Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=коэффициент термоэдс<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

Голубков, А. В.
Термоэдс "легкого" тяжелофермионного соединения YbMgCu[4] в области его гомогенности [Текст] / А. В. Голубков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1159-1163. - Библиогр.: с. 1163 (18 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гомогенность -- Кондо температура -- коэффициент термоэдс -- температура Кондо -- термоэдс -- тяжелофермионные соединения
Аннотация: В интервале температур 5 - 300 K измерен коэффициент термоэдс (S) "легкой" тяжелофермионной системы YbMgCu[4] и для сравнения S металлического LuMgCu[4]. Показано, что YbMgCu[4] имеет достаточно широкую область гомогенности. Данные по температурной зависимости S YbMgCu[4] подтверждают, что это соединение относится к тяжелофермионным системам. Показано. что температура Кондо YbMgCu[4] зависит от величины параметра элементарной ячейки в области его гомогенности.

Доп.точки доступа:
Гольцев, А. В.; Картенко, Н. Ф.; Смирнов, И. А.; Sulkowski, Cz.; Misiorek, H.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Голубков, А. В.
Теплоемкость LuZnCu[4] [Текст] / А. В. Голубков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1164-1166. - Библиогр.: с. 1166 (13 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
коэффициент термоэдс -- теплоемкость -- термоэдс -- тяжелофермионные материалы
Аннотация: В интервале температур 3. 0 250 K измерена теплоемкость при постоянном давлении C[p] LuZnCu[4]. Определена величина параметра гамма - коэффициента при линейном члене по температуре электронной составляющей теплоемкости. Из литературных данных по теплоемкости YbZnCu[4] и полученных экспериментальных значений для LuZnCu[4] оценен вклад магнитной составляющей теплоемкости в C[p] (T) YbZnCu[4].

Доп.точки доступа:
Смирнов, И. А.; Wlosewicz, D.; Misiorek, H.; Krivchikov, A. I.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Мартынова, О. А.
Механизм модификации зонной спектра и сверхпроводящих свойств в системе Tl[2]Ba[2]Ca[1-x]Y[x]Cu[2-y]Co[y]O[z] [Текст] / О. А. Мартынова, В. Э. Гасумянц // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1537-1542. - Библиогр.: с. 1541-1542 (19 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ВТСП -- высокотемпературные сверхпроводники -- зонные спектры -- коэффициент термоэдс -- легирование иттрием -- легирование кобальтом -- таллиевые сверхпроводники -- термоэдс
Аннотация: Исследован характер модификации температурных зависимостей коэффициента термоэдс в системе Tl[2]Ba[2]Ca[1-x]Y[x]Cu[2-y]Co[y]O[z] при изменении содержания легирующих примесей. Показано, что модель асимметричной узкой зоны применима к высокотемпературным сверхпроводникам таллиевой системы. На основе анализа температурных зависимостей коэффициента термоэдс в рамках модели узкой зоны определены значения параметров зонного спектра и системы носителей заряда для образцов близкого к оптимальному состава, а также проанализированы характер и механизм их изменения при переходе в слаболегированный режим совместно с динамикой сверхпроводящих свойств. Выявлена корреляция между значениями критической температуры T[c] и эффективной шириной проводящей зоны W[d], показано, что зависимость T[c] (W[d]) для Tl[2]Ba[2]Ca[1-x]Y[x]Cu[2-y]Co[y]O[z] имеет близкий к универсальному характер, однако подавление T[c] при расширении зоны происходит быстрее, чем в случае иттриевой системы.

Доп.точки доступа:
Гасумянц, В. Э.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1165-1171 : ил. - Библиогр.: с. 1170-1171 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- n-TiNiSn -- легирование -- примеси -- Co -- генерация -- дефекты -- дефекты донорной природы -- дефекты акцепторной природы -- удельное сопротивление -- коэффициент термоэдс -- структурные характеристики -- электрокинетические характеристики -- энергетические характеристики -- плотность электронных состояний -- DOS -- амплитуда флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- кобальт
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Со (концентрации Со N{Co} ~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21}см{-3}), в температурном диапазоне 80-380К. Показано, что в TiNi[1-x]Co[x]Sn с x < 0. 03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.

Доп.точки доступа:
Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Доминюк, Т. И.; Ромака, Л. П.; Rogl, P.; Горынь, А. М.

Найти похожие

Теплоемкость и коэффициент термоэдс биоуглеродной матрицы дерева сапели [Текст] / Л. С. Парфеньева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2123-2127. - Библиогр.: с. 2127 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
теплоемкость -- коэффициент термоэдс -- биоуглероды -- биоуглеродные матрицы -- пробег фононов -- анизотропия
Аннотация: В интервале температур 80-300 K проведены измерения теплоемкости при постоянном давлении Cp, а при 5-300 K коэффициента термоэдс S биоуглеродной матрицы дерева сапели, полученной при температуре карбонизации 1000 градусов Цельсия. По результатам измерения Cp (T), наших предыдущих данных по фононной теплопроводности и литературных сведений о скорости звука вычислена длина свободного пробега фононов l (T) для этого материала. Показано, что в интервале температур 200-300 K lconst и равна 11 Angstrem, что совпадает с размерами нанокристаллитов ("графитовых осколков"), принимающих участие в формировании углеродного каркаса биоуглеродной матрицы сапели. Установлено, что высокотемпературные участки S (T) имеют линейный вид, характерный для диффузионной термоэдс для вырожденного состояния носителей заряда с одним типом носителей тока. Оценена величина анизотропии коэффициента термоэдс.

