Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (1)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=кремниевая подложка<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Кузьмин, М. В.
Размерные зависимости адсорбционных свойств поверхности нанопленок иттебрия, осаждаемых на поверхность кремния: система CO-Yb-Si (111) 7x7 [Текст] / М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, М. А. Митцев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 795-799. - Библиогр.: с. 799 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанопленки -- нанопленки иттебрия -- толщины пленок -- кремниевая подложка -- работа выхода пленок иттебрия
Аннотация: Исследована адсорбция молекул CO на поверхности нанопленок иттербия различной толщины, осажденных на кремний Si (111) 7x7 при комнатной температуре. Изучены зависимости двух видов: поверхностной концентрации адсорбированных молекул от дозы CO, выраженной в Лэнгмюрах, и работы выхода пленок от дозы CO. Показано, что вид этих зависимостей определяется размерными эффектами и осцилляциями Фриделя, генерируемыми границей раздела иттербий-кремний. И те и другие оказывают влияние на связь молекул CO с поверхностью. Эта связь при малых концентрациях молекул осуществляется неподеленной парой электронов, локализованных на углеродном конце молекул. Указанные электроны образуют донорно-акцепторную связь с незаполненным 5d-уровнем металла, в результате чего этот уровень опускается ниже уровня Ферми. При больших концентрациях молекул CO картина усложняется: вследствие увеличения кулоновского взаимодействия происходит частичный уход электронов с 5d-уровня на незанятую 2пи*-орбиталь молекул CO.

Доп.точки доступа:
Логинов, М. В.; Митцев, М. А.

Найти похожие

Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции
Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}.

Доп.точки доступа:
Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г.

Найти похожие

Тарнавский, Г. А.
Имплантация легирующих примесей в подложку кремния с непланарной поверхностью [Текст] / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 1. - С. 21-24. - Библиогр.: с. 24 (7 назв. ) . - ISSN 1813-8586

УДК

^a510

ББК 22.1
Рубрики: Математика
Общие вопросы математики
Кл.слова (ненормированные):
компьютерное моделирование -- легирование кремния -- имплантация -- донорные примеси -- акцепторные примеси -- математическое моделирование -- кремниевая подложка -- непланарная поверхность
Аннотация: На основании компьютерного моделирования проводится исследование влияния параметров технологического процесса (прицельного угла и энергии имплантации) на распределения концентраций легирующих примесей в кремниевой подложке.

Найти похожие

Мицубиси превзошла сама себя [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2014. - № 3. - С. 31

УДК

^a620.91:662.97

ББК 31.63
Рубрики: Энергетика
Гелиоэнергетика
Кл.слова (ненормированные):
солнечный свет -- преобразование энергии -- электроэнергия -- кристаллический кремний -- инфракрасные лучи -- кремниевая подложка -- толщина подложки -- арсенид галлия -- арсенид индия -- поликристаллические фотоэлементы -- кремниевые фотоэлементы
Аннотация: Преобразование солнечного света в электрическую энергию для поликристаллических кремниевых фотоэлементов.

Доп.точки доступа:
Корпорация "Мицубиси"; "Мицубиси", корпорация
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.09.2024
Число запросов	80002
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)