Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=лазерные гетероструктуры<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / А. В. Алуев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 556-560

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
лазерные гетероструктуры -- диэлектрические зеркала -- резонатор Фабри-Перо -- Фабри-Перо резонатор -- лазерные диоды -- ассиметричные волноводы
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO[2]/Si) на грани резонатора Фабри-Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5. 1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом - 9. 9 Вт.

Доп.точки доступа:
Алуев, А. В.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Фетисова, Н. В.; Чельный, А. А.; Шамахов, В. В.; Симаков, В. А.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах [Текст] / С. О. Слипченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 688-693 : ил. - Библиогр.: с. 692-693 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- ватт-амперные характеристики -- температурная делокализация -- делокализация -- асимметричные гетероструктуры -- носители заряда -- волноводы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- квантовые ямы -- излучательные характеристики
Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик лазерных диодов на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом. Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры является увеличение концентрации носителей заряда в волноводном слое. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту величины внутренних оптических потерь и падению внешней дифференциальной квантовой эффективности. Продемонстрировано, что степень делокализации носителей заряда зависит от температурного распределения носителей заряда, пороговой концентрации и глубины квантовой ямы. Рассмотрено влияние толщины и энергетической глубины квантовой ямы на температурную чувствительность порогового тока и выходной оптической мощности.

Доп.точки доступа:
Слипченко, С. О.; Шашкин, И. С.; Вавилова, Л. С.; Винокуров, Д. А.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Подоскин, А. А.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 833-836. : ил. - Библиогр.: с. 835-836 (8 назв. )

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- лазерные гетероструктуры -- твердые растворы -- квантовые ямы -- лазеры -- туннельно-связанные лазеры -- генерация -- двухполосная генерация -- мезаполосковые лазеры
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены эпитаксиально интегрированные туннельно-связанные лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150x7 мкм. Показана возможность управления длиной волны генерации за счет изменения толщины активной области в каждой туннельно-связанной лазерной структуре. Получена независимая двухполосная генерация на длинах волн 914 и 925 нм (разностная частота 2. 3 ТГц) при максимальной оптической мощности излучения 20 Вт в каждой полосе эпитаксиально интегрированного туннельно-связанного полупроводникового лазера.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Ладугин, М. А.; Лютецкий, А. В.; Мармалюк, А. А.; Петрунов, А. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Шашкин, И. С.; Аверкиев, Н. С.; Тарасов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1640-1644. : ил. - Библиогр.: с. 1643 (14 назв. )

УДК

^a621.371.8

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры -- МОС-гидридная эпитаксия -- подложки GaAs -- GaAs -- лазерные гетероструктуры -- мезаполосковые диоды -- лазерные диоды -- длины волн -- лазеры -- гетероструктуры -- мощность излучения -- непрерывные режимы -- режимы генерации -- AlGaAs -- гидридная эпитаксия
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Показано, что в данных лазерах активная область является релаксированной, что проявляется в разбросе достигаемой максимальной мощности для различных лазеров, полученных из одной гетероструктуры. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для таких лазеров составила 5. 5 Вт на зеркало.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Растегаева, М. Г.; Рожков, А. В.; Тарасов, И. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	43846
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)