Доп.точки доступа:
Парфеньева, Л. С.; Wlosewicz, D; Смирнов, Б. И.; Arellano-Lopez, A. R.; Martinez-Fernandez, J.; Смирнов, И. А.; Misiore, H.; Sulkowsk, Cz.; Jezowski, A.

Найти похожие

Теплопроводность и теплоемкость волоконных монолитов Si[3]N[4]/BN [Текст] / Л. С. Парфеньева [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2144-2150. - Библиогр.: с. 2150 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
теплоемкость -- коэффициент термоэдс -- керамические поликристаллы -- поликристаллы -- пробег фононов -- ползучесть материалов -- волоконные монолиты -- композиты на керамической основе
Аннотация: В интервале температур 5-300 K измерена теплопроводность поликристаллических керамических образцов Si3N4 и BN и волоконных монолитов (FM) Si[3]N[4]/BN с различной "архитектурой" расположения в них волокон: [0], [90] и [0/90], когда волокна располагаются соответственно вдоль и поперек оси образца и когда соблюдается послойное чередование волокон [0] и [90]. В интервале 3. 5-300 K измерены теплоемкость при постоянном давлении, а при 77 K --- скорость звука в поликристаллических образцах Si[3]N[4], BN и FM Si[3]N[4]/BN [0]. Показано, что с достаточной степенью достоверности, но для некоторых составов с небольшими допущениями, можно утверждать, что в случае FM Si[3]N[4]/BN для определения расчетных значений их теплопроводностей и теплоемкостей можно в определенных температурных интервалах использовать простые модели для смесей компонентов Si[3]N[4] и BN с соответствующими вкладами их в формирование FM Si[3]N[4]/BN. Установлено, что в области низких температур (5-25 K) в FM Si[3]N[4]/BN [0], [90] и [0/90] преимущественное рассеяние фононов происходит на дислокациях. Такой эффект отсутствует в керамических образцах Si[3]N[4] и BN. С помощью полученных экспериментальных данных для теплопроводности, теплоемкости и скорости звука вычислены длины свободных пробегов фононов в поликристаллических образцах Si[3]N[4] и BN и эффективная длина свободного пробега в FM Si[3]N[4]/BN [0].

Доп.точки доступа:
Парфеньева, Л. С.; Wlosewicz, D; Смирнов, Б. И.; Mucha, J.; Krivchikov, A. I.; Смирнов, И. А.; Misiorek, H.; Singh, D.; Jezowski, A.

Найти похожие

Комарова, О. С.
Определение параметров нормального состояния в легированных иттриевых ВТСП на основе анализа коэффициента термоэдс в рамках различных моделей электронного транспорта [Текст] / О. С. Комарова, В. Э. Гасумянц // Физика твердого тела. - 2010. - С. 625-632. - Библиогр.: с. 632 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературные сверхпроводники -- ВТСП -- легированные иттриевые ВТСП -- термоэдс -- коэффициент термоэдс -- модели электронного транспорта
Аннотация: Проведен анализ температурных зависимостей коэффициента термоэдс для двух систем легированных иттриевых ВТСП --- Y[1-x]Pr[x]Ba[2]Cu[3]O[y] (x=0. 1-0. 6) и Y[1-x]Ca[x]Ba[1. 5]La[0. 5]Cu[3]O[y] (x=0. 05-0. 3) --- на основе трех различных моделей электронного транспорта: двухзонной модели Ксина, двухзонной модели с дополнительным линейным по температуре членом и модели узкой зоны. Для схожих по физическому смыслу параметров различных моделей выявлены одинаковые тенденции в их изменении с ростом содержания примесей. Проанализированы механизмы воздействия исследованных примесей на параметры зонного спектра и системы носителей зарядов. Показано, что обнаруженные особенности динамики уровня Ферми в системе Y[1-x]Ca[x]Ba[1. 5]La[0. 5]Cu[3]O[y] объясняются формированием при легировании кальцием дополнительного пика в функции плотности состояний, и проведена оценка энергетического положения этого пика.

Доп.точки доступа:
Гасумянц, В. Э.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Калмыков, Р. М.
Температурные и концентрационные зависимости электропроводности и термоЭДС соединения PbTe с примесями CdSe [Текст] / Р. М. Калмыков, А. М. Кармоков // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 76-81 : рис., табл. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

^a537.311.33

ББК 31.233 + 22.379
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
коэффициент термоЭДС -- селенид кадмия -- теллурид свинца -- термоЭДС соединения -- термоэлектрическая мощность -- термоэлектрические материалы -- удельная электропроводность -- электропроводность -- электрофизические свойства
Аннотация: Проведены исследования изменения фазового состава, удельной электропроводности и коэффициента термоЭДС PbTe при малых добавках CdSe и установлена взаимосвязь между этими параметрами. Показано, что при минимальном значении параметра решетки образующихся новых фаз в матрице PbTe (при концентрации 0. 5 мол. %) имеют минимальное значение удельная электропроводность и коэффициент термоЭДС. Дальнейшее увеличение концентрации приводит к увеличению этих параметров. Изотермический отжиг образцов приводит к увеличению электропроводности и незначительному уменьшению термоЭДС.

Доп.точки доступа:
Кармоков, А. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 31.07.2024
Число запросов	49049
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)