноса при лазерном легировании [Текст] / И. С. Белашова, Т. В. Тарасова // Наукоемкие технологии. - 2007. - Т. 8. N 12. - С. 57-62 : ил. - Библиогр.: с. 62 (4 назв. ) . - ISSN 1999-8465
УДК
ББК 34.22
Рубрики: Технология металлов
   Металловедение черных металлов и сплавов

Кл.слова (ненормированные):
кинетика массопереноса -- лазерное легирование -- стали -- неметаллические компоненты -- легирование углеродом -- легирование кремнием -- коррозионностойкие стали -- хромистые стали -- энергия излучения -- насыщающие обмазки -- графит -- кремний -- фазовый состав -- зоны обработки -- массоперенос -- оплавление поверхности
Аннотация: Проведен анализ процессов при лазерном легировании сталей неметаллическими компонентами. Представлены результаты легирования углеродом и кремнием коррозионностойких хромистых сталей. Отслежено влияние энергии излучения и толщины насыщающей обмазки (графита и кремния со связующим) на строение и фазовый состав зон обработки. Также предложен механизм массопереноса при легировании с оплавлением поверхности.


Доп.точки доступа:
Тарасова, Т. В.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

2.


   
    Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов [Текст] / Б. Я. Бер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 425-431. : ил. - Библиогр.: с. 430-431 (22 назв. )
УДК
ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
легирование кремнием -- светодиоды -- квантово-размерные структуры -- InGaN/GaN -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- рекомбинация -- наноматериалы -- активная область -- ток -- температура
Аннотация: Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j ~50 А/см{2}) наблюдалось при сильном легировании n{+}-области (до 10{19} см{-3}) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p{+}-области. При j > 50 А/см{2} доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta (j) пропорционально j{-b}, где 0. 2

Доп.точки доступа:
Бер, Б. Я.; Богданова, Е. В.; Грешнов, А. А.; Закгейм, А. Л.; Казанцев, Д. Ю.; Карташова, А. П.; Павлюченко, А. С.; Чернякова, А. Е.; Шабунина, Е. И.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

3.


   
    Плазмохимический синтез аморфных углеводородных пленок, легированных кремнием, кислородом и азотом [Текст] / А. С. Гренадёров [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 7. - С. 97-104. - Библиогр.: с. 104 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.37 + 24.58
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Химия

   Физическая химия поверхностных явлений

Кл.слова (ненормированные):
азот -- аморфные углеводородные пленки -- вакуумные технологии -- кремний -- легирование азотом -- легирование кислородом -- легирование кремнием -- легированный аморфный углерод -- методы модификации поверхности -- модификация поверхности материалов -- плазмохимический синтез -- рамановская спектроскопия -- синтез аморфных углеводородных пленок -- физико-механические свойства пленок -- фурье-ИК-спектроскопия
Аннотация: Получены и исследованы аморфные углеводородные (a-C: H) пленки, легированные Si, O и N. Пленки наносились на образцы кристаллического кремния методом плазмохимического осаждения в смеси паров полифенилметилсилоксана, аргона и азота. Исследовано влияние содержания азота в пленках на их физико-механические свойства. Состав пленок изучали методами рентгеновской флуоресцентной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии с фурье-преобразованием. Структура пленок изучалась с использованием рамановской спектроскопии. Твердость и другие механические свойства пленок были определены с помощью наноиндентирования. Показано, что химический состав и свойства a-C: H: SiOx : N-пленок можно контролировать путем изменения парциального давления азота в процессе осаждения. Увеличение содержания азота в a-C: H: SiOx : N-пленке приводит к росту ее среднеквадратической шероховатости и угла смачивания с водой. Также это сопровождается уменьшением содержания углерода в пленке и уменьшением ее твердости, обусловленным уменьшением содержания sp 3-фазы углерода.


Доп.точки доступа:
Гренадёров, А. С.; Соловьев, А. А.; Иванова, Н. М.; Сыпченко, В. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

 
Статистика
за 22.08.2024
Число запросов 70097
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)